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FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस कैलकुलेटर

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✖गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम (FET) गेट-टू-सोर्स कैपेसिटेंस को डिस्चार्ज करने के लिए आवश्यक समय को संदर्भित करता है, जो स्विचिंग गति और पावर दक्षता को नियंत्रित करने के लिए एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है।ⓘ गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET [T_gs-off(fet)]			+10% -10%
✖ड्रेन स्रोत वोल्टेज FET, FET के ड्रेन और स्रोत टर्मिनल के बीच का वोल्टेज है।ⓘ नाली स्रोत वोल्टेज FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है।ⓘ सतही विभव FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖गेट स्रोत धारिता (FET) एक FET के गेट और स्रोत टर्मिनलों के बीच धारिता है।ⓘ FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस [C_gs(fet)]

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FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET = गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-(नाली स्रोत वोल्टेज FET/सतही विभव FET))^(1/3)
C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3)
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET - (में मापा गया फैरड) - गेट स्रोत धारिता (FET) एक FET के गेट और स्रोत टर्मिनलों के बीच धारिता है।
गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET - (में मापा गया दूसरा) - गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम (FET) गेट-टू-सोर्स कैपेसिटेंस को डिस्चार्ज करने के लिए आवश्यक समय को संदर्भित करता है, जो स्विचिंग गति और पावर दक्षता को नियंत्रित करने के लिए एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है।
नाली स्रोत वोल्टेज FET - (में मापा गया वोल्ट) - ड्रेन स्रोत वोल्टेज FET, FET के ड्रेन और स्रोत टर्मिनल के बीच का वोल्टेज है।
सतही विभव FET - (में मापा गया वोल्ट) - सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET: 2.234 दूसरा --> 2.234 दूसरा कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
नाली स्रोत वोल्टेज FET: 4.8 वोल्ट --> 4.8 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सतही विभव FET: 4.976 वोल्ट --> 4.976 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3) --> 2.234/(1-(4.8/4.976))^(1/3)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_gs(fet) = 6.80569376657684

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

6.80569376657684 फैरड --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

6.80569376657684 ≈ 6.805694 फैरड <-- गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई मोहम्मद फ़ाज़िल वी

आचार्य प्रौद्योगिकी संस्थान (उपद्वीप), बेंगलुरु

मोहम्मद फ़ाज़िल वी ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित परमिंदर सिंह

चंडीगढ़ विश्वविद्यालय (घन), पंजाब

परमिंदर सिंह ने इस कैलकुलेटर और 500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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एफईटी का ट्रांसकंडक्टेंस

LaTeX जाओ फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस FET = (2*शून्य बायस ड्रेन करंट)/पिंच ऑफ वोल्टेज*(1-नाली स्रोत वोल्टेज FET/पिंच ऑफ वोल्टेज)

एफईटी का ड्रेन सोर्स वोल्टेज

LaTeX जाओ नाली स्रोत वोल्टेज FET = ड्रेन FET पर आपूर्ति वोल्टेज-ड्रेन करंट FET*(नाली प्रतिरोध FET+स्रोत प्रतिरोध FET)

एफईटी का ड्रेन करंट

LaTeX जाओ ड्रेन करंट FET = शून्य बायस ड्रेन करंट*(1-नाली स्रोत वोल्टेज FET/कट-ऑफ वोल्टेज FET)^2

FET का वोल्टेज बंद करें

LaTeX जाओ पिंच ऑफ वोल्टेज = पिंच ऑफ ड्रेन सोर्स वोल्टेज FET-नाली स्रोत वोल्टेज FET

और देखें >>

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस सूत्र

LaTeX जाओ

गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET = गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-(नाली स्रोत वोल्टेज FET/सतही विभव FET))^(1/3)
C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3)

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET (T_gs-off(fet)), गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम (FET) गेट-टू-सोर्स कैपेसिटेंस को डिस्चार्ज करने के लिए आवश्यक समय को संदर्भित करता है, जो स्विचिंग गति और पावर दक्षता को नियंत्रित करने के लिए एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। के रूप में, नाली स्रोत वोल्टेज FET (V_ds(fet)), ड्रेन स्रोत वोल्टेज FET, FET के ड्रेन और स्रोत टर्मिनल के बीच का वोल्टेज है। के रूप में & सतही विभव FET (Ψ_0(fet)), सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है। के रूप में डालें। कृपया FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस गणना

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस कैलकुलेटर, गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET की गणना करने के लिए Gate Source Capacitance FET = गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-(नाली स्रोत वोल्टेज FET/सतही विभव FET))^(1/3) का उपयोग करता है। FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस C_gs(fet) को FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस, FET के गेट और सोर्स टर्मिनल के बीच की कैपेसिटेंस है। यह ऑक्साइड की पतली परत के कारण होता है जो गेट को चैनल से अलग रखता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 6.805694 = 2.234/(1-(4.8/4.976))^(1/3). आप और अधिक FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस क्या है?

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस, FET के गेट और सोर्स टर्मिनल के बीच की कैपेसिटेंस है। यह ऑक्साइड की पतली परत के कारण होता है जो गेट को चैनल से अलग रखता है। है और इसे C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3) या Gate Source Capacitance FET = गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-(नाली स्रोत वोल्टेज FET/सतही विभव FET))^(1/3) के रूप में दर्शाया जाता है।

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस को FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस, FET के गेट और सोर्स टर्मिनल के बीच की कैपेसिटेंस है। यह ऑक्साइड की पतली परत के कारण होता है जो गेट को चैनल से अलग रखता है। Gate Source Capacitance FET = गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-(नाली स्रोत वोल्टेज FET/सतही विभव FET))^(1/3) C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3) के रूप में परिभाषित किया गया है। FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET (T_gs-off(fet)), नाली स्रोत वोल्टेज FET (V_ds(fet)) & सतही विभव FET (Ψ_0(fet)) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम (FET) गेट-टू-सोर्स कैपेसिटेंस को डिस्चार्ज करने के लिए आवश्यक समय को संदर्भित करता है, जो स्विचिंग गति और पावर दक्षता को नियंत्रित करने के लिए एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है।, ड्रेन स्रोत वोल्टेज FET, FET के ड्रेन और स्रोत टर्मिनल के बीच का वोल्टेज है। & सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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