शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस कैलकुलेटर

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस को जीरो बायस जंक्शन कैपेसिटेंस फॉर्मूला को अर्धचालक जंक्शन की अंतर्निहित क्षमता के रूप में परिभाषित किया गया है जब उस पर कोई बाहरी वोल्टेज (पूर्वाग्रह) लागू नहीं होता है। Zero Bias Junction Capacitance = sqrt((सिलिकॉन की पारगम्यता*[Charge-e])/2*((स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता*दाता की डोपिंग एकाग्रता)/(स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता+दाता की डोपिंग एकाग्रता))*1/जंक्शन क्षमता में निर्मित) C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o) के रूप में परिभाषित किया गया है। शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको सिलिकॉन की पारगम्यता (ε_si), स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता (N_A), दाता की डोपिंग एकाग्रता (N_D) & जंक्शन क्षमता में निर्मित (Φ_o) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको सिलिकॉन की पारगम्यता एक भौतिक गुण है जो बताता है कि कोई सामग्री विद्युत क्षेत्र पर कैसे प्रतिक्रिया करती है।, स्वीकर्ता की डोपिंग सांद्रता से तात्पर्य अर्धचालक सामग्री में जानबूझकर जोड़े गए स्वीकर्ता परमाणुओं की सांद्रता से है।, दाता की डोपिंग सांद्रता से तात्पर्य अर्धचालक सामग्री में जानबूझकर जोड़े गए दाता परमाणुओं की सांद्रता से है। & बिल्ट-इन जंक्शन पोटेंशियल उस संभावित अंतर या वोल्टेज को संदर्भित करता है जो अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद होता है जब यह बाहरी वोल्टेज स्रोत से जुड़ा नहीं होता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।