Capacità di giunzione base-emettitore calcolatrice

✖La capacità emettitore-base è la capacità tra l'emettitore e la base.ⓘ Capacità di base dell'emettitore [C_eb]

+10%

-10%

✖La capacità di giunzione base-emettitore è la capacità della giunzione polarizzata in avanti ed è rappresentata da un diodo.ⓘ Capacità di giunzione base-emettitore [C]

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Capacità di giunzione base-emettitore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore
C = 2*C_eb
Questa formula utilizza 2 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità di giunzione base-emettitore - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione base-emettitore è la capacità della giunzione polarizzata in avanti ed è rappresentata da un diodo.
Capacità di base dell'emettitore - (Misurato in Farad) - La capacità emettitore-base è la capacità tra l'emettitore e la base.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di base dell'emettitore: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C = 2*C_eb --> 2*1.5E-06

Valutare ... ...

C = 3E-06

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3E-06 Farad -->3 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

3 Microfarad <-- Capacità di giunzione base-emettitore

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » BJT » Elettronica analogica » Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza » Capacità di giunzione base-emettitore

Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT

LaTeX Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)

Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT

LaTeX Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore

Capacità di diffusione di piccoli segnali

LaTeX Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza

Capacità di giunzione base-emettitore

LaTeX Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

Vedi altro >>

Capacità di giunzione base-emettitore Formula

LaTeX Partire

Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore
C = 2*C_eb

Cos'è il BJT e i suoi tipi?

Un transistor bipolare (transistor a giunzione bipolare: BJT) è costituito da tre regioni di semiconduttori che formano due giunzioni. Esistono due tipi di struttura: NPN e PNP. Sono disponibili prodotti con NPN fino a 800 V e PNP fino a -600 V. Inoltre, ci sono anche transistor integrati con resistenza di polarizzazione (BRT).

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