Reattanza capacitiva del Mosfet Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)
Xc = 1/(2*pi*f*c)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili
Costanti utilizzate
pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288
Variabili utilizzate
Reattanza capacitiva - (Misurato in Ohm) - La reattanza capacitiva di un condensatore è inversamente proporzionale alla frequenza del segnale CA. Ciò significa che all'aumentare della frequenza, la reattanza capacitiva diminuisce.
Frequenza - (Misurato in Hertz) - La frequenza è il numero di occorrenze di un evento ricorrente per unità di tempo. Occasionalmente viene anche chiamata frequenza temporale per chiarezza e per distinguerla dalla frequenza spaziale.
Capacità - (Misurato in Farad) - La capacità è la capacità di un dispositivo di immagazzinare energia elettrica sotto forma di carica elettrica.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Frequenza: 14 Hertz --> 14 Hertz Nessuna conversione richiesta
Capacità: 4.78 Farad --> 4.78 Farad Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Xc = 1/(2*pi*f*c) --> 1/(2*pi*14*4.78)
Valutare ... ...
Xc = 0.00237828665708152
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00237828665708152 Ohm --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.00237828665708152 0.002378 Ohm <-- Reattanza capacitiva
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Suma Madhuri
Università VIT (VIT), Chennai
Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore
Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Frequenza di transizione del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)
Capacità di sovrapposizione del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione
Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Reattanza capacitiva del Mosfet Formula

​LaTeX ​Partire
Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)
Xc = 1/(2*pi*f*c)
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