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✖गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस की गणना में एमओएस गेट कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण कारक है।ⓘ एमओएस गेट कैपेसिटेंस [C_gcs]			+10% -10%
✖संक्रमण चौड़ाई को नाली-से-स्रोत वोल्टेज बढ़ने पर चौड़ाई में वृद्धि के रूप में परिभाषित किया गया है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रायोड क्षेत्र संतृप्ति क्षेत्र में परिवर्तित हो जाता है।ⓘ संक्रमण चौड़ाई [W]			+10% -10%

✖एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस एक कैपेसिटेंस है जो डिवाइस के निर्माण से ही आता है और आमतौर पर इसके आंतरिक पीएन जंक्शनों से जुड़ा होता है।ⓘ आंतरिक गेट क्षमता [C_mos]

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आंतरिक गेट क्षमता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस = एमओएस गेट कैपेसिटेंस*संक्रमण चौड़ाई
C_mos = C_gcs*W
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस एक कैपेसिटेंस है जो डिवाइस के निर्माण से ही आता है और आमतौर पर इसके आंतरिक पीएन जंक्शनों से जुड़ा होता है।
एमओएस गेट कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस की गणना में एमओएस गेट कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण कारक है।
संक्रमण चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - संक्रमण चौड़ाई को नाली-से-स्रोत वोल्टेज बढ़ने पर चौड़ाई में वृद्धि के रूप में परिभाषित किया गया है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रायोड क्षेत्र संतृप्ति क्षेत्र में परिवर्तित हो जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

एमओएस गेट कैपेसिटेंस: 20.04 माइक्रोफ़ारड --> 2.004E-05 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
संक्रमण चौड़ाई: 89.82 मिलीमीटर --> 0.08982 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_mos = C_gcs*W --> 2.004E-05*0.08982

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_mos = 1.7999928E-06

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

1.7999928E-06 फैरड -->1.7999928 माइक्रोफ़ारड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

1.7999928 ≈ 1.799993 माइक्रोफ़ारड <-- एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » वीएलएसआई निर्माण » वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन » आंतरिक गेट क्षमता

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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शारीरिक प्रभाव गुणांक

LaTeX जाओ शारीरिक प्रभाव गुणांक = modulus((सीमा वोल्टेज-दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल)/(sqrt(सतही क्षमता+(स्रोत शारीरिक संभावित अंतर))-sqrt(सतही क्षमता)))

डीआईबीएल गुणांक

LaTeX जाओ डीआईबीएल गुणांक = (दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल-सीमा वोल्टेज)/स्रोत क्षमता के लिए नाली

चैनल चार्ज

LaTeX जाओ चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

गंभीर वोल्टेज

LaTeX जाओ गंभीर वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*चैनल की लंबाई के पार विद्युत क्षेत्र

और देखें >>

आंतरिक गेट क्षमता सूत्र

LaTeX जाओ

एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस = एमओएस गेट कैपेसिटेंस*संक्रमण चौड़ाई
C_mos = C_gcs*W

CMOS में डोपिंग की क्या आवश्यकता है?

सीएमओएस तकनीक में डोपिंग का उपयोग सेमीकंडक्टर सामग्री में अशुद्धियाँ लाने और उसके विद्युत गुणों को बदलने के लिए किया जाता है। डोपेंट जोड़कर, मुक्त चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन या छेद) की संख्या बढ़ाई जा सकती है, जो डिवाइस के विद्युत व्यवहार पर अधिक नियंत्रण की अनुमति देता है। यह उच्च-प्रदर्शन वाले सीएमओएस सर्किट बनाने के लिए आवश्यक है जो एन-प्रकार और पी-प्रकार ट्रांजिस्टर दोनों का उपयोग करते हैं।

आंतरिक गेट क्षमता की गणना कैसे करें?

आंतरिक गेट क्षमता के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया एमओएस गेट कैपेसिटेंस (C_gcs), गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस की गणना में एमओएस गेट कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण कारक है। के रूप में & संक्रमण चौड़ाई (W), संक्रमण चौड़ाई को नाली-से-स्रोत वोल्टेज बढ़ने पर चौड़ाई में वृद्धि के रूप में परिभाषित किया गया है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रायोड क्षेत्र संतृप्ति क्षेत्र में परिवर्तित हो जाता है। के रूप में डालें। कृपया आंतरिक गेट क्षमता गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

आंतरिक गेट क्षमता गणना

आंतरिक गेट क्षमता कैलकुलेटर, एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए MOS Gate Overlap Capacitance = एमओएस गेट कैपेसिटेंस*संक्रमण चौड़ाई का उपयोग करता है। आंतरिक गेट क्षमता C_mos को BJT में आंतरिक गेट कैपेसिटेंस फॉर्मूला डिवाइस के निर्माण से ही आता है और आमतौर पर इसके आंतरिक पीएन जंक्शन से जुड़ा होता है। ट्रांजिस्टर में आंतरिक कैपेसिटेंस होते हैं जिनकी आमतौर पर आवश्यकता नहीं होती है और उच्च आवृत्तियों पर लाभ को कम करने का कार्य करते हैं। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ आंतरिक गेट क्षमता गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 1.8E+6 = 2.004E-05*0.08982. आप और अधिक आंतरिक गेट क्षमता उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

आंतरिक गेट क्षमता क्या है?

आंतरिक गेट क्षमता BJT में आंतरिक गेट कैपेसिटेंस फॉर्मूला डिवाइस के निर्माण से ही आता है और आमतौर पर इसके आंतरिक पीएन जंक्शन से जुड़ा होता है। ट्रांजिस्टर में आंतरिक कैपेसिटेंस होते हैं जिनकी आमतौर पर आवश्यकता नहीं होती है और उच्च आवृत्तियों पर लाभ को कम करने का कार्य करते हैं। है और इसे C_mos = C_gcs*W या MOS Gate Overlap Capacitance = एमओएस गेट कैपेसिटेंस*संक्रमण चौड़ाई के रूप में दर्शाया जाता है।

आंतरिक गेट क्षमता की गणना कैसे करें?

आंतरिक गेट क्षमता को BJT में आंतरिक गेट कैपेसिटेंस फॉर्मूला डिवाइस के निर्माण से ही आता है और आमतौर पर इसके आंतरिक पीएन जंक्शन से जुड़ा होता है। ट्रांजिस्टर में आंतरिक कैपेसिटेंस होते हैं जिनकी आमतौर पर आवश्यकता नहीं होती है और उच्च आवृत्तियों पर लाभ को कम करने का कार्य करते हैं। MOS Gate Overlap Capacitance = एमओएस गेट कैपेसिटेंस*संक्रमण चौड़ाई C_mos = C_gcs*W के रूप में परिभाषित किया गया है। आंतरिक गेट क्षमता की गणना करने के लिए, आपको एमओएस गेट कैपेसिटेंस (C_gcs) & संक्रमण चौड़ाई (W) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस की गणना में एमओएस गेट कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण कारक है। & संक्रमण चौड़ाई को नाली-से-स्रोत वोल्टेज बढ़ने पर चौड़ाई में वृद्धि के रूप में परिभाषित किया गया है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रायोड क्षेत्र संतृप्ति क्षेत्र में परिवर्तित हो जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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