Tensione di breakout dell'emettitore del collettore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Vce = Vcb/(ig)^(1/n)
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore - (Misurato in Volt) - La tensione di breakout dell'emettitore del collettore è la tensione tra i terminali del collettore e dell'emettitore di un transistor a giunzione bipolare senza causare un guasto nel transistor.
Tensione di interruzione della base del collettore - (Misurato in Volt) - La tensione di breakout della base del collettore è la tensione massima tra il collettore e i terminali della base di un transistor a giunzione bipolare senza causare una rottura del transistor.
Guadagno attuale di BJT - (Misurato in Volt) - Il guadagno corrente di BJT viene utilizzato per descrivere le proprietà di amplificazione del transistor. Indica di quanto viene amplificata la corrente di collettore rispetto alla corrente di base.
Numero di radice - Il numero di radice rappresenta una costante o un fattore associato al transistor.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione di interruzione della base del collettore: 3.52 Volt --> 3.52 Volt Nessuna conversione richiesta
Guadagno attuale di BJT: 2.8 Volt --> 2.8 Volt Nessuna conversione richiesta
Numero di radice: 2 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vce = Vcb/(ig)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)
Valutare ... ...
Vce = 2.10360235242853
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
2.10360235242853 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
2.10360235242853 2.103602 Volt <-- Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
(Calcolo completato in 00.007 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Rahul Gupta
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
Conduttività ohmica delle impurità
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
​ LaTeX ​ Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Impurezza con concentrazione intrinseca
​ LaTeX ​ Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore Formula

​LaTeX ​Partire
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Vce = Vcb/(ig)^(1/n)
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