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✖ड्रेन करंट में बदलाव सिलिकॉन चिप की करंट कंडक्शन क्षमता में बदलाव को दर्शाता है; विभिन्न उपकरणों की तुलना करते समय इसे एक गाइड के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है।ⓘ ड्रेन करंट में बदलाव [ΔI_d]			+10% -10%
✖गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।ⓘ गेट-स्रोत वोल्टेज [V_gs]			+10% -10%

✖ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ MOSFET ट्रांसकंडक्शन [g_m]

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MOSFET ट्रांसकंडक्शन उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

transconductance = ड्रेन करंट में बदलाव/गेट-स्रोत वोल्टेज
g_m = ΔI_d/V_gs
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

transconductance - (में मापा गया सीमेंस) - ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।
ड्रेन करंट में बदलाव - (में मापा गया एम्पेयर) - ड्रेन करंट में बदलाव सिलिकॉन चिप की करंट कंडक्शन क्षमता में बदलाव को दर्शाता है; विभिन्न उपकरणों की तुलना करते समय इसे एक गाइड के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है।
गेट-स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

ड्रेन करंट में बदलाव: 2 मिलीएम्पियर --> 0.002 एम्पेयर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
गेट-स्रोत वोल्टेज: 4 वोल्ट --> 4 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

g_m = ΔI_d/V_gs --> 0.002/4

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

g_m = 0.0005

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.0005 सीमेंस -->0.5 मिलिसिएमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

0.5 मिलिसिएमेंस <-- transconductance

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » transconductance » MOSFET ट्रांसकंडक्शन

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित प्रहलाद सिंह

जयपुर इंजीनियरिंग कॉलेज एंड रिसर्च सेंटर (जेईसीआरसी), जयपुर

प्रहलाद सिंह ने इस कैलकुलेटर और 10+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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ट्रांसकंडक्शन दिया गया प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

LaTeX जाओ transconductance = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

ट्रांसकंडक्टेंस ने ड्रेन करंट दिया

LaTeX जाओ transconductance = sqrt(2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*जल निकासी धारा)

प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके ट्रांसकंडक्शन

LaTeX जाओ transconductance = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज

ट्रांसकंडक्शन का उपयोग करके करंट को ड्रेन करें

LaTeX जाओ जल निकासी धारा = (ओवरड्राइव वोल्टेज)*transconductance/2

और देखें >>

MOSFET ट्रांसकंडक्शन सूत्र

LaTeX जाओ

transconductance = ड्रेन करंट में बदलाव/गेट-स्रोत वोल्टेज
g_m = ΔI_d/V_gs

MOSFET में ट्रांसकनेक्टिविटी का उपयोग क्या है?

ट्रांसकनेक्टैशन एक द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर या क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (एफईटी) के प्रदर्शन की अभिव्यक्ति है। सामान्य तौर पर, एक उपकरण के लिए ट्रांसकांसेनेंस का आंकड़ा जितना बड़ा होता है, उतना ही अधिक लाभ (प्रवर्धन) वह प्रदान करने में सक्षम होता है, जब अन्य सभी कारक स्थिर होते हैं।

MOSFET ट्रांसकंडक्शन की गणना कैसे करें?

MOSFET ट्रांसकंडक्शन के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया ड्रेन करंट में बदलाव (ΔI_d), ड्रेन करंट में बदलाव सिलिकॉन चिप की करंट कंडक्शन क्षमता में बदलाव को दर्शाता है; विभिन्न उपकरणों की तुलना करते समय इसे एक गाइड के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है। के रूप में & गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs), गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। के रूप में डालें। कृपया MOSFET ट्रांसकंडक्शन गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET ट्रांसकंडक्शन गणना

MOSFET ट्रांसकंडक्शन कैलकुलेटर, transconductance की गणना करने के लिए Transconductance = ड्रेन करंट में बदलाव/गेट-स्रोत वोल्टेज का उपयोग करता है। MOSFET ट्रांसकंडक्शन g_m को MOSFET ट्रांसकंडक्शन ड्रेन करंट में बदलाव है, जो गेट/स्रोत वोल्टेज में एक निरंतर ड्रेन/स्रोत वोल्टेज के साथ छोटे बदलाव से विभाजित होता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET ट्रांसकंडक्शन गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 500 = 0.002/4. आप और अधिक MOSFET ट्रांसकंडक्शन उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET ट्रांसकंडक्शन क्या है?

MOSFET ट्रांसकंडक्शन MOSFET ट्रांसकंडक्शन ड्रेन करंट में बदलाव है, जो गेट/स्रोत वोल्टेज में एक निरंतर ड्रेन/स्रोत वोल्टेज के साथ छोटे बदलाव से विभाजित होता है। है और इसे g_m = ΔI_d/V_gs या Transconductance = ड्रेन करंट में बदलाव/गेट-स्रोत वोल्टेज के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET ट्रांसकंडक्शन की गणना कैसे करें?

MOSFET ट्रांसकंडक्शन को MOSFET ट्रांसकंडक्शन ड्रेन करंट में बदलाव है, जो गेट/स्रोत वोल्टेज में एक निरंतर ड्रेन/स्रोत वोल्टेज के साथ छोटे बदलाव से विभाजित होता है। Transconductance = ड्रेन करंट में बदलाव/गेट-स्रोत वोल्टेज g_m = ΔI_d/V_gs के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET ट्रांसकंडक्शन की गणना करने के लिए, आपको ड्रेन करंट में बदलाव (ΔI_d) & गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ड्रेन करंट में बदलाव सिलिकॉन चिप की करंट कंडक्शन क्षमता में बदलाव को दर्शाता है; विभिन्न उपकरणों की तुलना करते समय इसे एक गाइड के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है। & गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

transconductance की गणना करने के कितने तरीके हैं?

transconductance ड्रेन करंट में बदलाव (ΔI_d) & गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 3 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

transconductance = sqrt(2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*जल निकासी धारा)
transconductance = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)
transconductance = प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*ओवरड्राइव वोल्टेज

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