तीन संख्या का एचसीएफ

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज कैलकुलेटर

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✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_th]			+10% -10%
✖MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।ⓘ प्रभावी वोल्टेज [V_eff]			+10% -10%

✖गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।ⓘ ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज [V_gs]

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ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

गेट-स्रोत वोल्टेज = सीमा वोल्टेज+1.4*प्रभावी वोल्टेज
V_gs = V_th+1.4*V_eff
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

गेट-स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।
प्रभावी वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

सीमा वोल्टेज: 2.3 वोल्ट --> 2.3 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
प्रभावी वोल्टेज: 1.7 वोल्ट --> 1.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

V_gs = V_th+1.4*V_eff --> 2.3+1.4*1.7

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

V_gs = 4.68

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

4.68 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

4.68 वोल्ट <-- गेट-स्रोत वोल्टेज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित अंशिका आर्य

राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान (एनआईटी), हमीरपुर

अंशिका आर्य ने इस कैलकुलेटर और 2500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< वोल्टेज कैलक्युलेटर्स

MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

LaTeX जाओ नाली वोल्टेज Q1 = -आउटपुट प्रतिरोध*(transconductance*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल)/(1+(2*transconductance*आउटपुट प्रतिरोध))

MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

LaTeX जाओ नाली वोल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिरोध/((1/transconductance)+2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज

LaTeX जाओ नाली वोल्टेज Q1 = -(आउटपुट प्रतिरोध*कुल वर्तमान)

MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज

LaTeX जाओ नाली वोल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिरोध*कुल वर्तमान)

और देखें >>

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज सूत्र

LaTeX जाओ

गेट-स्रोत वोल्टेज = सीमा वोल्टेज+1.4*प्रभावी वोल्टेज
V_gs = V_th+1.4*V_eff

अंतर इनपुट वोल्टेज क्या है?

विभेदक इनपुट वोल्टेज अधिकतम वोल्टेज है जिसे इनपुट (नॉन-इनवर्टिंग इनपुट) और -इन्पुट (इनवर्टिंग इनपुट) पिन को नुकसान या अपमानजनक आईसी विशेषताओं के बिना आपूर्ति की जा सकती है।

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज की गणना कैसे करें?

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया सीमा वोल्टेज (V_th), थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के रूप में & प्रभावी वोल्टेज (V_eff), MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के रूप में डालें। कृपया ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज गणना

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज कैलकुलेटर, गेट-स्रोत वोल्टेज की गणना करने के लिए Gate-Source Voltage = सीमा वोल्टेज+1.4*प्रभावी वोल्टेज का उपयोग करता है। ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज V_gs को ओवरड्राइव वोल्टेज फॉर्मूला दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर गेट से एमओएसएफईटी के स्रोत के वोल्टेज को वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है, इसका मतलब है कि अपने टर्मिनलों को एक सर्किट से जोड़कर, वे आम तौर पर करंट का संचालन करेंगे। आधार को प्रदान किए गए किसी भी वोल्टेज के बिना स्रोत से नाली। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 4.68 = 2.3+1.4*1.7. आप और अधिक ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज क्या है?

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज ओवरड्राइव वोल्टेज फॉर्मूला दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर गेट से एमओएसएफईटी के स्रोत के वोल्टेज को वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है, इसका मतलब है कि अपने टर्मिनलों को एक सर्किट से जोड़कर, वे आम तौर पर करंट का संचालन करेंगे। आधार को प्रदान किए गए किसी भी वोल्टेज के बिना स्रोत से नाली। है और इसे V_gs = V_th+1.4*V_eff या Gate-Source Voltage = सीमा वोल्टेज+1.4*प्रभावी वोल्टेज के रूप में दर्शाया जाता है।

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज की गणना कैसे करें?

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज को ओवरड्राइव वोल्टेज फॉर्मूला दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर गेट से एमओएसएफईटी के स्रोत के वोल्टेज को वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है, इसका मतलब है कि अपने टर्मिनलों को एक सर्किट से जोड़कर, वे आम तौर पर करंट का संचालन करेंगे। आधार को प्रदान किए गए किसी भी वोल्टेज के बिना स्रोत से नाली। Gate-Source Voltage = सीमा वोल्टेज+1.4*प्रभावी वोल्टेज V_gs = V_th+1.4*V_eff के रूप में परिभाषित किया गया है। ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज की गणना करने के लिए, आपको सीमा वोल्टेज (V_th) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। & MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

गेट-स्रोत वोल्टेज की गणना करने के कितने तरीके हैं?

गेट-स्रोत वोल्टेज सीमा वोल्टेज (V_th) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 2 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

गेट-स्रोत वोल्टेज = सीमा वोल्टेज+sqrt((2*डीसी बायस करंट)/(प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात))
गेट-स्रोत वोल्टेज = आगत बहाव/(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

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