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वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन एनालॉग वीएलएसआई डिज़ाइन

✖MOSFET में गतिशीलता को विद्युत क्षेत्र द्वारा खींचे जाने पर किसी धातु या अर्धचालक के माध्यम से तेज़ी से आगे बढ़ने की इलेक्ट्रॉन की क्षमता के आधार पर परिभाषित किया जाता है।ⓘ MOSFET में गतिशीलता [μ_eff]			+10% -10%
✖गेट ऑक्साइड परत की धारिता को क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के गेट टर्मिनल की धारिता के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ गेट ऑक्साइड परत की धारिता [C_ox]			+10% -10%

✖K प्राइम प्रतिक्रिया का विपरीत दर स्थिरांक है।ⓘ के-प्राइम [K_p]

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सूत्र

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के-प्राइम उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

के प्राइम = MOSFET में गतिशीलता*गेट ऑक्साइड परत की धारिता
K_p = μ_eff*C_ox
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

के प्राइम - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - K प्राइम प्रतिक्रिया का विपरीत दर स्थिरांक है।
MOSFET में गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - MOSFET में गतिशीलता को विद्युत क्षेत्र द्वारा खींचे जाने पर किसी धातु या अर्धचालक के माध्यम से तेज़ी से आगे बढ़ने की इलेक्ट्रॉन की क्षमता के आधार पर परिभाषित किया जाता है।
गेट ऑक्साइड परत की धारिता - (में मापा गया फैराड प्रति वर्ग मीटर) - गेट ऑक्साइड परत की धारिता को क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के गेट टर्मिनल की धारिता के रूप में परिभाषित किया गया है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

MOSFET में गतिशीलता: 0.15 वर्ग सेंटीमीटर प्रति वोल्ट सेकंड --> 1.5E-05 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
गेट ऑक्साइड परत की धारिता: 29.83 माइक्रोफ़ारड प्रति वर्ग मिलीमीटर --> 29.83 फैराड प्रति वर्ग मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

K_p = μ_eff*C_ox --> 1.5E-05*29.83

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

K_p = 0.00044745

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.00044745 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड -->4.4745 वर्ग सेंटीमीटर प्रति वोल्ट सेकंड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

4.4745 वर्ग सेंटीमीटर प्रति वोल्ट सेकंड <-- के प्राइम

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » वीएलएसआई निर्माण » वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन » के-प्राइम

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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शारीरिक प्रभाव गुणांक

LaTeX जाओ शारीरिक प्रभाव गुणांक = modulus((सीमा वोल्टेज-दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल)/(sqrt(सतही क्षमता+(स्रोत शारीरिक संभावित अंतर))-sqrt(सतही क्षमता)))

डीआईबीएल गुणांक

LaTeX जाओ डीआईबीएल गुणांक = (दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल-सीमा वोल्टेज)/स्रोत क्षमता के लिए नाली

चैनल चार्ज

LaTeX जाओ चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

गंभीर वोल्टेज

LaTeX जाओ गंभीर वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*चैनल की लंबाई के पार विद्युत क्षेत्र

और देखें >>

के-प्राइम सूत्र

LaTeX जाओ

के प्राइम = MOSFET में गतिशीलता*गेट ऑक्साइड परत की धारिता
K_p = μ_eff*C_ox

ट्रांजिस्टर क्या है?

इलेक्ट्रॉनिक्स में, एक ट्रांजिस्टर एक अर्धचालक उपकरण होता है जिसका उपयोग आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक संकेतों को बढ़ाने या स्विच करने के लिए किया जाता है। ट्रांजिस्टर कंप्यूटर का मूलभूत भवन खंड है, और अन्य सभी आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण। कुछ ट्रांजिस्टर व्यक्तिगत रूप से पैक किए जाते हैं, लेकिन अधिकांश एकीकृत सर्किट में पाए जाते हैं।

के-प्राइम की गणना कैसे करें?

के-प्राइम के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया MOSFET में गतिशीलता (μ_eff), MOSFET में गतिशीलता को विद्युत क्षेत्र द्वारा खींचे जाने पर किसी धातु या अर्धचालक के माध्यम से तेज़ी से आगे बढ़ने की इलेक्ट्रॉन की क्षमता के आधार पर परिभाषित किया जाता है। के रूप में & गेट ऑक्साइड परत की धारिता (C_ox), गेट ऑक्साइड परत की धारिता को क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के गेट टर्मिनल की धारिता के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में डालें। कृपया के-प्राइम गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

के-प्राइम गणना

के-प्राइम कैलकुलेटर, के प्राइम की गणना करने के लिए K Prime = MOSFET में गतिशीलता*गेट ऑक्साइड परत की धारिता का उपयोग करता है। के-प्राइम K_p को के-प्राइम सूत्र की गणना [ए, बी] श्रेणी में के-प्राइम संख्याओं की संख्या खोजने की आवश्यकता के आधार पर की जाती है। किसी संख्या को K-अभाज्य कहा जाता है, यदि उसमें K विशिष्ट अभाज्य गुणनखंड हों। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ के-प्राइम गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 45015 = 1.5E-05*29.83. आप और अधिक के-प्राइम उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

के-प्राइम क्या है?

के-प्राइम के-प्राइम सूत्र की गणना [ए, बी] श्रेणी में के-प्राइम संख्याओं की संख्या खोजने की आवश्यकता के आधार पर की जाती है। किसी संख्या को K-अभाज्य कहा जाता है, यदि उसमें K विशिष्ट अभाज्य गुणनखंड हों। है और इसे K_p = μ_eff*C_ox या K Prime = MOSFET में गतिशीलता*गेट ऑक्साइड परत की धारिता के रूप में दर्शाया जाता है।

के-प्राइम की गणना कैसे करें?

के-प्राइम को के-प्राइम सूत्र की गणना [ए, बी] श्रेणी में के-प्राइम संख्याओं की संख्या खोजने की आवश्यकता के आधार पर की जाती है। किसी संख्या को K-अभाज्य कहा जाता है, यदि उसमें K विशिष्ट अभाज्य गुणनखंड हों। K Prime = MOSFET में गतिशीलता*गेट ऑक्साइड परत की धारिता K_p = μ_eff*C_ox के रूप में परिभाषित किया गया है। के-प्राइम की गणना करने के लिए, आपको MOSFET में गतिशीलता (μ_eff) & गेट ऑक्साइड परत की धारिता (C_ox) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको MOSFET में गतिशीलता को विद्युत क्षेत्र द्वारा खींचे जाने पर किसी धातु या अर्धचालक के माध्यम से तेज़ी से आगे बढ़ने की इलेक्ट्रॉन की क्षमता के आधार पर परिभाषित किया जाता है। & गेट ऑक्साइड परत की धारिता को क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के गेट टर्मिनल की धारिता के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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