सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
थर्मल वोल्टेज = अंतर्निहित क्षमता/ln((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता^2))
Vt = ψo/ln((Na*Nd)/(ni^2))
यह सूत्र 1 कार्यों, 5 वेरिएबल का उपयोग करता है
उपयोग किए गए कार्य
ln - प्राकृतिक लघुगणक, जिसे आधार e का लघुगणक भी कहा जाता है, प्राकृतिक घातांकीय फलन का व्युत्क्रम फलन है।, ln(Number)
चर
थर्मल वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थर्मल वोल्टेज पीएन जंक्शन के भीतर उत्पन्न वोल्टेज है।
अंतर्निहित क्षमता - (में मापा गया वोल्ट) - MOSFET के अंदर अंतर्निहित क्षमता संभावित है।
स्वीकर्ता एकाग्रता - (में मापा गया 1 प्रति घन मीटर) - स्वीकर्ता एकाग्रता स्वीकर्ता अवस्था में छिद्रों की सांद्रता है।
दाता एकाग्रता - (में मापा गया 1 प्रति घन मीटर) - दाता सांद्रता दाता अवस्था में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता है।
आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता - आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता को चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों की संख्या या आंतरिक सामग्री में वैलेंस बैंड में छिद्रों की संख्या के रूप में परिभाषित किया गया है।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
अंतर्निहित क्षमता: 18.8 वोल्ट --> 18.8 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
स्वीकर्ता एकाग्रता: 1100 1 प्रति घन मीटर --> 1100 1 प्रति घन मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
दाता एकाग्रता: 190000000000000 1 प्रति घन मीटर --> 190000000000000 1 प्रति घन मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता: 17 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
Vt = ψo/ln((Na*Nd)/(ni^2)) --> 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2))
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
Vt = 0.549471683639064
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
0.549471683639064 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आख़री जवाब
0.549471683639064 0.549472 वोल्ट <-- थर्मल वोल्टेज
(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

क्रेडिट

Creator Image
के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट
शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
Verifier Image
के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़
विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

सीएमओएस डिज़ाइन विशेषताएँ कैलक्युलेटर्स

अंतर्निहित क्षमता
​ LaTeX ​ जाओ अंतर्निहित क्षमता = थर्मल वोल्टेज*ln((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता^2))
फ्रीक्वेंसी क्लॉक में बदलाव
​ LaTeX ​ जाओ घड़ी की आवृत्ति में परिवर्तन = वीसीओ लाभ*वीसीओ नियंत्रण वोल्टेज
संकरा ओनपाथ
​ LaTeX ​ जाओ कैपेसिटेंस ऑनपाथ = चरण में कुल धारिता-कैपेसिटेंस ऑफपाथ
स्थैतिक वर्तमान
​ LaTeX ​ जाओ स्थैतिक धारा = स्थैतिक शक्ति/बेस कलेक्टर वोल्टेज

सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज सूत्र

​LaTeX ​जाओ
थर्मल वोल्टेज = अंतर्निहित क्षमता/ln((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता^2))
Vt = ψo/ln((Na*Nd)/(ni^2))

ड्राइव क्या है?

डिजिटल इलेक्ट्रॉनिक्स में "ड्राइव" एक लॉजिक गेट या सर्किट की उसके आउटपुट में करंट पहुंचाने की क्षमता को संदर्भित करता है, जो लॉजिक स्तरों के बीच आउटपुट वोल्टेज संक्रमण को कितनी तेजी से प्रभावित करता है और डिजिटल सिस्टम के समग्र प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।

सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज की गणना कैसे करें?

सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया अंतर्निहित क्षमता (ψo), MOSFET के अंदर अंतर्निहित क्षमता संभावित है। के रूप में, स्वीकर्ता एकाग्रता (Na), स्वीकर्ता एकाग्रता स्वीकर्ता अवस्था में छिद्रों की सांद्रता है। के रूप में, दाता एकाग्रता (Nd), दाता सांद्रता दाता अवस्था में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता है। के रूप में & आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता (ni), आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता को चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों की संख्या या आंतरिक सामग्री में वैलेंस बैंड में छिद्रों की संख्या के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में डालें। कृपया सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज गणना

सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज कैलकुलेटर, थर्मल वोल्टेज की गणना करने के लिए Thermal Voltage = अंतर्निहित क्षमता/ln((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता^2)) का उपयोग करता है। सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज Vt को CMOS का थर्मल वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच तापमान के अंतर के कारण MOSFET डिवाइस पर उत्पन्न वोल्टेज है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.549472 = 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2)). आप और अधिक सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज क्या है?
सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज CMOS का थर्मल वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच तापमान के अंतर के कारण MOSFET डिवाइस पर उत्पन्न वोल्टेज है। है और इसे Vt = ψo/ln((Na*Nd)/(ni^2)) या Thermal Voltage = अंतर्निहित क्षमता/ln((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता^2)) के रूप में दर्शाया जाता है।
सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज की गणना कैसे करें?
सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज को CMOS का थर्मल वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच तापमान के अंतर के कारण MOSFET डिवाइस पर उत्पन्न वोल्टेज है। Thermal Voltage = अंतर्निहित क्षमता/ln((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता^2)) Vt = ψo/ln((Na*Nd)/(ni^2)) के रूप में परिभाषित किया गया है। सीएमओएस का थर्मल वोल्टेज की गणना करने के लिए, आपको अंतर्निहित क्षमता o), स्वीकर्ता एकाग्रता (Na), दाता एकाग्रता (Nd) & आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता (ni) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको MOSFET के अंदर अंतर्निहित क्षमता संभावित है।, स्वीकर्ता एकाग्रता स्वीकर्ता अवस्था में छिद्रों की सांद्रता है।, दाता सांद्रता दाता अवस्था में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता है। & आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता को चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों की संख्या या आंतरिक सामग्री में वैलेंस बैंड में छिद्रों की संख्या के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
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