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✖ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ transconductance [g_m]			+10% -10%
✖गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।ⓘ गेट-स्रोत वोल्टेज [V_gs]			+10% -10%

✖आउटपुट करंट वह विद्युत प्रवाह है जो डिवाइस के आउटपुट टर्मिनल से प्रवाहित होता है। यह समय की प्रति यूनिट आउटपुट से गुजरने वाले विद्युत आवेश की मात्रा है।ⓘ MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट [I_out]

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MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

आउटपुट करेंट = transconductance*गेट-स्रोत वोल्टेज
I_out = g_m*V_gs
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

आउटपुट करेंट - (में मापा गया एम्पेयर) - आउटपुट करंट वह विद्युत प्रवाह है जो डिवाइस के आउटपुट टर्मिनल से प्रवाहित होता है। यह समय की प्रति यूनिट आउटपुट से गुजरने वाले विद्युत आवेश की मात्रा है।
transconductance - (में मापा गया सीमेंस) - ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।
गेट-स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

transconductance: 0.5 मिलिसिएमेंस --> 0.0005 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
गेट-स्रोत वोल्टेज: 4 वोल्ट --> 4 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

I_out = g_m*V_gs --> 0.0005*4

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

I_out = 0.002

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.002 एम्पेयर --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

0.002 एम्पेयर <-- आउटपुट करेंट

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » मौजूदा » MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित अंशिका आर्य

राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान (एनआईटी), हमीरपुर

अंशिका आर्य ने इस कैलकुलेटर और 2500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< मौजूदा कैलक्युलेटर्स

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का दूसरा ड्रेन करंट

LaTeX जाओ जल निकासी धारा 2 = डीसी बायस करंट/2-डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-(विभेदक इनपुट सिग्नल)^2/(4*ओवरड्राइव वोल्टेज^2))

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट

LaTeX जाओ नाली वर्तमान 1 = डीसी बायस करंट/2+डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओवरड्राइव वोल्टेज^2))

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए जाने पर बड़े-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट

LaTeX जाओ नाली वर्तमान 1 = डीसी बायस करंट/2+डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए जाने पर बड़े-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का ड्रेन करंट

LaTeX जाओ जल निकासी धारा = (डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज)*(विभेदक इनपुट सिग्नल/2)

और देखें >>

MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट सूत्र

LaTeX जाओ

आउटपुट करेंट = transconductance*गेट-स्रोत वोल्टेज
I_out = g_m*V_gs

शॉर्ट सर्किट से आप MOSFET की सुरक्षा कैसे करते हैं?

आंतरिक प्रतिरोध के पार वोल्टेज को एक साधारण तुलनित्र या यहां तक कि एक ट्रांजिस्टर का उपयोग करके महसूस किया जा सकता है, जो लगभग 0.5V के वोल्टेज पर स्विच करता है। आप इस प्रकार एक भावना रोकनेवाला (शंट) के उपयोग से बच सकते हैं, जो आमतौर पर एक अवांछनीय अतिरिक्त वोल्टेज ड्रॉप का उत्पादन करता है। तुलनित्र की निगरानी एक माइक्रोकंट्रोलर द्वारा की जा सकती है।

MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट की गणना कैसे करें?

MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया transconductance (g_m), ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में & गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs), गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। के रूप में डालें। कृपया MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट गणना

MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट कैलकुलेटर, आउटपुट करेंट की गणना करने के लिए Output Current = transconductance*गेट-स्रोत वोल्टेज का उपयोग करता है। MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट I_out को MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट वह करंट होता है जब MOSFET का अधिकतम ऑपरेटिंग वोल्टेज पार हो जाता है, यह हिमस्खलन टूटने में चला जाता है। यदि क्षणिक ओवर-वोल्टेज में निहित ऊर्जा रेटेड हिमस्खलन ऊर्जा स्तर से ऊपर है, तो MOSFET विफल हो जाएगा। डिवाइस शॉर्ट सर्किट विफल हो जाता है, शुरू में, बाहरी रूप से दिखाई देने वाले संकेतों के साथ। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.002 = 0.0005*4. आप और अधिक MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट क्या है?

MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट वह करंट होता है जब MOSFET का अधिकतम ऑपरेटिंग वोल्टेज पार हो जाता है, यह हिमस्खलन टूटने में चला जाता है। यदि क्षणिक ओवर-वोल्टेज में निहित ऊर्जा रेटेड हिमस्खलन ऊर्जा स्तर से ऊपर है, तो MOSFET विफल हो जाएगा। डिवाइस शॉर्ट सर्किट विफल हो जाता है, शुरू में, बाहरी रूप से दिखाई देने वाले संकेतों के साथ। है और इसे I_out = g_m*V_gs या Output Current = transconductance*गेट-स्रोत वोल्टेज के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट की गणना कैसे करें?

MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट को MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट वह करंट होता है जब MOSFET का अधिकतम ऑपरेटिंग वोल्टेज पार हो जाता है, यह हिमस्खलन टूटने में चला जाता है। यदि क्षणिक ओवर-वोल्टेज में निहित ऊर्जा रेटेड हिमस्खलन ऊर्जा स्तर से ऊपर है, तो MOSFET विफल हो जाएगा। डिवाइस शॉर्ट सर्किट विफल हो जाता है, शुरू में, बाहरी रूप से दिखाई देने वाले संकेतों के साथ। Output Current = transconductance*गेट-स्रोत वोल्टेज I_out = g_m*V_gs के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट की गणना करने के लिए, आपको transconductance (g_m) & गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। & गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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