दो कैविटी क्लाइस्ट्रॉन एम्पलीफायर का पावर गेन कैलकुलेटर

दो कैविटी क्लाइस्ट्रॉन एम्पलीफायर का पावर गेन को दो गुहिका क्लाइस्ट्रॉन एम्पलीफायर का पावर गेन सूत्र, इनपुट पावर स्तर के सापेक्ष एम्पलीफायर द्वारा प्राप्त पावर स्तर में वृद्धि को संदर्भित करता है। Power Gain of Two Cavity Klystron Amplifier = (1/4)*(((कैथोड बंचर धारा*कोणीय आवृत्ति)/(कैथोड बंचर वोल्टेज*प्लाज्मा आवृत्ति में कमी))^2)*(बीम युग्मन गुणांक^4)*इनपुट कैविटी का कुल शंट प्रतिरोध*आउटपुट कैविटी का कुल शंट प्रतिरोध P_g = (1/4)*(((I_o*ω_f)/(V_o*ω_q))^2)*(β_o^4)*R_sh*R_shl के रूप में परिभाषित किया गया है। दो कैविटी क्लाइस्ट्रॉन एम्पलीफायर का पावर गेन की गणना करने के लिए, आपको कैथोड बंचर धारा (I_o), कोणीय आवृत्ति (ω_f), कैथोड बंचर वोल्टेज (V_o), प्लाज्मा आवृत्ति में कमी (ω_q), बीम युग्मन गुणांक (β_o), इनपुट कैविटी का कुल शंट प्रतिरोध (R_sh) & आउटपुट कैविटी का कुल शंट प्रतिरोध (R_shl) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको कैथोड बंचर करंट उस करंट को संदर्भित करता है जो क्लिस्ट्रॉन या अन्य माइक्रोवेव वैक्यूम ट्यूब के कैथोड बंचर सर्किट से प्रवाहित होता है।, एक स्थिर रूप से आवर्ती घटना की कोणीय आवृत्ति, जिसे रेडियन प्रति सेकंड में व्यक्त किया जाता है।, कैथोड बंचर वोल्टेज एक क्लिस्ट्रॉन ट्यूब के कैथोड पर एक गुच्छित इलेक्ट्रॉन किरण उत्पन्न करने के लिए लगाया जाने वाला वोल्टेज है जो माइक्रोवेव पावर का उत्पादन करने के लिए क्लिस्ट्रॉन की गुंजयमान गुहा के साथ संपर्क करता है।, कम प्लाज्मा आवृत्ति को कई कारणों से आयनिक स्तर में प्लाज्मा आवृत्ति में कमी के रूप में परिभाषित किया गया है।, बीम युग्मन गुणांक उस पैरामीटर को संदर्भित करता है जो ट्यूब के भीतर इलेक्ट्रॉन बीम और विद्युत चुम्बकीय क्षेत्रों के बीच परस्पर क्रिया की डिग्री को निर्धारित करता है।, माइक्रोवेव ट्यूब में इनपुट कैविटी का कुल शंट प्रतिरोध, कैविटी के इनपुट सर्किट के समानांतर जुड़े सभी घटकों द्वारा प्रस्तुत संयुक्त विद्युत प्रतिरोध को संदर्भित करता है। & माइक्रोवेव ट्यूब में आउटपुट कैविटी का कुल शंट प्रतिरोध, कैविटी के आउटपुट सर्किट के समानांतर जुड़े सभी घटकों में संचयी विद्युत प्रतिरोध को दर्शाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।