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पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET कैलकुलेटर

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✖चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।ⓘ चैनल की लंबाई [L]			+10% -10%
✖चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।ⓘ चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता [μ_s]			+10% -10%
✖ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।ⓘ ऑक्साइड धारिता [C_ox]			+10% -10%
✖चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।ⓘ चैनल की चौड़ाई [W_c]			+10% -10%
✖MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।ⓘ प्रभावी वोल्टेज [V_eff]			+10% -10%

✖रैखिक प्रतिरोध, विरोध या प्रतिरोध की मात्रा इसके माध्यम से बहने वाली धारा की मात्रा के सीधे आनुपातिक होती है, जैसा कि ओम के नियम द्वारा वर्णित है।ⓘ पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET [R_ds]

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पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

रैखिक प्रतिरोध = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*प्रभावी वोल्टेज)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)
यह सूत्र 6 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

रैखिक प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - रैखिक प्रतिरोध, विरोध या प्रतिरोध की मात्रा इसके माध्यम से बहने वाली धारा की मात्रा के सीधे आनुपातिक होती है, जैसा कि ओम के नियम द्वारा वर्णित है।
चैनल की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।
ऑक्साइड धारिता - (में मापा गया फैरड) - ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।
चैनल की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।
प्रभावी वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

चैनल की लंबाई: 100 माइक्रोमीटर --> 0.0001 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता: 38 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 38 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
ऑक्साइड धारिता: 940 माइक्रोफ़ारड --> 0.00094 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की चौड़ाई: 10 माइक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
प्रभावी वोल्टेज: 1.7 वोल्ट --> 1.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff) --> 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

R_ds = 164.679533627561

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

164.679533627561 ओम -->0.164679533627561 किलोहम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

0.164679533627561 ≈ 0.16468 किलोहम <-- रैखिक प्रतिरोध

(गणना 00.006 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » प्रतिरोध » पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET

LaTeX जाओ रैखिक प्रतिरोध = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*प्रभावी वोल्टेज)

नाली और स्रोत के बीच परिमित प्रतिरोध

LaTeX जाओ परिमित प्रतिरोध = modulus(सकारात्मक डीसी वोल्टेज)/जल निकासी धारा

इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ

LaTeX जाओ इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ = 1/(आउटपुट प्रतिरोध*जल निकासी धारा)

नाली आउटपुट प्रतिरोध

LaTeX जाओ आउटपुट प्रतिरोध = 1/(इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*जल निकासी धारा)

और देखें >>

पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET सूत्र

LaTeX जाओ

रैखिक प्रतिरोध = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*प्रभावी वोल्टेज)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)

MOSFET को रेखीय अवरोधक के रूप में उपयोग करने के लिए क्या स्थिति है?

जब आप गेट वोल्टेज को धीरे-धीरे बढ़ाते हैं तो MOSFET धीरे-धीरे रैखिक क्षेत्र में प्रवेश करके आयोजित करना शुरू कर देता है जहां यह उस पार एक वोल्टेज विकसित करना शुरू कर देता है जिसे हम V DS कहते हैं। इस क्षेत्र में, MOSFET परिमित मूल्य के प्रतिरोध के रूप में कार्य करता है।

पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET की गणना कैसे करें?

पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया चैनल की लंबाई (L), चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है। के रूप में, चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ_s), चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल। के रूप में, ऑक्साइड धारिता (C_ox), ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत। के रूप में, चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है। के रूप में & प्रभावी वोल्टेज (V_eff), MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के रूप में डालें। कृपया पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET गणना

पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET कैलकुलेटर, रैखिक प्रतिरोध की गणना करने के लिए Linear Resistance = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*प्रभावी वोल्टेज) का उपयोग करता है। पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET R_ds को MOSFET रैखिक प्रतिरोध के रूप में दिया गया पहलू अनुपात रैखिक क्षेत्र में एक चर अवरोधक के रूप में और संतृप्ति क्षेत्र में एक वर्तमान स्रोत के रूप में कार्य करता है। BJT के विपरीत, MOSFET को स्विच के रूप में उपयोग करने के लिए, आपको रैखिक क्षेत्र के भीतर काम करने की आवश्यकता होती है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.000165 = 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7). आप और अधिक पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET क्या है?

पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET MOSFET रैखिक प्रतिरोध के रूप में दिया गया पहलू अनुपात रैखिक क्षेत्र में एक चर अवरोधक के रूप में और संतृप्ति क्षेत्र में एक वर्तमान स्रोत के रूप में कार्य करता है। BJT के विपरीत, MOSFET को स्विच के रूप में उपयोग करने के लिए, आपको रैखिक क्षेत्र के भीतर काम करने की आवश्यकता होती है। है और इसे R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff) या Linear Resistance = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*प्रभावी वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET की गणना कैसे करें?

पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET को MOSFET रैखिक प्रतिरोध के रूप में दिया गया पहलू अनुपात रैखिक क्षेत्र में एक चर अवरोधक के रूप में और संतृप्ति क्षेत्र में एक वर्तमान स्रोत के रूप में कार्य करता है। BJT के विपरीत, MOSFET को स्विच के रूप में उपयोग करने के लिए, आपको रैखिक क्षेत्र के भीतर काम करने की आवश्यकता होती है। Linear Resistance = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*प्रभावी वोल्टेज) R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff) के रूप में परिभाषित किया गया है। पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET की गणना करने के लिए, आपको चैनल की लंबाई (L), चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ_s), ऑक्साइड धारिता (C_ox), चैनल की चौड़ाई (W_c) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।, चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।, ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।, चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है। & MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

रैखिक प्रतिरोध की गणना करने के कितने तरीके हैं?

रैखिक प्रतिरोध चैनल की लंबाई (L), चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ_s), ऑक्साइड धारिता (C_ox), चैनल की चौड़ाई (W_c) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

रैखिक प्रतिरोध = 1/चैनल का संचालन

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