वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
वोल्टेज स्केलिंग के बाद पावर घनत्व = पावर घनत्व MOSFET*(मापन कारक)^3
PD' = PD*(Sf)^3
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है
चर
वोल्टेज स्केलिंग के बाद पावर घनत्व - वोल्टेज स्केलिंग के बाद पावर घनत्व को प्रति यूनिट क्षेत्र में पावर आउटपुट के माप के रूप में परिभाषित किया गया है। जब MOSFET को वोल्टेज स्केलिंग विधि द्वारा कम किया जाता है तो यह किसी दिए गए स्थान के भीतर बिजली वितरण की मात्रा निर्धारित करता है।
पावर घनत्व MOSFET - पावर डेंसिटी MOSFET को प्रति यूनिट क्षेत्र में पावर आउटपुट के माप के रूप में परिभाषित किया गया है। यह मापता है कि किसी दिए गए स्थान के भीतर कितनी शक्ति वितरित की जाती है।
मापन कारक - स्केलिंग फ़ैक्टर को उस अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके द्वारा डिज़ाइन प्रक्रिया के दौरान ट्रांजिस्टर के आयाम बदले जाते हैं।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
पावर घनत्व MOSFET: 20 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
मापन कारक: 1.5 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
PD' = PD*(Sf)^3 --> 20*(1.5)^3
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
PD' = 67.5
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
67.5 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आख़री जवाब
67.5 <-- वोल्टेज स्केलिंग के बाद पावर घनत्व
(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

क्रेडिट

Creator Image
के द्वारा बनाई गई प्रियंका पटेल
लालभाई दलपतभाई कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (एलडीसीई), अहमदाबाद
प्रियंका पटेल ने इस कैलकुलेटर और 25+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
Verifier Image
के द्वारा सत्यापित संतोष यादव
दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बंगलोर
संतोष यादव ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन कैलक्युलेटर्स

शारीरिक प्रभाव गुणांक
​ LaTeX ​ जाओ शारीरिक प्रभाव गुणांक = modulus((सीमा वोल्टेज-दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल)/(sqrt(सतही क्षमता+(स्रोत शारीरिक संभावित अंतर))-sqrt(सतही क्षमता)))
डीआईबीएल गुणांक
​ LaTeX ​ जाओ डीआईबीएल गुणांक = (दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल-सीमा वोल्टेज)/स्रोत क्षमता के लिए नाली
चैनल चार्ज
​ LaTeX ​ जाओ चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
गंभीर वोल्टेज
​ LaTeX ​ जाओ गंभीर वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*चैनल की लंबाई के पार विद्युत क्षेत्र

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व सूत्र

​LaTeX ​जाओ
वोल्टेज स्केलिंग के बाद पावर घनत्व = पावर घनत्व MOSFET*(मापन कारक)^3
PD' = PD*(Sf)^3

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व की गणना कैसे करें?

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया पावर घनत्व MOSFET (PD), पावर डेंसिटी MOSFET को प्रति यूनिट क्षेत्र में पावर आउटपुट के माप के रूप में परिभाषित किया गया है। यह मापता है कि किसी दिए गए स्थान के भीतर कितनी शक्ति वितरित की जाती है। के रूप में & मापन कारक (Sf), स्केलिंग फ़ैक्टर को उस अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके द्वारा डिज़ाइन प्रक्रिया के दौरान ट्रांजिस्टर के आयाम बदले जाते हैं। के रूप में डालें। कृपया वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व गणना

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व कैलकुलेटर, वोल्टेज स्केलिंग के बाद पावर घनत्व की गणना करने के लिए Power Density after Voltage Scaling = पावर घनत्व MOSFET*(मापन कारक)^3 का उपयोग करता है। वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व PD' को वोल्टेज स्केलिंग के बाद पावर घनत्व वीएलएसआई फॉर्मूला को प्रति यूनिट क्षेत्र में बिजली उत्पादन के माप के रूप में परिभाषित किया गया है। जब MOSFET को वोल्टेज स्केलिंग विधि द्वारा कम किया जाता है तो यह किसी दिए गए स्थान के भीतर बिजली वितरण की मात्रा निर्धारित करता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 67.5 = 20*(1.5)^3. आप और अधिक वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व क्या है?
वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व वोल्टेज स्केलिंग के बाद पावर घनत्व वीएलएसआई फॉर्मूला को प्रति यूनिट क्षेत्र में बिजली उत्पादन के माप के रूप में परिभाषित किया गया है। जब MOSFET को वोल्टेज स्केलिंग विधि द्वारा कम किया जाता है तो यह किसी दिए गए स्थान के भीतर बिजली वितरण की मात्रा निर्धारित करता है। है और इसे PD' = PD*(Sf)^3 या Power Density after Voltage Scaling = पावर घनत्व MOSFET*(मापन कारक)^3 के रूप में दर्शाया जाता है।
वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व की गणना कैसे करें?
वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व को वोल्टेज स्केलिंग के बाद पावर घनत्व वीएलएसआई फॉर्मूला को प्रति यूनिट क्षेत्र में बिजली उत्पादन के माप के रूप में परिभाषित किया गया है। जब MOSFET को वोल्टेज स्केलिंग विधि द्वारा कम किया जाता है तो यह किसी दिए गए स्थान के भीतर बिजली वितरण की मात्रा निर्धारित करता है। Power Density after Voltage Scaling = पावर घनत्व MOSFET*(मापन कारक)^3 PD' = PD*(Sf)^3 के रूप में परिभाषित किया गया है। वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद पावर घनत्व की गणना करने के लिए, आपको पावर घनत्व MOSFET (PD) & मापन कारक (Sf) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको पावर डेंसिटी MOSFET को प्रति यूनिट क्षेत्र में पावर आउटपुट के माप के रूप में परिभाषित किया गया है। यह मापता है कि किसी दिए गए स्थान के भीतर कितनी शक्ति वितरित की जाती है। & स्केलिंग फ़ैक्टर को उस अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके द्वारा डिज़ाइन प्रक्रिया के दौरान ट्रांजिस्टर के आयाम बदले जाते हैं। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
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