सेकेंडरी शीयर ज़ोन में अधिकतम तापमान वृद्धि का उपयोग करते हुए प्रति चिप मोटाई के ताप स्रोत की लंबाई कैलकुलेटर

सेकेंडरी शीयर ज़ोन में अधिकतम तापमान वृद्धि का उपयोग करते हुए प्रति चिप मोटाई के ताप स्रोत की लंबाई को सेकेंडरी शीयर ज़ोन में अधिकतम तापमान वृद्धि का उपयोग करते हुए प्रति चिप मोटाई के ताप स्रोत की लंबाई को प्रति चिप मोटाई के ताप स्रोत के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। Length of Heat Source Per Chip Thickness = थर्मल नंबर/((द्वितीयक विरूपण क्षेत्र में चिप में अधिकतम तापमान/(द्वितीयक शियर ज़ोन में चिप का औसत तापमान वृद्धि*1.13))^2) l₀ = R/((θ_max/(θ_f*1.13))^2) के रूप में परिभाषित किया गया है। सेकेंडरी शीयर ज़ोन में अधिकतम तापमान वृद्धि का उपयोग करते हुए प्रति चिप मोटाई के ताप स्रोत की लंबाई की गणना करने के लिए, आपको थर्मल नंबर (R), द्वितीयक विरूपण क्षेत्र में चिप में अधिकतम तापमान (θ_max) & द्वितीयक शियर ज़ोन में चिप का औसत तापमान वृद्धि (θ_f) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको थर्मल संख्या एक विशिष्ट आयामहीन संख्या को संदर्भित करती है जिसका उपयोग काटने की प्रक्रिया के दौरान तापमान वितरण और ऊष्मा उत्पादन का विश्लेषण और पूर्वानुमान करने के लिए किया जाता है।, द्वितीयक विरूपण क्षेत्र में चिप में अधिकतम तापमान को गर्मी की अधिकतम मात्रा के रूप में परिभाषित किया जाता है जिस तक चिप पहुंच सकती है। & द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में चिप के औसत तापमान वृद्धि को द्वितीयक कतरनी क्षेत्र में तापमान वृद्धि की मात्रा के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।