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✖स्रोत बॉडी संभावित अंतर की गणना तब की जाती है जब बाहरी रूप से लागू क्षमता ऑक्साइड परत में वोल्टेज ड्रॉप और अर्धचालक में वोल्टेज ड्रॉप के योग के बराबर होती है।ⓘ स्रोत शारीरिक संभावित अंतर [V_sb]			+10% -10%
✖एक सेमीओएस डिवाइस में डीआईबीएल गुणांक आमतौर पर 0.1 के क्रम पर दर्शाया जाता है।ⓘ डीआईबीएल गुणांक [η]			+10% -10%

✖सब थ्रेशोल्ड स्लोप MOSFET की वर्तमान-वोल्टेज विशेषता की एक विशेषता है।ⓘ सबथ्रेशोल्ड ढलान [S]

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सबथ्रेशोल्ड ढलान उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

उप दहलीज ढलान = स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*डीआईबीएल गुणांक*ln(10)
S = V_sb*η*ln(10)
यह सूत्र 1 कार्यों, 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

उपयोग किए गए कार्य

ln - प्राकृतिक लघुगणक, जिसे आधार e का लघुगणक भी कहा जाता है, प्राकृतिक घातांकीय फलन का व्युत्क्रम फलन है।, ln(Number)

चर

उप दहलीज ढलान - सब थ्रेशोल्ड स्लोप MOSFET की वर्तमान-वोल्टेज विशेषता की एक विशेषता है।
स्रोत शारीरिक संभावित अंतर - (में मापा गया वोल्ट) - स्रोत बॉडी संभावित अंतर की गणना तब की जाती है जब बाहरी रूप से लागू क्षमता ऑक्साइड परत में वोल्टेज ड्रॉप और अर्धचालक में वोल्टेज ड्रॉप के योग के बराबर होती है।
डीआईबीएल गुणांक - एक सेमीओएस डिवाइस में डीआईबीएल गुणांक आमतौर पर 0.1 के क्रम पर दर्शाया जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

स्रोत शारीरिक संभावित अंतर: 1.36 वोल्ट --> 1.36 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
डीआईबीएल गुणांक: 0.2 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

S = V_sb*η*ln(10) --> 1.36*0.2*ln(10)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

S = 0.626303145294381

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.626303145294381 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

0.626303145294381 ≈ 0.626303 <-- उप दहलीज ढलान

(गणना 00.021 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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शारीरिक प्रभाव गुणांक

LaTeX जाओ शारीरिक प्रभाव गुणांक = modulus((सीमा वोल्टेज-दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल)/(sqrt(सतही क्षमता+(स्रोत शारीरिक संभावित अंतर))-sqrt(सतही क्षमता)))

डीआईबीएल गुणांक

LaTeX जाओ डीआईबीएल गुणांक = (दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल-सीमा वोल्टेज)/स्रोत क्षमता के लिए नाली

चैनल चार्ज

LaTeX जाओ चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

गंभीर वोल्टेज

LaTeX जाओ गंभीर वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*चैनल की लंबाई के पार विद्युत क्षेत्र

और देखें >>

सबथ्रेशोल्ड ढलान सूत्र

LaTeX जाओ

उप दहलीज ढलान = स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*डीआईबीएल गुणांक*ln(10)
S = V_sb*η*ln(10)

सबथ्रेशोल्ड ढलान क्या दर्शाता है?

सबथ्रेशोल्ड ढलान इंगित करता है कि परिमाण के क्रम से लीकेज करंट को कम करने के लिए गेट वोल्टेज को कितना कम करना चाहिए। कमरे के तापमान पर एक विशिष्ट मूल्य 100 एमवी/दशक है।

सबथ्रेशोल्ड ढलान की गणना कैसे करें?

सबथ्रेशोल्ड ढलान के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया स्रोत शारीरिक संभावित अंतर (V_sb), स्रोत बॉडी संभावित अंतर की गणना तब की जाती है जब बाहरी रूप से लागू क्षमता ऑक्साइड परत में वोल्टेज ड्रॉप और अर्धचालक में वोल्टेज ड्रॉप के योग के बराबर होती है। के रूप में & डीआईबीएल गुणांक (η), एक सेमीओएस डिवाइस में डीआईबीएल गुणांक आमतौर पर 0.1 के क्रम पर दर्शाया जाता है। के रूप में डालें। कृपया सबथ्रेशोल्ड ढलान गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

सबथ्रेशोल्ड ढलान गणना

सबथ्रेशोल्ड ढलान कैलकुलेटर, उप दहलीज ढलान की गणना करने के लिए Sub Threshold Slope = स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*डीआईबीएल गुणांक*ln(10) का उपयोग करता है। सबथ्रेशोल्ड ढलान S को सबथ्रेशोल्ड स्लोप फॉर्मूला को MOSFET की करंट-वोल्टेज विशेषता की विशेषता के रूप में परिभाषित किया गया है। सबथ्रेशोल्ड क्षेत्र में, ड्रेन करंट व्यवहार, हालांकि गेट टर्मिनल द्वारा नियंत्रित किया जा रहा है, एक फॉरवर्ड बायस्ड डायोड के घातीय रूप से घटते करंट के समान है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ सबथ्रेशोल्ड ढलान गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 4.91648 = 1.36*0.2*ln(10). आप और अधिक सबथ्रेशोल्ड ढलान उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

सबथ्रेशोल्ड ढलान क्या है?

सबथ्रेशोल्ड ढलान सबथ्रेशोल्ड स्लोप फॉर्मूला को MOSFET की करंट-वोल्टेज विशेषता की विशेषता के रूप में परिभाषित किया गया है। सबथ्रेशोल्ड क्षेत्र में, ड्रेन करंट व्यवहार, हालांकि गेट टर्मिनल द्वारा नियंत्रित किया जा रहा है, एक फॉरवर्ड बायस्ड डायोड के घातीय रूप से घटते करंट के समान है। है और इसे S = V_sb*η*ln(10) या Sub Threshold Slope = स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*डीआईबीएल गुणांक*ln(10) के रूप में दर्शाया जाता है।

सबथ्रेशोल्ड ढलान की गणना कैसे करें?

सबथ्रेशोल्ड ढलान को सबथ्रेशोल्ड स्लोप फॉर्मूला को MOSFET की करंट-वोल्टेज विशेषता की विशेषता के रूप में परिभाषित किया गया है। सबथ्रेशोल्ड क्षेत्र में, ड्रेन करंट व्यवहार, हालांकि गेट टर्मिनल द्वारा नियंत्रित किया जा रहा है, एक फॉरवर्ड बायस्ड डायोड के घातीय रूप से घटते करंट के समान है। Sub Threshold Slope = स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*डीआईबीएल गुणांक*ln(10) S = V_sb*η*ln(10) के रूप में परिभाषित किया गया है। सबथ्रेशोल्ड ढलान की गणना करने के लिए, आपको स्रोत शारीरिक संभावित अंतर (V_sb) & डीआईबीएल गुणांक (η) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको स्रोत बॉडी संभावित अंतर की गणना तब की जाती है जब बाहरी रूप से लागू क्षमता ऑक्साइड परत में वोल्टेज ड्रॉप और अर्धचालक में वोल्टेज ड्रॉप के योग के बराबर होती है। & एक सेमीओएस डिवाइस में डीआईबीएल गुणांक आमतौर पर 0.1 के क्रम पर दर्शाया जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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