गेट टू ड्रेन पोटेंशियल कैलकुलेटर

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को गेट टू ड्रेन पोटेंशियल फॉर्मूला को MOSFETs के गेट और ड्रेन जंक्शन पर वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। Gate to Drain Potential = 2*गेट टू चैनल वोल्टेज-स्रोत क्षमता का द्वार V_gd = 2*V_gc-V_gs के रूप में परिभाषित किया गया है। गेट टू ड्रेन पोटेंशियल की गणना करने के लिए, आपको गेट टू चैनल वोल्टेज (V_gc) & स्रोत क्षमता का द्वार (V_gs) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको गेट टू चैनल वोल्टेज को इस प्रकार परिभाषित किया जाता है कि जब गेट वोल्टेज थ्रेशोल्ड वोल्टेज के आसपास होता है तो ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध रेटेड मूल्य से बड़ा होता है। & गेट टू सोर्स पोटेंशियल गेट और एमिटर के बीच वोल्टेज है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।