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गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल कैलकुलेटर

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✖गेट टू सोर्स पोटेंशियल गेट और एमिटर के बीच वोल्टेज है।ⓘ स्रोत क्षमता का द्वार [V_gs]			+10% -10%
✖गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को MOSFETs के गेट और ड्रेन जंक्शन पर वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ गेट टू ड्रेन पोटेंशियल [V_gd]			+10% -10%

✖गेट टू चैनल वोल्टेज को इस प्रकार परिभाषित किया जाता है कि जब गेट वोल्टेज थ्रेशोल्ड वोल्टेज के आसपास होता है तो ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध रेटेड मूल्य से बड़ा होता है।ⓘ गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल [V_gc]

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गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

गेट टू चैनल वोल्टेज = (स्रोत क्षमता का द्वार+गेट टू ड्रेन पोटेंशियल)/2
V_gc = (V_gs+V_gd)/2
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

गेट टू चैनल वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट टू चैनल वोल्टेज को इस प्रकार परिभाषित किया जाता है कि जब गेट वोल्टेज थ्रेशोल्ड वोल्टेज के आसपास होता है तो ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध रेटेड मूल्य से बड़ा होता है।
स्रोत क्षमता का द्वार - (में मापा गया वोल्ट) - गेट टू सोर्स पोटेंशियल गेट और एमिटर के बीच वोल्टेज है।
गेट टू ड्रेन पोटेंशियल - (में मापा गया वोल्ट) - गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को MOSFETs के गेट और ड्रेन जंक्शन पर वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

स्रोत क्षमता का द्वार: 5 वोल्ट --> 5 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
गेट टू ड्रेन पोटेंशियल: 9.02 वोल्ट --> 9.02 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

V_gc = (V_gs+V_gd)/2 --> (5+9.02)/2

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

V_gc = 7.01

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

7.01 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

7.01 वोल्ट <-- गेट टू चैनल वोल्टेज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » वीएलएसआई निर्माण » एनालॉग वीएलएसआई डिज़ाइन » गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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गेट टू बेस कैपेसिटेंस

LaTeX जाओ गेट टू बेस कैपेसिटेंस = गेट कैपेसिटेंस-(गेट टू सोर्स कैपेसिटेंस+गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस)

नाली का वोल्टेज

LaTeX जाओ बेस कलेक्टर वोल्टेज = sqrt(गतिशील शक्ति/(आवृत्ति*समाई))

गेट टू चैनल वोल्ट

LaTeX जाओ गेट टू चैनल वोल्टेज = (चैनल चार्ज/गेट कैपेसिटेंस)+सीमा वोल्टेज

गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल

LaTeX जाओ गेट टू चैनल वोल्टेज = (स्रोत क्षमता का द्वार+गेट टू ड्रेन पोटेंशियल)/2

और देखें >>

गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल सूत्र

LaTeX जाओ

गेट टू चैनल वोल्टेज = (स्रोत क्षमता का द्वार+गेट टू ड्रेन पोटेंशियल)/2
V_gc = (V_gs+V_gd)/2

लॉन्ग-चैनल मॉडल का क्या महत्व है?

लॉन्ग-चैनल मॉडल मानता है कि एक OFF ट्रांजिस्टर के माध्यम से करंट 0. है। जब एक ट्रांजिस्टर चालू होता है (Vgs> Vt), तो गेट एक चैनल बनाने के लिए वाहक (इलेक्ट्रॉनों) को आकर्षित करता है। इन क्षेत्रों के बीच विद्युत क्षेत्र के समानुपाती दर पर स्रोत से प्रवाहित होने वाले इलेक्ट्रॉन प्रवाहित होते हैं। इस प्रकार, हम धाराओं की गणना कर सकते हैं यदि हम चैनल में आवेश की मात्रा और उसके चलने की दर को जानते हैं।

गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल की गणना कैसे करें?

गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया स्रोत क्षमता का द्वार (V_gs), गेट टू सोर्स पोटेंशियल गेट और एमिटर के बीच वोल्टेज है। के रूप में & गेट टू ड्रेन पोटेंशियल (V_gd), गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को MOSFETs के गेट और ड्रेन जंक्शन पर वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में डालें। कृपया गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल गणना

गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल कैलकुलेटर, गेट टू चैनल वोल्टेज की गणना करने के लिए Gate to Channel Voltage = (स्रोत क्षमता का द्वार+गेट टू ड्रेन पोटेंशियल)/2 का उपयोग करता है। गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल V_gc को गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल फॉर्मूला को MOSFETs के गेट और कलेक्टर क्षेत्र के बीच कुल वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 7.01 = (5+9.02)/2. आप और अधिक गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल क्या है?

गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल फॉर्मूला को MOSFETs के गेट और कलेक्टर क्षेत्र के बीच कुल वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे V_gc = (V_gs+V_gd)/2 या Gate to Channel Voltage = (स्रोत क्षमता का द्वार+गेट टू ड्रेन पोटेंशियल)/2 के रूप में दर्शाया जाता है।

गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल की गणना कैसे करें?

गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल को गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल फॉर्मूला को MOSFETs के गेट और कलेक्टर क्षेत्र के बीच कुल वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। Gate to Channel Voltage = (स्रोत क्षमता का द्वार+गेट टू ड्रेन पोटेंशियल)/2 V_gc = (V_gs+V_gd)/2 के रूप में परिभाषित किया गया है। गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल की गणना करने के लिए, आपको स्रोत क्षमता का द्वार (V_gs) & गेट टू ड्रेन पोटेंशियल (V_gd) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको गेट टू सोर्स पोटेंशियल गेट और एमिटर के बीच वोल्टेज है। & गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को MOSFETs के गेट और ड्रेन जंक्शन पर वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

गेट टू चैनल वोल्टेज की गणना करने के कितने तरीके हैं?

गेट टू चैनल वोल्टेज स्रोत क्षमता का द्वार (V_gs) & गेट टू ड्रेन पोटेंशियल (V_gd) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

गेट टू चैनल वोल्टेज = (चैनल चार्ज/गेट कैपेसिटेंस)+सीमा वोल्टेज

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