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प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन कैलकुलेटर

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✖ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ transconductance [g_m]			+10% -10%
✖पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात हैⓘ आस्पेक्ट अनुपात [WL]			+10% -10%
✖ओवरड्राइव वोल्टेज इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग किया जाने वाला एक शब्द है और यह किसी उपकरण या घटक पर लागू वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक है।ⓘ ओवरड्राइव वोल्टेज [V_ov]			+10% -10%

✖प्रोसेस ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर (PTM) एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।ⓘ प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन [k'_n]

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प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = transconductance/(आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज)
k'_n = g_m/(WL*V_ov)
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर - (में मापा गया एम्पीयर प्रति वर्ग वोल्ट) - प्रोसेस ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर (PTM) एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।
transconductance - (में मापा गया सीमेंस) - ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।
आस्पेक्ट अनुपात - पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है
ओवरड्राइव वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - ओवरड्राइव वोल्टेज इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग किया जाने वाला एक शब्द है और यह किसी उपकरण या घटक पर लागू वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

transconductance: 0.5 मिलिसिएमेंस --> 0.0005 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
आस्पेक्ट अनुपात: 0.1 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
ओवरड्राइव वोल्टेज: 0.32 वोल्ट --> 0.32 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

k'_n = g_m/(WL*V_ov) --> 0.0005/(0.1*0.32)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

k'_n = 0.015625

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.015625 एम्पीयर प्रति वर्ग वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

0.015625 एम्पीयर प्रति वर्ग वोल्ट <-- प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित अंशिका आर्य

राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान (एनआईटी), हमीरपुर

अंशिका आर्य ने इस कैलकुलेटर और 2500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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ट्रांसकंडक्शन दिया गया प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

LaTeX जाओ transconductance = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

ट्रांसकंडक्टेंस ने ड्रेन करंट दिया

LaTeX जाओ transconductance = sqrt(2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*जल निकासी धारा)

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके ट्रांसकंडक्शन

LaTeX जाओ transconductance = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज

ट्रांसकंडक्शन का उपयोग करके करंट को ड्रेन करें

LaTeX जाओ जल निकासी धारा = (ओवरड्राइव वोल्टेज)*transconductance/2

और देखें >>

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन सूत्र

LaTeX जाओ

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = transconductance/(आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज)
k'_n = g_m/(WL*V_ov)

MOSFET में ट्रांसकनेक्टिविटी का उपयोग क्या है?

ट्रांसकनेक्टैशन एक द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर या क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (एफईटी) के प्रदर्शन की अभिव्यक्ति है। सामान्य तौर पर, एक उपकरण के लिए ट्रांसकांसेनेंस का आंकड़ा जितना बड़ा होता है, उतना ही अधिक लाभ (प्रवर्धन) यह वितरित करने में सक्षम होता है, जब अन्य सभी कारक स्थिर होते हैं।

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन की गणना कैसे करें?

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया transconductance (g_m), ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में, आस्पेक्ट अनुपात (WL), पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है के रूप में & ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov), ओवरड्राइव वोल्टेज इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग किया जाने वाला एक शब्द है और यह किसी उपकरण या घटक पर लागू वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक है। के रूप में डालें। कृपया प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन गणना

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन कैलकुलेटर, प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर की गणना करने के लिए Process Transconductance Parameter = transconductance/(आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज) का उपयोग करता है। प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन k'_n को प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी ट्रांसकंडक्शन, गेट/स्रोत वोल्टेज में निरंतर नाली/स्रोत वोल्टेज के साथ छोटे परिवर्तन से विभाजित नाली प्रवाह में परिवर्तन है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.015625 = 0.0005/(0.1*0.32). आप और अधिक प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन क्या है?

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी ट्रांसकंडक्शन, गेट/स्रोत वोल्टेज में निरंतर नाली/स्रोत वोल्टेज के साथ छोटे परिवर्तन से विभाजित नाली प्रवाह में परिवर्तन है। है और इसे k'_n = g_m/(WL*V_ov) या Process Transconductance Parameter = transconductance/(आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन की गणना कैसे करें?

प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन को प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी ट्रांसकंडक्शन, गेट/स्रोत वोल्टेज में निरंतर नाली/स्रोत वोल्टेज के साथ छोटे परिवर्तन से विभाजित नाली प्रवाह में परिवर्तन है। Process Transconductance Parameter = transconductance/(आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज) k'_n = g_m/(WL*V_ov) के रूप में परिभाषित किया गया है। प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन की गणना करने के लिए, आपको transconductance (g_m), आस्पेक्ट अनुपात (WL) & ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।, पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है & ओवरड्राइव वोल्टेज इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग किया जाने वाला एक शब्द है और यह किसी उपकरण या घटक पर लागू वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर की गणना करने के कितने तरीके हैं?

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर transconductance (g_m), आस्पेक्ट अनुपात (WL) & ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 2 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = transconductance^2/(2*आस्पेक्ट अनुपात*जल निकासी धारा)
प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = transconductance/(आस्पेक्ट अनुपात*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज))

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