MCM di due numeri

Effetto corpo nel MOSFET calcolatrice

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✖La tensione di soglia con polarizzazione corpo zero si riferisce alla tensione di soglia quando non è applicata alcuna polarizzazione esterna al substrato semiconduttore (terminale body).ⓘ Tensione di soglia con zero body bias [V_th]			+10% -10%
✖Il parametro Body Effect è un parametro che caratterizza la sensibilità della tensione di soglia del MOSFET.ⓘ Parametro dell'effetto corporeo [γ]			+10% -10%
✖Il potenziale di Fermi di massa è un parametro che descrive il potenziale elettrostatico nella massa (interno) di un materiale semiconduttore.ⓘ Potenziale di Fermi in massa [Φ_f]			+10% -10%
✖La tensione applicata al corpo è la tensione applicata al terminale del corpo. Questa tensione può avere un impatto significativo sul comportamento e sulle prestazioni del MOSFET.ⓘ Tensione applicata al corpo [V_bs]			+10% -10%

✖La tensione di soglia con substrato è un parametro cruciale che definisce il punto in cui il transistor inizia a condurre corrente dalla sorgente allo scarico.ⓘ Effetto corpo nel MOSFET [V_t]

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Effetto corpo nel MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))
V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Tensione di soglia con substrato - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia con substrato è un parametro cruciale che definisce il punto in cui il transistor inizia a condurre corrente dalla sorgente allo scarico.
Tensione di soglia con zero body bias - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia con polarizzazione corpo zero si riferisce alla tensione di soglia quando non è applicata alcuna polarizzazione esterna al substrato semiconduttore (terminale body).
Parametro dell'effetto corporeo - Il parametro Body Effect è un parametro che caratterizza la sensibilità della tensione di soglia del MOSFET.
Potenziale di Fermi in massa - (Misurato in Volt) - Il potenziale di Fermi di massa è un parametro che descrive il potenziale elettrostatico nella massa (interno) di un materiale semiconduttore.
Tensione applicata al corpo - (Misurato in Volt) - La tensione applicata al corpo è la tensione applicata al terminale del corpo. Questa tensione può avere un impatto significativo sul comportamento e sulle prestazioni del MOSFET.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione di soglia con zero body bias: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Nessuna conversione richiesta
Parametro dell'effetto corporeo: 0.56 --> Nessuna conversione richiesta
Potenziale di Fermi in massa: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione applicata al corpo: 2.43 Volt --> 2.43 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))

Valutare ... ...

V_t = 3.96258579757846

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.96258579757846 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

3.96258579757846 ≈ 3.962586 Volt <-- Tensione di soglia con substrato

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

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Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

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Effetto corpo nel MOSFET

LaTeX Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Resistenza del canale

LaTeX Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

LaTeX Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

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