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मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट कैलकुलेटर

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✖नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज वह वोल्टेज है जो सर्किट में ग्राउंड रेफरेंस वोल्टेज से कम होता है।ⓘ नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज [V_ee]			+10% -10%
✖बेस एमिटर वोल्टेज एक द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर के बेस-एमिटर जंक्शन पर वोल्टेज ड्रॉप है जब यह आगे की ओर झुका हुआ होता है।ⓘ बेस एमिटर वोल्टेज [V_be]			+10% -10%
✖MOSFET सर्किट में बेस प्रतिरोध का उपयोग MOSFET के आधार से प्रवाहित होने वाली धारा की मात्रा को सीमित करने के लिए किया जाता है।ⓘ आधार प्रतिरोध [R_b]			+10% -10%
✖करंट गेन फॉरवर्ड एक्टिव मोड में काम करने वाले द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर का डीसी करंट गेन है।ⓘ वर्तमान लाभ [β_dc]			+10% -10%
✖द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर का उत्सर्जक प्रतिरोध एक अवरोधक है जो ट्रांजिस्टर के उत्सर्जक टर्मिनल और जमीन या बिजली आपूर्ति रेल के बीच जुड़ा होता है।ⓘ उत्सर्जक प्रतिरोध [R_e]			+10% -10%

✖इनपुट बायसिंग करंट वह करंट है जो किसी विद्युत उपकरण में प्रवाहित होता है। इसे एम्पीयर (ए) में मापा जाता है।ⓘ मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट [I _base]

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सूत्र

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मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट

सूत्र

I base = \frac{V ee - V be}{R b + (β dc + 1) \cdot R e}

उदाहरण

0.036181 mA = \frac{12.25 V - 10 V}{56 kΩ + (1.21 + 1) \cdot 2.8 kΩ}

कैलकुलेटर

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रीसेट

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मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

इनपुट बायसिंग करंट = (नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज-बेस एमिटर वोल्टेज)/(आधार प्रतिरोध+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिरोध)
I _base = (V_ee-V_be)/(R_b+(β_dc+1)*R_e)
यह सूत्र 6 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

इनपुट बायसिंग करंट - (में मापा गया एम्पेयर) - इनपुट बायसिंग करंट वह करंट है जो किसी विद्युत उपकरण में प्रवाहित होता है। इसे एम्पीयर (ए) में मापा जाता है।
नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज वह वोल्टेज है जो सर्किट में ग्राउंड रेफरेंस वोल्टेज से कम होता है।
बेस एमिटर वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - बेस एमिटर वोल्टेज एक द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर के बेस-एमिटर जंक्शन पर वोल्टेज ड्रॉप है जब यह आगे की ओर झुका हुआ होता है।
आधार प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - MOSFET सर्किट में बेस प्रतिरोध का उपयोग MOSFET के आधार से प्रवाहित होने वाली धारा की मात्रा को सीमित करने के लिए किया जाता है।
वर्तमान लाभ - करंट गेन फॉरवर्ड एक्टिव मोड में काम करने वाले द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर का डीसी करंट गेन है।
उत्सर्जक प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर का उत्सर्जक प्रतिरोध एक अवरोधक है जो ट्रांजिस्टर के उत्सर्जक टर्मिनल और जमीन या बिजली आपूर्ति रेल के बीच जुड़ा होता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज: 12.25 वोल्ट --> 12.25 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
बेस एमिटर वोल्टेज: 10 वोल्ट --> 10 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आधार प्रतिरोध: 56 किलोहम --> 56000 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
वर्तमान लाभ: 1.21 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
उत्सर्जक प्रतिरोध: 2.8 किलोहम --> 2800 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

I _base = (V_ee-V_be)/(R_b+(β_dc+1)*R_e) --> (12.25-10)/(56000+(1.21+1)*2800)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

I _base = 3.61806136232071E-05

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

3.61806136232071E-05 एम्पेयर -->0.036180613623207 मिलीएम्पियर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

0.036180613623207 ≈ 0.036181 मिलीएम्पियर <-- इनपुट बायसिंग करंट

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई सुमा माधुरी

वीआईटी विश्वविद्यालय (विटामिन), चेन्नई

सुमा माधुरी ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित परमिंदर सिंह

चंडीगढ़ विश्वविद्यालय (घन), पंजाब

परमिंदर सिंह ने इस कैलकुलेटर और 500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< बयाझिंग कैलक्युलेटर्स

MOSFET का DC बायस करंट

जाओ डीसी बायस करंट = 1/2*ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2

ड्रेन पर डीसी बायस आउटपुट वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = वोल्टेज आपूर्ति-भार प्रतिरोध*डीसी बायस करंट

इनपुट बायस करंट

जाओ डीसी बायस करंट = (इनपुट पूर्वाग्रह वर्तमान 1+इनपुट बायस करंट 2)/2

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट

जाओ डीसी बायस करंट = 1/2*ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*प्रभावी वोल्टेज^2

और देखें >>

मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट सूत्र

इनपुट बायसिंग करंट = (नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज-बेस एमिटर वोल्टेज)/(आधार प्रतिरोध+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिरोध)
I _base = (V_ee-V_be)/(R_b+(β_dc+1)*R_e)

मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट की गणना कैसे करें?

मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज (V_ee), नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज वह वोल्टेज है जो सर्किट में ग्राउंड रेफरेंस वोल्टेज से कम होता है। के रूप में, बेस एमिटर वोल्टेज (V_be), बेस एमिटर वोल्टेज एक द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर के बेस-एमिटर जंक्शन पर वोल्टेज ड्रॉप है जब यह आगे की ओर झुका हुआ होता है। के रूप में, आधार प्रतिरोध (R_b), MOSFET सर्किट में बेस प्रतिरोध का उपयोग MOSFET के आधार से प्रवाहित होने वाली धारा की मात्रा को सीमित करने के लिए किया जाता है। के रूप में, वर्तमान लाभ (β_dc), करंट गेन फॉरवर्ड एक्टिव मोड में काम करने वाले द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर का डीसी करंट गेन है। के रूप में & उत्सर्जक प्रतिरोध (R_e), द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर का उत्सर्जक प्रतिरोध एक अवरोधक है जो ट्रांजिस्टर के उत्सर्जक टर्मिनल और जमीन या बिजली आपूर्ति रेल के बीच जुड़ा होता है। के रूप में डालें। कृपया मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट गणना

मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट कैलकुलेटर, इनपुट बायसिंग करंट की गणना करने के लिए Input Biasing Current = (नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज-बेस एमिटर वोल्टेज)/(आधार प्रतिरोध+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिरोध) का उपयोग करता है। मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट I _base को मॉसफेट फॉर्मूला के इनपुट बायसिंग करंट को उस करंट के रूप में परिभाषित किया गया है जो इसे संचालित करने के लिए MOSFET के गेट टर्मिनल में प्रवाहित होता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट गणना को संख्या में समझा जा सकता है - -156.782659 = (12.25-10)/(56000+(1.21+1)*2800). आप और अधिक मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट क्या है?

मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट मॉसफेट फॉर्मूला के इनपुट बायसिंग करंट को उस करंट के रूप में परिभाषित किया गया है जो इसे संचालित करने के लिए MOSFET के गेट टर्मिनल में प्रवाहित होता है। है और इसे I _base = (V_ee-V_be)/(R_b+(β_dc+1)*R_e) या Input Biasing Current = (नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज-बेस एमिटर वोल्टेज)/(आधार प्रतिरोध+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिरोध) के रूप में दर्शाया जाता है।

मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट की गणना कैसे करें?

मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट को मॉसफेट फॉर्मूला के इनपुट बायसिंग करंट को उस करंट के रूप में परिभाषित किया गया है जो इसे संचालित करने के लिए MOSFET के गेट टर्मिनल में प्रवाहित होता है। Input Biasing Current = (नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज-बेस एमिटर वोल्टेज)/(आधार प्रतिरोध+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिरोध) I _base = (V_ee-V_be)/(R_b+(β_dc+1)*R_e) के रूप में परिभाषित किया गया है। मॉसफेट का इनपुट बायसिंग करंट की गणना करने के लिए, आपको नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज (V_ee), बेस एमिटर वोल्टेज (V_be), आधार प्रतिरोध (R_b), वर्तमान लाभ (β_dc) & उत्सर्जक प्रतिरोध (R_e) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज वह वोल्टेज है जो सर्किट में ग्राउंड रेफरेंस वोल्टेज से कम होता है।, बेस एमिटर वोल्टेज एक द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर के बेस-एमिटर जंक्शन पर वोल्टेज ड्रॉप है जब यह आगे की ओर झुका हुआ होता है।, MOSFET सर्किट में बेस प्रतिरोध का उपयोग MOSFET के आधार से प्रवाहित होने वाली धारा की मात्रा को सीमित करने के लिए किया जाता है।, करंट गेन फॉरवर्ड एक्टिव मोड में काम करने वाले द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर का डीसी करंट गेन है। & द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर का उत्सर्जक प्रतिरोध एक अवरोधक है जो ट्रांजिस्टर के उत्सर्जक टर्मिनल और जमीन या बिजली आपूर्ति रेल के बीच जुड़ा होता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

इनपुट बायसिंग करंट की गणना करने के कितने तरीके हैं?

इनपुट बायसिंग करंट नकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज (V_ee), बेस एमिटर वोल्टेज (V_be), आधार प्रतिरोध (R_b), वर्तमान लाभ (β_dc) & उत्सर्जक प्रतिरोध (R_e) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

इनपुट बायसिंग करंट = (पूर्वाग्रह वोल्टेज-बेस एमिटर वोल्टेज)/आधार प्रतिरोध

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