Capacità base del collettore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Capacità base del collettore = Area di giunzione della base dell'emettitore*sqrt((Carica*Permittività*Densità del doping)/(2*(Potenziale incorporato+Giunzione con polarizzazione inversa)))
Ccb = A*sqrt((q*ε*Nb)/(2*(ψo+Vrb)))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 7 Variabili
Funzioni utilizzate
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
Variabili utilizzate
Capacità base del collettore - (Misurato in Farad) - La capacità della base del collettore è semplicemente la capacità della giunzione collettore-base, inclusa sia la parte inferiore piatta della giunzione che le pareti laterali.
Area di giunzione della base dell'emettitore - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione della base dell'emettitore è una giunzione PN formata tra il materiale di tipo P fortemente drogato (emettitore) e il materiale di tipo N leggermente drogato (base) del transistor.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Permittività - (Misurato in Farad al metro) - La permettività è una proprietà fisica che descrive quanta resistenza offre un materiale alla formazione di un campo elettrico al suo interno.
Densità del doping - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La densità di drogaggio è un processo in cui alcuni atomi di impurità, come fosforo o boro, vengono introdotti nel semiconduttore per alterarne le proprietà elettriche.
Potenziale incorporato - (Misurato in Volt) - Il potenziale incorporato influisce sulla dimensione della regione di svuotamento, che a sua volta influenza la capacità della giunzione.
Giunzione con polarizzazione inversa - (Misurato in Ampere) - La giunzione con polarizzazione inversa si riferisce alla condizione in un dispositivo a semiconduttore, in cui la tensione applicata attraverso la giunzione si oppone al normale flusso di corrente attraverso il dispositivo.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Area di giunzione della base dell'emettitore: 1.75 Piazza Centimetro --> 0.000175 Metro quadrato (Controlla la conversione ​qui)
Carica: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Controlla la conversione ​qui)
Permittività: 71 Farad al metro --> 71 Farad al metro Nessuna conversione richiesta
Densità del doping: 26 Elettroni per metro cubo --> 26 Elettroni per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Potenziale incorporato: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Nessuna conversione richiesta
Giunzione con polarizzazione inversa: 2.55 Ampere --> 2.55 Ampere Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ccb = A*sqrt((q*ε*Nb)/(2*(ψo+Vrb))) --> 0.000175*sqrt((0.005*71*26)/(2*(4.8+2.55)))
Valutare ... ...
Ccb = 0.000138669270808881
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.000138669270808881 Farad -->138.669270808881 Microfarad (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
138.669270808881 138.6693 Microfarad <-- Capacità base del collettore
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Rahul Gupta
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
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Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
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Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT
​ LaTeX ​ Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)
Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT
​ LaTeX ​ Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore
Capacità di diffusione di piccoli segnali
​ LaTeX ​ Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza
Capacità di giunzione base-emettitore
​ LaTeX ​ Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

Capacità base del collettore Formula

​LaTeX ​Partire
Capacità base del collettore = Area di giunzione della base dell'emettitore*sqrt((Carica*Permittività*Densità del doping)/(2*(Potenziale incorporato+Giunzione con polarizzazione inversa)))
Ccb = A*sqrt((q*ε*Nb)/(2*(ψo+Vrb)))
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