पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस कैलकुलेटर

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस को पूर्ण स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस वीएलएसआई सूत्र को पूर्ण स्केलिंग द्वारा MOSFET के आयामों को कम करने के बाद नई कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है। Oxide Capacitance after Full Scaling = प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*मापन कारक C_oxide' = C_oxide*Sf के रूप में परिभाषित किया गया है। पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता (C_oxide) & मापन कारक (Sf) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको प्रति यूनिट क्षेत्र ऑक्साइड कैपेसिटेंस को इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत के प्रति यूनिट क्षेत्र कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो धातु गेट को अर्धचालक सामग्री से अलग करता है। & स्केलिंग फ़ैक्टर को उस अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके द्वारा डिज़ाइन प्रक्रिया के दौरान ट्रांजिस्टर के आयाम बदले जाते हैं। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।