Tensione critica CMOS calcolatrice

✖Il campo elettrico critico è definito come la forza elettrica per unità di carica.ⓘ Campo elettrico critico [E_c]			+10% -10%
✖Il percorso libero medio è definito come la distanza media percorsa da una particella in movimento tra impatti successivi, che ne modificano la direzione, l'energia o altre proprietà delle particelle.ⓘ Percorso libero medio [L]			+10% -10%

✖La tensione critica nel CMOS è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.ⓘ Tensione critica CMOS [V_c]

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Tensione critica CMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
V_c = E_c*L
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione critica nel CMOS - (Misurato in Volt) - La tensione critica nel CMOS è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.
Campo elettrico critico - (Misurato in Volt per metro) - Il campo elettrico critico è definito come la forza elettrica per unità di carica.
Percorso libero medio - (Misurato in Metro) - Il percorso libero medio è definito come la distanza media percorsa da una particella in movimento tra impatti successivi, che ne modificano la direzione, l'energia o altre proprietà delle particelle.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Campo elettrico critico: 0.004 Volt per millimetro --> 4 Volt per metro (Controlla la conversione qui)
Percorso libero medio: 697.57 Millimetro --> 0.69757 Metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_c = E_c*L --> 4*0.69757

Valutare ... ...

V_c = 2.79028

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

2.79028 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

2.79028 Volt <-- Tensione critica nel CMOS

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Larghezza della diffusione della sorgente

LaTeX Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte

Area di diffusione della sorgente

LaTeX Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione

CMOS percorso libero medio

LaTeX Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico

Tensione critica CMOS

LaTeX Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio

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Tensione critica CMOS Formula

LaTeX Partire

Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
V_c = E_c*L

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