स्रोत प्रसार की साइडवॉल परिधि कैलकुलेटर

स्रोत प्रसार की साइडवॉल परिधि को स्रोत प्रसार सूत्र के सिडवेल परिधि को स्रोत प्रसार के परिधि के रूप में परिभाषित किया गया है जिसमें गेट के नीचे किनारे शामिल नहीं हैं। Sidewall Perimeter of Source Diffusion = (2*संक्रमण चौड़ाई)+(2*स्रोत की लंबाई) P_s = (2*W)+(2*D_s) के रूप में परिभाषित किया गया है। स्रोत प्रसार की साइडवॉल परिधि की गणना करने के लिए, आपको संक्रमण चौड़ाई (W) & स्रोत की लंबाई (D_s) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको संक्रमण चौड़ाई को नाली-से-स्रोत वोल्टेज बढ़ने पर चौड़ाई में वृद्धि के रूप में परिभाषित किया गया है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रायोड क्षेत्र संतृप्ति क्षेत्र में परिवर्तित हो जाता है। & स्रोत की लंबाई को MOSFET के स्रोत जंक्शन पर देखी गई कुल लंबाई के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।