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✖समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या सर्किट में समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या को संदर्भित करती है।ⓘ समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या [n]			+10% -10%
✖MOSFET में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि इलेक्ट्रॉन कितनी आसानी से चैनल के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं, किसी दिए गए वोल्टेज के लिए वर्तमान प्रवाह को सीधे प्रभावित कर सकते हैं।ⓘ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता [μ_n]			+10% -10%
✖ऑक्साइड धारिता, धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (MOS) संरचना, जैसे MOSFETs में, इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत से जुड़ी धारिता को संदर्भित करती है।ⓘ ऑक्साइड धारिता [C_ox]			+10% -10%
✖चैनल की चौड़ाई MOSFET के भीतर प्रवाहकीय चैनल की चौड़ाई का प्रतिनिधित्व करती है, जो सीधे उसके द्वारा संभाले जा सकने वाले करंट की मात्रा को प्रभावित करती है।ⓘ चैनल की चौड़ाई [W]			+10% -10%
✖MOSFET में चैनल की लंबाई स्रोत और नाली क्षेत्रों के बीच की दूरी है, जो यह निर्धारित करती है कि धारा कितनी आसानी से बहती है और ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को प्रभावित करती है।ⓘ चैनल की लंबाई [L]			+10% -10%
✖गेट सोर्स वोल्टेज MOSFET के गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच लगाया जाने वाला वोल्टेज है।ⓘ गेट स्रोत वोल्टेज [V_GS]			+10% -10%
✖थ्रेसहोल्ड वोल्टेज एक MOSFET में इसे "चालू" करने और एक महत्वपूर्ण धारा प्रवाहित करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज है।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_T]			+10% -10%

✖संतृप्ति क्षेत्र पुल डाउन करंट प्रतिरोधक के माध्यम से प्रवाहित होने वाली धारा है, जब संतृप्ति मोड में एन-चैनल एमओएसएफईटी के साथ पुल-डाउन अवरोधक का उपयोग किया जाता है।ⓘ संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें [I_D(sat)]

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संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

संतृप्ति क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2)
I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2)
यह सूत्र 1 कार्यों, 8 वेरिएबल का उपयोग करता है

उपयोग किए गए कार्य

sum - योग या सिग्मा (∑) संकेतन एक विधि है जिसका उपयोग किसी लम्बे योग को संक्षिप्त रूप में लिखने के लिए किया जाता है।, sum(i, from, to, expr)

चर

संतृप्ति क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है - (में मापा गया एम्पेयर) - संतृप्ति क्षेत्र पुल डाउन करंट प्रतिरोधक के माध्यम से प्रवाहित होने वाली धारा है, जब संतृप्ति मोड में एन-चैनल एमओएसएफईटी के साथ पुल-डाउन अवरोधक का उपयोग किया जाता है।
समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या - समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या सर्किट में समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या को संदर्भित करती है।
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - MOSFET में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि इलेक्ट्रॉन कितनी आसानी से चैनल के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं, किसी दिए गए वोल्टेज के लिए वर्तमान प्रवाह को सीधे प्रभावित कर सकते हैं।
ऑक्साइड धारिता - (में मापा गया फैरड) - ऑक्साइड धारिता, धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (MOS) संरचना, जैसे MOSFETs में, इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत से जुड़ी धारिता को संदर्भित करती है।
चैनल की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की चौड़ाई MOSFET के भीतर प्रवाहकीय चैनल की चौड़ाई का प्रतिनिधित्व करती है, जो सीधे उसके द्वारा संभाले जा सकने वाले करंट की मात्रा को प्रभावित करती है।
चैनल की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - MOSFET में चैनल की लंबाई स्रोत और नाली क्षेत्रों के बीच की दूरी है, जो यह निर्धारित करती है कि धारा कितनी आसानी से बहती है और ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को प्रभावित करती है।
गेट स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट सोर्स वोल्टेज MOSFET के गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच लगाया जाने वाला वोल्टेज है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेसहोल्ड वोल्टेज एक MOSFET में इसे "चालू" करने और एक महत्वपूर्ण धारा प्रवाहित करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या: 11 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: 9.92 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 9.92 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
ऑक्साइड धारिता: 3.9 फैरड --> 3.9 फैरड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चैनल की चौड़ाई: 2.678 मीटर --> 2.678 मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चैनल की लंबाई: 3.45 मीटर --> 3.45 मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
गेट स्रोत वोल्टेज: 29.65 वोल्ट --> 29.65 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 5.91 वोल्ट --> 5.91 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

I_D(sat) = 101550.118939559

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

101550.118939559 एम्पेयर --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

101550.118939559 ≈ 101550.1 एम्पेयर <-- संतृप्ति क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई विग्नेश नायडू

वेल्लोर इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (विटामिन), वेल्लोर, तमिलनाडु

विग्नेश नायडू ने इस कैलकुलेटर और 10+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित दीपांजोना मलिक

हेरिटेज इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (हिटके), कोलकाता

दीपांजोना मलिक ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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पी प्रकार के लिए फर्मी क्षमता

LaTeX जाओ पी प्रकार के लिए फर्मी क्षमता = ([BoltZ]*निरपेक्ष तापमान)/[Charge-e]*ln(आंतरिक वाहक एकाग्रता/स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)

समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता

LaTeX जाओ समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता = साइडवॉल की परिधि*साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस*साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस

LaTeX जाओ साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस = शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता*साइडवॉल की गहराई

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संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें की गणना कैसे करें?

संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या (n), समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या सर्किट में समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या को संदर्भित करती है। के रूप में, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n), MOSFET में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि इलेक्ट्रॉन कितनी आसानी से चैनल के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं, किसी दिए गए वोल्टेज के लिए वर्तमान प्रवाह को सीधे प्रभावित कर सकते हैं। के रूप में, ऑक्साइड धारिता (C_ox), ऑक्साइड धारिता, धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (MOS) संरचना, जैसे MOSFETs में, इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत से जुड़ी धारिता को संदर्भित करती है। के रूप में, चैनल की चौड़ाई (W), चैनल की चौड़ाई MOSFET के भीतर प्रवाहकीय चैनल की चौड़ाई का प्रतिनिधित्व करती है, जो सीधे उसके द्वारा संभाले जा सकने वाले करंट की मात्रा को प्रभावित करती है। के रूप में, चैनल की लंबाई (L), MOSFET में चैनल की लंबाई स्रोत और नाली क्षेत्रों के बीच की दूरी है, जो यह निर्धारित करती है कि धारा कितनी आसानी से बहती है और ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को प्रभावित करती है। के रूप में, गेट स्रोत वोल्टेज (V_GS), गेट सोर्स वोल्टेज MOSFET के गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच लगाया जाने वाला वोल्टेज है। के रूप में & सीमा वोल्टेज (V_T), थ्रेसहोल्ड वोल्टेज एक MOSFET में इसे "चालू" करने और एक महत्वपूर्ण धारा प्रवाहित करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज है। के रूप में डालें। कृपया संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें गणना

संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें कैलकुलेटर, संतृप्ति क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है की गणना करने के लिए Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2) का उपयोग करता है। संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें I_D(sat) को संतृप्ति क्षेत्र में पुल डाउन करंट को रेसिस्टर के माध्यम से करंट के रूप में परिभाषित किया जाता है, जब संतृप्ति मोड में एन-चैनल एमओएसएफईटी के साथ पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग किया जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 101550.1 = sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2). आप और अधिक संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें क्या है?

संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें संतृप्ति क्षेत्र में पुल डाउन करंट को रेसिस्टर के माध्यम से करंट के रूप में परिभाषित किया जाता है, जब संतृप्ति मोड में एन-चैनल एमओएसएफईटी के साथ पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग किया जाता है। है और इसे I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2) या Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2) के रूप में दर्शाया जाता है।

संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें की गणना कैसे करें?

संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें को संतृप्ति क्षेत्र में पुल डाउन करंट को रेसिस्टर के माध्यम से करंट के रूप में परिभाषित किया जाता है, जब संतृप्ति मोड में एन-चैनल एमओएसएफईटी के साथ पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग किया जाता है। Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2) I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2) के रूप में परिभाषित किया गया है। संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें की गणना करने के लिए, आपको समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या (n), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n), ऑक्साइड धारिता (C_ox), चैनल की चौड़ाई (W), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (V_GS) & सीमा वोल्टेज (V_T) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या सर्किट में समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या को संदर्भित करती है।, MOSFET में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि इलेक्ट्रॉन कितनी आसानी से चैनल के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं, किसी दिए गए वोल्टेज के लिए वर्तमान प्रवाह को सीधे प्रभावित कर सकते हैं।, ऑक्साइड धारिता, धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (MOS) संरचना, जैसे MOSFETs में, इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत से जुड़ी धारिता को संदर्भित करती है।, चैनल की चौड़ाई MOSFET के भीतर प्रवाहकीय चैनल की चौड़ाई का प्रतिनिधित्व करती है, जो सीधे उसके द्वारा संभाले जा सकने वाले करंट की मात्रा को प्रभावित करती है।, MOSFET में चैनल की लंबाई स्रोत और नाली क्षेत्रों के बीच की दूरी है, जो यह निर्धारित करती है कि धारा कितनी आसानी से बहती है और ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को प्रभावित करती है।, गेट सोर्स वोल्टेज MOSFET के गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच लगाया जाने वाला वोल्टेज है। & थ्रेसहोल्ड वोल्टेज एक MOSFET में इसे "चालू" करने और एक महत्वपूर्ण धारा प्रवाहित करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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