कैलक्यूलेटर ए टू ज़ेड

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें कैलकुलेटर

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✖समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या सर्किट में समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या को संदर्भित करती है।ⓘ समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या [n]
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✖MOSFET में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि इलेक्ट्रॉन कितनी आसानी से चैनल के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं, किसी दिए गए वोल्टेज के लिए वर्तमान प्रवाह को सीधे प्रभावित कर सकते हैं।ⓘ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता [μn]
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✖ऑक्साइड धारिता, धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (MOS) संरचना, जैसे MOSFETs में, इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत से जुड़ी धारिता को संदर्भित करती है।ⓘ ऑक्साइड धारिता [Cox]
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✖चैनल की चौड़ाई MOSFET के भीतर प्रवाहकीय चैनल की चौड़ाई का प्रतिनिधित्व करती है, जो सीधे उसके द्वारा संभाले जा सकने वाले करंट की मात्रा को प्रभावित करती है।ⓘ चैनल की चौड़ाई [W]
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✖MOSFET में चैनल की लंबाई स्रोत और नाली क्षेत्रों के बीच की दूरी है, जो यह निर्धारित करती है कि धारा कितनी आसानी से बहती है और ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को प्रभावित करती है।ⓘ चैनल की लंबाई [L]
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✖गेट सोर्स वोल्टेज MOSFET के गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच लगाया जाने वाला वोल्टेज है।ⓘ गेट स्रोत वोल्टेज [VGS]
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✖थ्रेसहोल्ड वोल्टेज एक MOSFET में इसे "चालू" करने और एक महत्वपूर्ण धारा प्रवाहित करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज है।ⓘ सीमा वोल्टेज [VT]
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✖पुल-डाउन अवरोधक, वी के साथ एन-चैनल एमओएसएफईटी सर्किट में आउटपुट वोल्टेजⓘ आउटपुट वोल्टेज [Vout]
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✖लीनियर रीजन पुल डाउन करंट रेसिस्टर के माध्यम से करंट होता है, जब एक पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग रैखिक मोड में एन-चैनल एमओएसएफईटी के साथ किया जाता है।ⓘ रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें [ID(linear)]
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रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(2*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*आउटपुट वोल्टेज-आउटपुट वोल्टेज^2))
ID(linear) = sum(x,0,n,(μn*Cox/2)*(W/L)*(2*(VGS-VT)*Vout-Vout^2))
यह सूत्र 1 कार्यों, 9 वेरिएबल का उपयोग करता है
उपयोग किए गए कार्य
sum - योग या सिग्मा (∑) संकेतन एक विधि है जिसका उपयोग किसी लम्बे योग को संक्षिप्त रूप में लिखने के लिए किया जाता है।, sum(i, from, to, expr)
चर
रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है - (में मापा गया एम्पेयर) - लीनियर रीजन पुल डाउन करंट रेसिस्टर के माध्यम से करंट होता है, जब एक पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग रैखिक मोड में एन-चैनल एमओएसएफईटी के साथ किया जाता है।
समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या - समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या सर्किट में समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या को संदर्भित करती है।
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - MOSFET में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि इलेक्ट्रॉन कितनी आसानी से चैनल के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं, किसी दिए गए वोल्टेज के लिए वर्तमान प्रवाह को सीधे प्रभावित कर सकते हैं।
ऑक्साइड धारिता - (में मापा गया फैरड) - ऑक्साइड धारिता, धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (MOS) संरचना, जैसे MOSFETs में, इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत से जुड़ी धारिता को संदर्भित करती है।
चैनल की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की चौड़ाई MOSFET के भीतर प्रवाहकीय चैनल की चौड़ाई का प्रतिनिधित्व करती है, जो सीधे उसके द्वारा संभाले जा सकने वाले करंट की मात्रा को प्रभावित करती है।
चैनल की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - MOSFET में चैनल की लंबाई स्रोत और नाली क्षेत्रों के बीच की दूरी है, जो यह निर्धारित करती है कि धारा कितनी आसानी से बहती है और ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को प्रभावित करती है।
गेट स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट सोर्स वोल्टेज MOSFET के गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच लगाया जाने वाला वोल्टेज है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेसहोल्ड वोल्टेज एक MOSFET में इसे "चालू" करने और एक महत्वपूर्ण धारा प्रवाहित करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज है।
आउटपुट वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - पुल-डाउन अवरोधक, वी के साथ एन-चैनल एमओएसएफईटी सर्किट में आउटपुट वोल्टेज
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या: 11 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: 9.92 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 9.92 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
ऑक्साइड धारिता: 3.9 फैरड --> 3.9 फैरड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चैनल की चौड़ाई: 2.678 मीटर --> 2.678 मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चैनल की लंबाई: 3.45 मीटर --> 3.45 मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
गेट स्रोत वोल्टेज: 29.65 वोल्ट --> 29.65 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 5.91 वोल्ट --> 5.91 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आउटपुट वोल्टेज: 4.89 वोल्ट --> 4.89 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
ID(linear) = sum(x,0,n,(μn*Cox/2)*(W/L)*(2*(VGS-VT)*Vout-Vout^2)) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(2*(29.65-5.91)*4.89-4.89^2))
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
ID(linear) = 37526.2792793155
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
37526.2792793155 एम्पेयर --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आख़री जवाब
37526.2792793155 ≈ 37526.28 एम्पेयर <-- रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है
(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)
आप यहाँ हैं -
होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » एमओएस ट्रांजिस्टर » रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें

क्रेडिट

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के द्वारा बनाई गई विग्नेश नायडू LinkedIn Logo
वेल्लोर इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (विटामिन), वेल्लोर, तमिलनाडु
विग्नेश नायडू ने इस कैलकुलेटर और 10+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
Verifier Image
के द्वारा सत्यापित दीपांजोना मलिक LinkedIn Logo
हेरिटेज इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (हिटके), कोलकाता
दीपांजोना मलिक ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

एमओएस ट्रांजिस्टर कैलक्युलेटर्स

साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक
​ LaTeX ​ जाओ साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक = -(2*sqrt(साइडवॉल जंक्शनों की क्षमता में निर्मित)/(अंतिम वोल्टेज-प्रारंभिक वोल्टेज)*(sqrt(साइडवॉल जंक्शनों की क्षमता में निर्मित-अंतिम वोल्टेज)-sqrt(साइडवॉल जंक्शनों की क्षमता में निर्मित-प्रारंभिक वोल्टेज)))
पी प्रकार के लिए फर्मी क्षमता
​ LaTeX ​ जाओ पी प्रकार के लिए फर्मी क्षमता = ([BoltZ]*निरपेक्ष तापमान)/[Charge-e]*ln(आंतरिक वाहक एकाग्रता/स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)
समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता
​ LaTeX ​ जाओ समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता = साइडवॉल की परिधि*साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस*साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक
प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस
​ LaTeX ​ जाओ साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस = शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता*साइडवॉल की गहराई

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें सूत्र

​LaTeX ​जाओ
रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(2*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*आउटपुट वोल्टेज-आउटपुट वोल्टेज^2))
ID(linear) = sum(x,0,n,(μn*Cox/2)*(W/L)*(2*(VGS-VT)*Vout-Vout^2))

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें की गणना कैसे करें?

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या (n), समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या सर्किट में समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या को संदर्भित करती है। के रूप में, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μn), MOSFET में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि इलेक्ट्रॉन कितनी आसानी से चैनल के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं, किसी दिए गए वोल्टेज के लिए वर्तमान प्रवाह को सीधे प्रभावित कर सकते हैं। के रूप में, ऑक्साइड धारिता (Cox), ऑक्साइड धारिता, धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (MOS) संरचना, जैसे MOSFETs में, इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत से जुड़ी धारिता को संदर्भित करती है। के रूप में, चैनल की चौड़ाई (W), चैनल की चौड़ाई MOSFET के भीतर प्रवाहकीय चैनल की चौड़ाई का प्रतिनिधित्व करती है, जो सीधे उसके द्वारा संभाले जा सकने वाले करंट की मात्रा को प्रभावित करती है। के रूप में, चैनल की लंबाई (L), MOSFET में चैनल की लंबाई स्रोत और नाली क्षेत्रों के बीच की दूरी है, जो यह निर्धारित करती है कि धारा कितनी आसानी से बहती है और ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को प्रभावित करती है। के रूप में, गेट स्रोत वोल्टेज (VGS), गेट सोर्स वोल्टेज MOSFET के गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच लगाया जाने वाला वोल्टेज है। के रूप में, सीमा वोल्टेज (VT), थ्रेसहोल्ड वोल्टेज एक MOSFET में इसे "चालू" करने और एक महत्वपूर्ण धारा प्रवाहित करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज है। के रूप में & आउटपुट वोल्टेज (Vout), पुल-डाउन अवरोधक, वी के साथ एन-चैनल एमओएसएफईटी सर्किट में आउटपुट वोल्टेज के रूप में डालें। कृपया रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें गणना

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें कैलकुलेटर, रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है की गणना करने के लिए Linear Region Pull Down Current = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(2*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*आउटपुट वोल्टेज-आउटपुट वोल्टेज^2)) का उपयोग करता है। रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें ID(linear) को लीनियर रीजन फॉर्मूला में पुल डाउन करंट को रेसिस्टर के माध्यम से करंट के रूप में परिभाषित किया जाता है, जब पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग एन-चैनल MOSFET के साथ लीनियर मोड में किया जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 37526.28 = sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(2*(29.65-5.91)*4.89-4.89^2)). आप और अधिक रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें क्या है?
रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें लीनियर रीजन फॉर्मूला में पुल डाउन करंट को रेसिस्टर के माध्यम से करंट के रूप में परिभाषित किया जाता है, जब पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग एन-चैनल MOSFET के साथ लीनियर मोड में किया जाता है। है और इसे ID(linear) = sum(x,0,n,(μn*Cox/2)*(W/L)*(2*(VGS-VT)*Vout-Vout^2)) या Linear Region Pull Down Current = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(2*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*आउटपुट वोल्टेज-आउटपुट वोल्टेज^2)) के रूप में दर्शाया जाता है।
रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें की गणना कैसे करें?
रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें को लीनियर रीजन फॉर्मूला में पुल डाउन करंट को रेसिस्टर के माध्यम से करंट के रूप में परिभाषित किया जाता है, जब पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग एन-चैनल MOSFET के साथ लीनियर मोड में किया जाता है। Linear Region Pull Down Current = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(2*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*आउटपुट वोल्टेज-आउटपुट वोल्टेज^2)) ID(linear) = sum(x,0,n,(μn*Cox/2)*(W/L)*(2*(VGS-VT)*Vout-Vout^2)) के रूप में परिभाषित किया गया है। रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें की गणना करने के लिए, आपको समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या (n), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μn), ऑक्साइड धारिता (Cox), चैनल की चौड़ाई (W), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (VGS), सीमा वोल्टेज (VT) & आउटपुट वोल्टेज (Vout) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या सर्किट में समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या को संदर्भित करती है।, MOSFET में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि इलेक्ट्रॉन कितनी आसानी से चैनल के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं, किसी दिए गए वोल्टेज के लिए वर्तमान प्रवाह को सीधे प्रभावित कर सकते हैं।, ऑक्साइड धारिता, धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (MOS) संरचना, जैसे MOSFETs में, इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत से जुड़ी धारिता को संदर्भित करती है।, चैनल की चौड़ाई MOSFET के भीतर प्रवाहकीय चैनल की चौड़ाई का प्रतिनिधित्व करती है, जो सीधे उसके द्वारा संभाले जा सकने वाले करंट की मात्रा को प्रभावित करती है।, MOSFET में चैनल की लंबाई स्रोत और नाली क्षेत्रों के बीच की दूरी है, जो यह निर्धारित करती है कि धारा कितनी आसानी से बहती है और ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को प्रभावित करती है।, गेट सोर्स वोल्टेज MOSFET के गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच लगाया जाने वाला वोल्टेज है।, थ्रेसहोल्ड वोल्टेज एक MOSFET में इसे "चालू" करने और एक महत्वपूर्ण धारा प्रवाहित करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज है। & पुल-डाउन अवरोधक, वी के साथ एन-चैनल एमओएसएफईटी सर्किट में आउटपुट वोल्टेज के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
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