Temperatura media del diodo utilizzando il rumore a banda laterale singola Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Temperatura del diodo = (Figura di rumore della singola banda laterale-2)*((Resistenza di uscita del generatore di segnale*Temperatura ambiente)/(2*Resistenza diodi))
Td = (Fssb-2)*((Rg*T0)/(2*Rd))
Questa formula utilizza 5 Variabili
Variabili utilizzate
Temperatura del diodo - (Misurato in Kelvin) - La temperatura del diodo è la misura del calore che scorre nel diodo preferenzialmente in una direzione.
Figura di rumore della singola banda laterale - (Misurato in Decibel) - Figura di rumore La definizione di banda laterale singola corrisponde a una situazione in cui il rumore di ingresso della sorgente alla frequenza dell'immagine è completamente escluso dalla porta di ingresso del mixer.
Resistenza di uscita del generatore di segnale - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita del generatore di segnali è un parametro operativo chiave che controlla il generatore di segnali di generazione di corrente quando viene utilizzato come fonte di alimentazione.
Temperatura ambiente - (Misurato in Kelvin) - La temperatura ambiente è la temperatura dell'ambiente circostante.
Resistenza diodi - (Misurato in Ohm) - La resistenza del diodo può essere definita come l'effettiva opposizione offerta dal diodo al flusso di corrente che lo attraversa.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Figura di rumore della singola banda laterale: 14.3 Decibel --> 14.3 Decibel Nessuna conversione richiesta
Resistenza di uscita del generatore di segnale: 33 Ohm --> 33 Ohm Nessuna conversione richiesta
Temperatura ambiente: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Nessuna conversione richiesta
Resistenza diodi: 210 Ohm --> 210 Ohm Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Td = (Fssb-2)*((Rg*T0)/(2*Rd)) --> (14.3-2)*((33*300)/(2*210))
Valutare ... ...
Td = 289.928571428571
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
289.928571428571 Kelvin --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
289.928571428571 289.9286 Kelvin <-- Temperatura del diodo
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Circuiti non lineari Calcolatrici

Larghezza di banda utilizzando Dynamic Quality Factor
​ Partire Larghezza di banda = Fattore Q dinamico/(Frequenza angolare*Resistenza in serie del diodo)
Massima tensione applicata attraverso il diodo
​ Partire Tensione massima applicata = Campo elettrico massimo*Lunghezza di esaurimento
Corrente massima applicata attraverso il diodo
​ Partire Corrente massima applicata = Tensione massima applicata/Impedenza reattiva
Impedenza reattiva
​ Partire Impedenza reattiva = Tensione massima applicata/Corrente massima applicata

Temperatura media del diodo utilizzando il rumore a banda laterale singola Formula

Temperatura del diodo = (Figura di rumore della singola banda laterale-2)*((Resistenza di uscita del generatore di segnale*Temperatura ambiente)/(2*Resistenza diodi))
Td = (Fssb-2)*((Rg*T0)/(2*Rd))

Che cos'è il transistor a giunzione omo?

Quando la giunzione del transistor è unita da due materiali simili come silicio-silicio o germanio-germanio, viene chiamato transistor a giunzione omo.

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