Corrente di collettore del transistor PNP Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base
Ic = (q*A*Nd*Dp)/Wb
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Corrente del collettore - (Misurato in Ampere) - La corrente di collettore è la corrente che scorre attraverso il terminale del collettore del transistor ed è la corrente che viene amplificata dal transistor.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Area di giunzione della base dell'emettitore - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione della base dell'emettitore è una giunzione PN formata tra il materiale di tipo P fortemente drogato (emettitore) e il materiale di tipo N leggermente drogato (base) del transistor.
Concentrazione di equilibrio di tipo N - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di equilibrio del tipo N è uguale alla densità degli atomi donatori perché gli elettroni per la conduzione sono forniti esclusivamente dall'atomo donatore.
Costante di diffusione per PNP - (Misurato in Metro quadro al secondo) - La costante di diffusione per PNP descrive la facilità con cui questi portatori minoritari si diffondono attraverso il materiale semiconduttore quando viene applicato un campo elettrico.
Larghezza della base - (Misurato in Metro) - La larghezza della base è un parametro importante che influenza le caratteristiche del transistor, soprattutto in termini di funzionamento e velocità.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Carica: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Controlla la conversione ​qui)
Area di giunzione della base dell'emettitore: 1.75 Piazza Centimetro --> 0.000175 Metro quadrato (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione di equilibrio di tipo N: 45 1 per centimetro cubo --> 45000000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
Costante di diffusione per PNP: 100 Centimetro quadrato al secondo --> 0.01 Metro quadro al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza della base: 8 Centimetro --> 0.08 Metro (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ic = (q*A*Nd*Dp)/Wb --> (0.005*0.000175*45000000*0.01)/0.08
Valutare ... ...
Ic = 4.921875
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
4.921875 Ampere --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
4.921875 Ampere <-- Corrente del collettore
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Rahul Gupta
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
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Verificato da Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore
Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
Conduttività ohmica delle impurità
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
​ LaTeX ​ Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Impurezza con concentrazione intrinseca
​ LaTeX ​ Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Corrente di collettore del transistor PNP Formula

​LaTeX ​Partire
Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base
Ic = (q*A*Nd*Dp)/Wb
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