✖Il tempo per la transizione da alto a basso dell'uscita si riferisce alla durata impiegata da un segnale sul terminale di uscita di un dispositivo o circuito per passare da un livello di alta tensione a un livello di bassa tensione.ⓘ Tempo per la transizione da alto a basso dell'output [ζ_PHL]			+10% -10%
✖Il tempo per la transizione da basso ad alto dell'uscita si riferisce alla durata impiegata da un segnale sul terminale di uscita di un dispositivo o circuito per passare da un livello di tensione bassa a un livello di tensione alta.ⓘ Tempo per la transizione da basso ad alto dell'output [ζ_PLH]			+10% -10%

✖Il ritardo medio di propagazione è il tempo impiegato da un segnale per viaggiare dall'ingresso all'uscita di un circuito digitale, mediato su più transizioni o operazioni.ⓘ Ritardo medio di propagazione CMOS [ζ_P]

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Formula

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Ritardo medio di propagazione CMOS

Formula

`"ζ"_{"P"} = ("ζ"_{"PHL"}+"ζ"_{"PLH"})/2`

Esempio

`"0.004236ns"=("0.00229ns"+"0.006182ns")/2`

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Ritardo medio di propagazione CMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Ritardo medio di propagazione = (Tempo per la transizione da alto a basso dell'output+Tempo per la transizione da basso ad alto dell'output)/2
ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Ritardo medio di propagazione - (Misurato in Secondo) - Il ritardo medio di propagazione è il tempo impiegato da un segnale per viaggiare dall'ingresso all'uscita di un circuito digitale, mediato su più transizioni o operazioni.
Tempo per la transizione da alto a basso dell'output - (Misurato in Secondo) - Il tempo per la transizione da alto a basso dell'uscita si riferisce alla durata impiegata da un segnale sul terminale di uscita di un dispositivo o circuito per passare da un livello di alta tensione a un livello di bassa tensione.
Tempo per la transizione da basso ad alto dell'output - (Misurato in Secondo) - Il tempo per la transizione da basso ad alto dell'uscita si riferisce alla durata impiegata da un segnale sul terminale di uscita di un dispositivo o circuito per passare da un livello di tensione bassa a un livello di tensione alta.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tempo per la transizione da alto a basso dell'output: 0.00229 Nanosecondo --> 2.29E-12 Secondo (Controlla la conversione qui)
Tempo per la transizione da basso ad alto dell'output: 0.006182 Nanosecondo --> 6.182E-12 Secondo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2 --> (2.29E-12+6.182E-12)/2

Valutare ... ...

ζ_P = 4.236E-12

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

4.236E-12 Secondo -->0.004236 Nanosecondo (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.004236 Nanosecondo <-- Ritardo medio di propagazione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< 16 Invertitori CMOS Calcolatrici

Ritardo di propagazione per CMOS di transizione con uscita da bassa ad alta

Partire Tempo per la transizione da basso ad alto dell'output = (Capacità di carico CMOS dell'inverter/(Transconduttanza del PMOS*(Tensione di alimentazione-abs(Tensione di soglia del PMOS con polarizzazione del corpo))))*(((2*abs(Tensione di soglia del PMOS con polarizzazione del corpo))/(Tensione di alimentazione-abs(Tensione di soglia del PMOS con polarizzazione del corpo)))+ln((4*(Tensione di alimentazione-abs(Tensione di soglia del PMOS con polarizzazione del corpo))/Tensione di alimentazione)-1))

Ritardo di propagazione per la transizione CMOS da alto a basso output

Partire Tempo per la transizione da alto a basso dell'output = (Capacità di carico CMOS dell'inverter/(Transconduttanza di NMOS*(Tensione di alimentazione-Tensione di soglia di NMOS con polarizzazione del corpo)))*((2*Tensione di soglia di NMOS con polarizzazione del corpo/(Tensione di alimentazione-Tensione di soglia di NMOS con polarizzazione del corpo))+ln((4*(Tensione di alimentazione-Tensione di soglia di NMOS con polarizzazione del corpo)/Tensione di alimentazione)-1))

Carico resistivo Tensione di uscita minima CMOS

Partire Tensione di uscita minima del carico resistivo = Tensione di alimentazione-Tensione di soglia di polarizzazione zero+(1/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico))-sqrt((Tensione di alimentazione-Tensione di soglia di polarizzazione zero+(1/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico)))^2-(2*Tensione di alimentazione/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico)))

Massima tensione di ingresso CMOS

Partire Massima tensione di ingresso CMOS = (2*Tensione di uscita per ingresso massimo+(Tensione di soglia del PMOS senza polarizzazione del corpo)-Tensione di alimentazione+Rapporto di transconduttanza*Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo)/(1+Rapporto di transconduttanza)

CMOS di tensione di soglia

Partire Soglia di voltaggio = (Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo+sqrt(1/Rapporto di transconduttanza)*(Tensione di alimentazione+(Tensione di soglia del PMOS senza polarizzazione del corpo)))/(1+sqrt(1/Rapporto di transconduttanza))

Tensione di ingresso minima CMOS

Partire Tensione di ingresso minima = (Tensione di alimentazione+(Tensione di soglia del PMOS senza polarizzazione del corpo)+Rapporto di transconduttanza*(2*Tensione di uscita+Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo))/(1+Rapporto di transconduttanza)

Carico resistivo Tensione di ingresso minima CMOS

Partire Tensione di ingresso minima del carico resistivo = Tensione di soglia di polarizzazione zero+sqrt((8*Tensione di alimentazione)/(3*Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico))-(1/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico))

Capacità di carico del CMOS dell'inverter in cascata

Partire Capacità di carico CMOS dell'inverter = Capacità di drenaggio del gate PMOS+Capacità di drain del gate NMOS+Capacità di massa di drenaggio PMOS+Capacità di massa di drain NMOS+Capacità interna CMOS dell'inverter+Capacità del gate CMOS dell'inverter

Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS

Partire Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS = Tensione di soglia di polarizzazione zero+(1/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico))

Tensione di ingresso massima per CMOS simmetrico

Partire CMOS simmetrico con tensione di ingresso massima = (3*Tensione di alimentazione+2*Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo)/8

Ritardo medio di propagazione CMOS

Partire Ritardo medio di propagazione = (Tempo per la transizione da alto a basso dell'output+Tempo per la transizione da basso ad alto dell'output)/2

Tensione di ingresso minima per CMOS simmetrico

Partire CMOS simmetrico con tensione di ingresso minima = (5*Tensione di alimentazione-2*Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo)/8

CMOS media della dissipazione di potenza

Partire Dissipazione di potenza media = Capacità di carico CMOS dell'inverter*(Tensione di alimentazione)^2*Frequenza

Oscillatore ad anello del periodo di oscillazione CMOS

Partire Periodo di oscillazione = 2*Oscillatore ad anello con numero di stadi*Ritardo medio di propagazione

Margine di rumore per CMOS a segnale elevato

Partire Margine di rumore per segnale alto = Tensione di uscita massima-Tensione di ingresso minima

Rapporto di transconduttanza CMOS

Partire Rapporto di transconduttanza = Transconduttanza di NMOS/Transconduttanza del PMOS

Ritardo medio di propagazione CMOS Formula

Ritardo medio di propagazione = (Tempo per la transizione da alto a basso dell'output+Tempo per la transizione da basso ad alto dell'output)/2
ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2

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