MCM di due numeri

Concentrazione dell'accettore calcolatrice

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Giunzione SSD Banda energetica e portatore di carica Elettroni e buchi Porta semiconduttori

✖La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.ⓘ Carica totale dell'accettore [\|Q\|]			+10% -10%
✖La penetrazione di carica di tipo N si riferisce al fenomeno in cui elettroni aggiuntivi da atomi droganti, tipicamente fosforo o arsenico, penetrano nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore.ⓘ Penetrazione di carica di tipo N [x_no]			+10% -10%
✖L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.ⓘ Zona di giunzione [A_j]			+10% -10%

✖La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di un atomo accettore o drogante che quando viene sostituito in un reticolo semiconduttore forma una regione di tipo p.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_a]

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Formula

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Concentrazione dell'accettore

Formula

N a = \frac{|Q|}{[Charge-e] \cdot x no \cdot A j}

Esempio

7.9E+35 /m³ = \frac{13 C}{[Charge-e] \cdot 0.019 μm \cdot 5401.3 µm²}

Calcolatrice

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Concentrazione dell'accettore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione dell'accettore = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Variabili utilizzate

Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di un atomo accettore o drogante che quando viene sostituito in un reticolo semiconduttore forma una regione di tipo p.
Carica totale dell'accettore - (Misurato in Coulomb) - La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.
Penetrazione di carica di tipo N - (Misurato in Metro) - La penetrazione di carica di tipo N si riferisce al fenomeno in cui elettroni aggiuntivi da atomi droganti, tipicamente fosforo o arsenico, penetrano nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore.
Zona di giunzione - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Carica totale dell'accettore: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Nessuna conversione richiesta
Penetrazione di carica di tipo N: 0.019 Micrometro --> 1.9E-08 Metro (Controlla la conversione qui)
Zona di giunzione: 5401.3 Piazza Micrometro --> 5.4013E-09 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*5.4013E-09)

Valutare ... ...

N_a = 7.90644149770933E+35

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

7.90644149770933E+35 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

7.90644149770933E+35 ≈ 7.9E+35 1 per metro cubo <-- Concentrazione dell'accettore

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Giunzione SSD Calcolatrici

Capacità di giunzione

Partire Capacità di giunzione = (Zona di giunzione/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Offset di lunghezza costante*Concentrazione drogante della base)/(Tensione sorgente-Tensione sorgente 1))

Resistenza in serie nel tipo P

Partire Resistenza in serie nella giunzione P = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione N

Tensione di giunzione

Partire Tensione di giunzione = Tensione sorgente-(Resistenza in serie nella giunzione P+Resistenza in serie nella giunzione N)*Corrente elettrica

Larghezza tipo N

Partire Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])

Vedi altro >>

Concentrazione dell'accettore Formula

Concentrazione dell'accettore = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)

Quali sono le concentrazioni di elettroni e lacune?

La concentrazione di elettroni aumenta quando FE si avvicina alla banda di conduzione. per FE maggiore di v E di diversi kT . Da queste equazioni, la concentrazione di lacune nella banda di valenza è . Pertanto la concentrazione del foro aumenta man mano che FE si avvicina alla banda di valenza.

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