Area di diffusione della sorgente calcolatrice

✖La lunghezza della sorgente è definita come la lunghezza totale osservata nella giunzione della sorgente del MOSFET.ⓘ Lunghezza della fonte [D_s]			+10% -10%
✖La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.ⓘ Larghezza di transizione [W]			+10% -10%

✖L'area di diffusione della sorgente è definita come il movimento netto di qualsiasi cosa da una regione di concentrazione più elevata a una regione di concentrazione inferiore nell'area del gate della sorgente.ⓘ Area di diffusione della sorgente [A_s]

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Area di diffusione della sorgente Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
A_s = D_s*W
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Area di diffusione della sorgente - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di diffusione della sorgente è definita come il movimento netto di qualsiasi cosa da una regione di concentrazione più elevata a una regione di concentrazione inferiore nell'area del gate della sorgente.
Lunghezza della fonte - (Misurato in Metro) - La lunghezza della sorgente è definita come la lunghezza totale osservata nella giunzione della sorgente del MOSFET.
Larghezza di transizione - (Misurato in Metro) - La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Lunghezza della fonte: 61 Millimetro --> 0.061 Metro (Controlla la conversione qui)
Larghezza di transizione: 89.82 Millimetro --> 0.08982 Metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

A_s = D_s*W --> 0.061*0.08982

Valutare ... ...

A_s = 0.00547902

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00547902 Metro quadrato -->5479.02 Piazza millimetrica (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

5479.02 Piazza millimetrica <-- Area di diffusione della sorgente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Larghezza della diffusione della sorgente

LaTeX Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte

Area di diffusione della sorgente

LaTeX Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione

CMOS percorso libero medio

LaTeX Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico

Tensione critica CMOS

LaTeX Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio

Vedi altro >>

Area di diffusione della sorgente Formula

LaTeX Partire

Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
A_s = D_s*W

Cosa puoi dire del processo di doping nel CMOS?

Il drogaggio nel CMOS è un processo di introduzione di impurità nel materiale semiconduttore per modificarne le proprietà elettriche. Questo processo può migliorare le prestazioni dei dispositivi CMOS riducendo la resistenza, aumentando la mobilità e migliorando l'isolamento tra i diversi componenti. Il doping può essere eseguito utilizzando varie tecniche tra cui l'impianto e la diffusione.

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