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✖सिग्नल का आयाम जो O माइक्रोवेव ट्यूब में प्रविष्ट किया जाता है।ⓘ सिग्नल का आयाम [V₁]			+10% -10%
✖माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति अंतराल पर लागू माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति को दर्शाती है।ⓘ माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति [ω_v]			+10% -10%
✖औसत पारगमन समय क्षणिक अवस्था में बीता हुआ औसत समय है।ⓘ औसत पारगमन समय [τ]			+10% -10%
✖प्रवेश समय उस क्षण को संदर्भित करता है जिस पर एक इलेक्ट्रॉन गुहा में प्रवेश करता है।ⓘ प्रवेश का समय [t₀]			+10% -10%
✖एक अनुनाद गुहा, जैसे कि बंचर अंतराल, के भीतर विद्युत चुम्बकीय क्षेत्रों की अनुनाद कोणीय आवृत्ति।ⓘ अनुनाद कोणीय आवृत्ति [ω_o]			+10% -10%
✖बंचर गैप डिस्टेंस से तात्पर्य इलेक्ट्रोड या संरचनाओं के बीच भौतिक पृथक्करण से है जो माइक्रोवेव डिवाइस में बंचर गुहा का निर्माण करते हैं।ⓘ बंचर गैप दूरी [d]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रॉन का वेग, बीम ट्यूब में इलेक्ट्रॉन की यात्रा की दर है।ⓘ इलेक्ट्रॉन का वेग [v_o]			+10% -10%

✖बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज, माइक्रोवेव डिवाइस में बंचर गैप पर लागू आरएफ (रेडियो फ्रीक्वेंसी) वोल्टेज को संदर्भित करता है।ⓘ बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज [V_s]

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बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज = (सिग्नल का आयाम/(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*औसत पारगमन समय))*(cos(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*प्रवेश का समय)-cos(अनुनाद कोणीय आवृत्ति+(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*बंचर गैप दूरी)/इलेक्ट्रॉन का वेग))
V_s = (V₁/(ω_v*τ))*(cos(ω_v*t₀)-cos(ω_o+(ω_v*d)/v_o))
यह सूत्र 1 कार्यों, 8 वेरिएबल का उपयोग करता है

उपयोग किए गए कार्य

cos - किसी कोण की कोज्या, कोण के समीपवर्ती भुजा और त्रिभुज के कर्ण का अनुपात है।, cos(Angle)

चर

बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज, माइक्रोवेव डिवाइस में बंचर गैप पर लागू आरएफ (रेडियो फ्रीक्वेंसी) वोल्टेज को संदर्भित करता है।
सिग्नल का आयाम - (में मापा गया वोल्ट) - सिग्नल का आयाम जो O माइक्रोवेव ट्यूब में प्रविष्ट किया जाता है।
माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति - (में मापा गया रेडियन प्रति सेकंड) - माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति अंतराल पर लागू माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति को दर्शाती है।
औसत पारगमन समय - (में मापा गया दूसरा) - औसत पारगमन समय क्षणिक अवस्था में बीता हुआ औसत समय है।
प्रवेश का समय - (में मापा गया दूसरा) - प्रवेश समय उस क्षण को संदर्भित करता है जिस पर एक इलेक्ट्रॉन गुहा में प्रवेश करता है।
अनुनाद कोणीय आवृत्ति - (में मापा गया हेटर्स) - एक अनुनाद गुहा, जैसे कि बंचर अंतराल, के भीतर विद्युत चुम्बकीय क्षेत्रों की अनुनाद कोणीय आवृत्ति।
बंचर गैप दूरी - (में मापा गया मीटर) - बंचर गैप डिस्टेंस से तात्पर्य इलेक्ट्रोड या संरचनाओं के बीच भौतिक पृथक्करण से है जो माइक्रोवेव डिवाइस में बंचर गुहा का निर्माण करते हैं।
इलेक्ट्रॉन का वेग - (में मापा गया मीटर प्रति सेकंड) - इलेक्ट्रॉन का वेग, बीम ट्यूब में इलेक्ट्रॉन की यात्रा की दर है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

सिग्नल का आयाम: 5.5 वोल्ट --> 5.5 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति: 5.6 रेडियन प्रति सेकंड --> 5.6 रेडियन प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
औसत पारगमन समय: 3.8E-08 दूसरा --> 3.8E-08 दूसरा कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
प्रवेश का समय: 0.005 दूसरा --> 0.005 दूसरा कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
अनुनाद कोणीय आवृत्ति: 4.3 हेटर्स --> 4.3 हेटर्स कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
बंचर गैप दूरी: 7 मीटर --> 7 मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
इलेक्ट्रॉन का वेग: 9.3 मीटर प्रति सेकंड --> 9.3 मीटर प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

V_s = (V₁/(ω_v*τ))*(cos(ω_v*t₀)-cos(ω_o+(ω_v*d)/v_o)) --> (5.5/(5.6*3.8E-08))*(cos(5.6*0.005)-cos(4.3+(5.6*7)/9.3))

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

V_s = 41704150.5848926

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

41704150.5848926 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

41704150.5848926 ≈ 4.2E+7 वोल्ट <-- बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई जहीर शेख

शेषाद्रि राव गुडलवल्लेरु इंजीनियरिंग कॉलेज (एसआरजीईसी), गुद्लावेल्लेरू

जहीर शेख ने इस कैलकुलेटर और 25+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित भानुप्रकाश

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बैंगलोर

भानुप्रकाश ने इस कैलकुलेटर और 25+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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त्वचा की गहराई

LaTeX जाओ त्वचा की गहराई = sqrt(प्रतिरोधकता/(pi*तुलनात्मक भेद्दता*आवृत्ति))

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LaTeX जाओ एनोड सर्किट में बिजली उत्पन्न = डीसी बिजली की आपूर्ति*इलेक्ट्रॉनिक दक्षता

आयताकार माइक्रोवेव पल्स पीक पावर

LaTeX जाओ पल्स पीक पावर = औसत शक्ति/साइकिल शुल्क

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बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज सूत्र

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बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज की गणना कैसे करें?

बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया सिग्नल का आयाम (V₁), सिग्नल का आयाम जो O माइक्रोवेव ट्यूब में प्रविष्ट किया जाता है। के रूप में, माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति (ω_v), माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति अंतराल पर लागू माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति को दर्शाती है। के रूप में, औसत पारगमन समय (τ), औसत पारगमन समय क्षणिक अवस्था में बीता हुआ औसत समय है। के रूप में, प्रवेश का समय (t₀), प्रवेश समय उस क्षण को संदर्भित करता है जिस पर एक इलेक्ट्रॉन गुहा में प्रवेश करता है। के रूप में, अनुनाद कोणीय आवृत्ति (ω_o), एक अनुनाद गुहा, जैसे कि बंचर अंतराल, के भीतर विद्युत चुम्बकीय क्षेत्रों की अनुनाद कोणीय आवृत्ति। के रूप में, बंचर गैप दूरी (d), बंचर गैप डिस्टेंस से तात्पर्य इलेक्ट्रोड या संरचनाओं के बीच भौतिक पृथक्करण से है जो माइक्रोवेव डिवाइस में बंचर गुहा का निर्माण करते हैं। के रूप में & इलेक्ट्रॉन का वेग (v_o), इलेक्ट्रॉन का वेग, बीम ट्यूब में इलेक्ट्रॉन की यात्रा की दर है। के रूप में डालें। कृपया बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज गणना

बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज कैलकुलेटर, बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज की गणना करने के लिए Microwave Voltage in the Buncher Gap = (सिग्नल का आयाम/(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*औसत पारगमन समय))*(cos(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*प्रवेश का समय)-cos(अनुनाद कोणीय आवृत्ति+(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*बंचर गैप दूरी)/इलेक्ट्रॉन का वेग)) का उपयोग करता है। बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज V_s को बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज सूत्र, माइक्रोवेव डिवाइस जैसे कि क्लाइस्ट्रॉन या ट्रैवलिंग वेव ट्यूब (TWT) में बंचर गैप पर लागू RF (रेडियो फ्रीक्वेंसी) वोल्टेज को संदर्भित करता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 4.2E+7 = (5.5/(5.6*3.8E-08))*(cos(5.6*0.005)-cos(4.3+(5.6*7)/9.3)). आप और अधिक बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज क्या है?

बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज सूत्र, माइक्रोवेव डिवाइस जैसे कि क्लाइस्ट्रॉन या ट्रैवलिंग वेव ट्यूब (TWT) में बंचर गैप पर लागू RF (रेडियो फ्रीक्वेंसी) वोल्टेज को संदर्भित करता है। है और इसे V_s = (V₁/(ω_v*τ))*(cos(ω_v*t₀)-cos(ω_o+(ω_v*d)/v_o)) या Microwave Voltage in the Buncher Gap = (सिग्नल का आयाम/(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*औसत पारगमन समय))*(cos(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*प्रवेश का समय)-cos(अनुनाद कोणीय आवृत्ति+(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*बंचर गैप दूरी)/इलेक्ट्रॉन का वेग)) के रूप में दर्शाया जाता है।

बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज की गणना कैसे करें?

बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज को बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज सूत्र, माइक्रोवेव डिवाइस जैसे कि क्लाइस्ट्रॉन या ट्रैवलिंग वेव ट्यूब (TWT) में बंचर गैप पर लागू RF (रेडियो फ्रीक्वेंसी) वोल्टेज को संदर्भित करता है। Microwave Voltage in the Buncher Gap = (सिग्नल का आयाम/(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*औसत पारगमन समय))*(cos(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*प्रवेश का समय)-cos(अनुनाद कोणीय आवृत्ति+(माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति*बंचर गैप दूरी)/इलेक्ट्रॉन का वेग)) V_s = (V₁/(ω_v*τ))*(cos(ω_v*t₀)-cos(ω_o+(ω_v*d)/v_o)) के रूप में परिभाषित किया गया है। बंचर गैप में माइक्रोवेव वोल्टेज की गणना करने के लिए, आपको सिग्नल का आयाम (V₁), माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति (ω_v), औसत पारगमन समय (τ), प्रवेश का समय (t₀), अनुनाद कोणीय आवृत्ति (ω_o), बंचर गैप दूरी (d) & इलेक्ट्रॉन का वेग (v_o) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको सिग्नल का आयाम जो O माइक्रोवेव ट्यूब में प्रविष्ट किया जाता है।, माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति अंतराल पर लागू माइक्रोवेव वोल्टेज की कोणीय आवृत्ति को दर्शाती है।, औसत पारगमन समय क्षणिक अवस्था में बीता हुआ औसत समय है।, प्रवेश समय उस क्षण को संदर्भित करता है जिस पर एक इलेक्ट्रॉन गुहा में प्रवेश करता है।, एक अनुनाद गुहा, जैसे कि बंचर अंतराल, के भीतर विद्युत चुम्बकीय क्षेत्रों की अनुनाद कोणीय आवृत्ति।, बंचर गैप डिस्टेंस से तात्पर्य इलेक्ट्रोड या संरचनाओं के बीच भौतिक पृथक्करण से है जो माइक्रोवेव डिवाइस में बंचर गुहा का निर्माण करते हैं। & इलेक्ट्रॉन का वेग, बीम ट्यूब में इलेक्ट्रॉन की यात्रा की दर है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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