Fattore di amplificazione per modello MOSFET a piccolo segnale calcolatrice

✖Electron Mean Free Path che rappresenta la distanza media che un elettrone può percorrere senza disperdersi con impurità, danni o altri ostacoli all'interno del dispositivo a stato solido.ⓘ Percorso libero medio elettronico [λ]			+10% -10%
✖Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo [k'_n]			+10% -10%
✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Assorbimento di corrente [i_d]			+10% -10%

✖Il fattore di amplificazione misura l'aumento di potenza di un segnale elettrico mentre passa attraverso un dispositivo. È definito come il rapporto tra l'ampiezza o la potenza di uscita e l'ampiezza di ingresso.ⓘ Fattore di amplificazione per modello MOSFET a piccolo segnale [A_f]

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Fattore di amplificazione per modello MOSFET a piccolo segnale Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Fattore di amplificazione = 1/Percorso libero medio elettronico*sqrt((2*Parametro di transconduttanza di processo)/Assorbimento di corrente)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 4 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Fattore di amplificazione - Il fattore di amplificazione misura l'aumento di potenza di un segnale elettrico mentre passa attraverso un dispositivo. È definito come il rapporto tra l'ampiezza o la potenza di uscita e l'ampiezza di ingresso.
Percorso libero medio elettronico - Electron Mean Free Path che rappresenta la distanza media che un elettrone può percorrere senza disperdersi con impurità, danni o altri ostacoli all'interno del dispositivo a stato solido.
Parametro di transconduttanza di processo - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Percorso libero medio elettronico: 2.78 --> Nessuna conversione richiesta
Parametro di transconduttanza di processo: 2.1 Ampere per Volt Quadrato --> 2.1 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Assorbimento di corrente: 0.08 Millampere --> 8E-05 Ampere (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d) --> 1/2.78*sqrt((2*2.1)/8E-05)

Valutare ... ...

A_f = 82.4204261682705

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

82.4204261682705 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

82.4204261682705 ≈ 82.42043 <-- Fattore di amplificazione

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Analisi di piccoli segnali Calcolatrici

Tensione di uscita del canale P per piccoli segnali

LaTeX Partire Tensione di uscita = Transconduttanza*Sorgente alla tensione di gate*((Resistenza di uscita*Resistenza allo scarico)/(Resistenza allo scarico+Resistenza di uscita))

Guadagno di tensione per piccoli segnali rispetto alla resistenza di drenaggio

LaTeX Partire Guadagno di tensione = (Transconduttanza*((Resistenza di uscita*Resistenza allo scarico)/(Resistenza di uscita+Resistenza allo scarico)))

Transconduttanza dati parametri di segnale piccolo

LaTeX Partire Transconduttanza = 2*Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale)

Tensione di uscita del segnale piccolo

LaTeX Partire Tensione di uscita = Transconduttanza*Sorgente alla tensione di gate*Resistenza al carico

Vedi altro >>

Fattore di amplificazione per modello MOSFET a piccolo segnale Formula

LaTeX Partire

Fattore di amplificazione = 1/Percorso libero medio elettronico*sqrt((2*Parametro di transconduttanza di processo)/Assorbimento di corrente)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)

Qual è l'uso della transconduttanza nei MOSFET?

La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è il valore di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.

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