Calcolatore mcd

Resistenza del canale calcolatrice

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✖La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.ⓘ Lunghezza del transistor [L_t]			+10% -10%
✖La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.ⓘ Larghezza del transistor [W_t]			+10% -10%
✖La mobilità elettronica descrive la velocità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il materiale in risposta a un campo elettrico.ⓘ Mobilità elettronica [μ_n]			+10% -10%
✖La densità del portatore si riferisce al numero di portatori di carica (elettroni o lacune) presenti nel canale del semiconduttore.ⓘ Densità del portatore [Q_on]			+10% -10%

✖La resistenza del canale si riferisce alla resistenza offerta dal materiale semiconduttore nel canale attraverso il quale scorre la corrente tra i terminali source e drain.ⓘ Resistenza del canale [R_ch]

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Formula

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Resistenza del canale

Formula

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Esempio

3.463203 Ω = \frac{3.2 μm}{5.5 μm} \cdot \frac{1}{30 m²/V*s \cdot 0.0056 electrons/m³}

Calcolatrice

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Resistenza del canale Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Resistenza del canale - (Misurato in Ohm) - La resistenza del canale si riferisce alla resistenza offerta dal materiale semiconduttore nel canale attraverso il quale scorre la corrente tra i terminali source e drain.
Lunghezza del transistor - (Misurato in Metro) - La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Larghezza del transistor - (Misurato in Metro) - La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Mobilità elettronica - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità elettronica descrive la velocità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il materiale in risposta a un campo elettrico.
Densità del portatore - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La densità del portatore si riferisce al numero di portatori di carica (elettroni o lacune) presenti nel canale del semiconduttore.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Lunghezza del transistor: 3.2 Micrometro --> 3.2E-06 Metro (Controlla la conversione qui)
Larghezza del transistor: 5.5 Micrometro --> 5.5E-06 Metro (Controlla la conversione qui)
Mobilità elettronica: 30 Metro quadrato per Volt al secondo --> 30 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Densità del portatore: 0.0056 Elettroni per metro cubo --> 0.0056 Elettroni per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

Valutare ... ...

R_ch = 3.46320346320346

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.46320346320346 Ohm --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

3.46320346320346 ≈ 3.463203 Ohm <-- Resistenza del canale

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

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Effetto corpo nel MOSFET

Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Resistenza del canale

Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

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