MCD di tre numeri

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base calcolatrice

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✖La larghezza fisica si riferisce alla larghezza della regione del canale tra i terminali di sorgente e di drenaggio. Questa larghezza del canale determina la capacità di trasporto di corrente del MOSFET.ⓘ Larghezza fisica [W_p]			+10% -10%
✖La lunghezza di diffusione elettronica è un concetto utilizzato nella fisica dei semiconduttori per descrivere la distanza media percorsa da un elettrone prima di subire diffusione o ricombinazione.ⓘ Lunghezza di diffusione degli elettroni [L_e]			+10% -10%

✖Il fattore di trasporto della base ci dice quale frazione della corrente elettronica che viene iniettata nella base arriva effettivamente alla giunzione del collettore.ⓘ Fattore di trasporto della base data la larghezza della base [α_T]

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Fattore di trasporto della base data la larghezza della base Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Fattore di trasporto di base - Il fattore di trasporto della base ci dice quale frazione della corrente elettronica che viene iniettata nella base arriva effettivamente alla giunzione del collettore.
Larghezza fisica - (Misurato in Metro) - La larghezza fisica si riferisce alla larghezza della regione del canale tra i terminali di sorgente e di drenaggio. Questa larghezza del canale determina la capacità di trasporto di corrente del MOSFET.
Lunghezza di diffusione degli elettroni - (Misurato in Metro) - La lunghezza di diffusione elettronica è un concetto utilizzato nella fisica dei semiconduttori per descrivere la distanza media percorsa da un elettrone prima di subire diffusione o ricombinazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Larghezza fisica: 1.532 Metro --> 1.532 Metro Nessuna conversione richiesta
Lunghezza di diffusione degli elettroni: 1.2 Metro --> 1.2 Metro Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)

Valutare ... ...

α_T = 0.185061111111111

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.185061111111111 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.185061111111111 ≈ 0.185061 <-- Fattore di trasporto di base

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N

LaTeX Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Conduttività ohmica delle impurità

LaTeX Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

LaTeX Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

LaTeX Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

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