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Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_A]			+10% -10%
✖Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.ⓘ Fattore di scala [Sf]			+10% -10%

✖La concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo è definita come il numero di atomi accettori dopati nel materiale semiconduttore dopo lo scaling completo del dispositivo a semiconduttore.ⓘ Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa [N_A']

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Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo = Concentrazione dell'accettore*Fattore di scala
N_A' = N_A*Sf
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo è definita come il numero di atomi accettori dopati nel materiale semiconduttore dopo lo scaling completo del dispositivo a semiconduttore.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
Fattore di scala - Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione dell'accettore: 1E+16 1 per centimetro cubo --> 1E+22 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Fattore di scala: 1.5 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_A' = N_A*Sf --> 1E+22*1.5

Valutare ... ...

N_A' = 1.5E+22

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.5E+22 1 per metro cubo -->1.5E+16 1 per centimetro cubo (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1.5E+16 1 per centimetro cubo <-- Concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Concentrazione dell'accettore dopo il VLSI in scala completa Formula

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Concentrazione dell'accettore dopo lo scaling completo = Concentrazione dell'accettore*Fattore di scala
N_A' = N_A*Sf

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