Coefficiente di effetto corporeo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
γ = modulus((Vt-Vt0)/(sqrt(Φs+(Vsb))-sqrt(Φs)))
Questa formula utilizza 2 Funzioni, 5 Variabili
Funzioni utilizzate
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
modulus - Il modulo di un numero è il resto quando quel numero viene diviso per un altro numero., modulus
Variabili utilizzate
Coefficiente di effetto corporeo - Il coefficiente di effetto corpo è l'influenza della tensione di massa nella corrente dovuta alla modifica della tensione di soglia.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Tensione di soglia DIBL - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia dibl è definita come la tensione minima richiesta dalla giunzione della sorgente del potenziale corporeo, quando la sorgente è al potenziale corporeo.
Potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.
Differenza di potenziale del corpo sorgente - (Misurato in Volt) - La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Soglia di voltaggio: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di soglia DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Nessuna conversione richiesta
Potenziale di superficie: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Nessuna conversione richiesta
Differenza di potenziale del corpo sorgente: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
γ = modulus((Vt-Vt0)/(sqrt(Φs+(Vsb))-sqrt(Φs))) --> modulus((0.3-0.59)/(sqrt(6.86+(1.36))-sqrt(6.86)))
Valutare ... ...
γ = 1.16985454290539
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1.16985454290539 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
1.16985454290539 1.169855 <-- Coefficiente di effetto corporeo
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo
​ Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
Coefficiente DIBL
​ Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
Channel Charge
​ Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Tensione critica
​ Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Coefficiente di effetto corporeo Formula

Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
γ = modulus((Vt-Vt0)/(sqrt(Φs+(Vsb))-sqrt(Φs)))

In che modo il corpo, il quarto terminale di un transistor, influisce sulla tensione di soglia?

Il corpo è un quarto terminale implicito di un transistor. Quando viene applicata una tensione tra la sorgente e il corpo, aumenta la quantità di carica richiesta per invertire il canale, quindi aumenta la tensione di soglia. L'effetto body degrada ulteriormente le prestazioni dei pass transistor che tentano di superare il valore debole.

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