कमरे के तापमान पर प्रतिक्रिया भागफल दिए गए नेर्स्ट समीकरण का उपयोग करते हुए सेल का EMF कैलकुलेटर

कमरे के तापमान पर प्रतिक्रिया भागफल दिए गए नेर्स्ट समीकरण का उपयोग करते हुए सेल का EMF को कमरे के तापमान पर प्रतिक्रिया भागफल दिए गए नेर्स्ट समीकरण का उपयोग करते हुए सेल का ईएमएफ मानक परिस्थितियों में सेल की इलेक्ट्रोड क्षमता को निर्धारित करने में सक्षम बनाता है। EMF of Cell = सेल की मानक क्षमता-(0.0591*log10(प्रतिक्रिया भाव)/आयनिक आवेश) EMF = E0_cell-(0.0591*log10(Q)/z) के रूप में परिभाषित किया गया है। कमरे के तापमान पर प्रतिक्रिया भागफल दिए गए नेर्स्ट समीकरण का उपयोग करते हुए सेल का EMF की गणना करने के लिए, आपको सेल की मानक क्षमता (E0_cell), प्रतिक्रिया भाव (Q) & आयनिक आवेश (z) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको सेल की मानक क्षमता मानक राज्य स्थितियों के तहत सेल की क्षमता है, जो कि 1 मोल प्रति लीटर (1 एम) की सांद्रता और 25 डिग्री सेल्सियस पर 1 वायुमंडल के दबावों के साथ अनुमानित है।, प्रतिक्रिया भागफल (Q) किसी विशेष बिंदु पर प्रतिक्रिया के दौरान मौजूद उत्पादों और अभिकारकों की सापेक्ष मात्रा को मापता है। & आयनिक आवेश एक आयन का विद्युत आवेश है, जो किसी परमाणु या परमाणुओं के समूह से एक या अधिक इलेक्ट्रॉनों के लाभ (नकारात्मक आवेश) या हानि (सकारात्मक आवेश) द्वारा निर्मित होता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

सेल का ईएमएफ सेल की मानक क्षमता (E0_cell), प्रतिक्रिया भाव (Q) & आयनिक आवेश (z) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 3 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

• सेल का ईएमएफ = कैथोड की मानक कमी क्षमता-एनोड की मानक ऑक्सीकरण क्षमता
• सेल का ईएमएफ = (([R]*तापमान)/[Faraday])*(ln(कैथोडिक आयनिक गतिविधि/एनोडिक आयनिक गतिविधि))
• सेल का ईएमएफ = 2*(([R]*तापमान)/[Faraday])*(ln((कैथोडिक इलेक्ट्रोलाइट मोलिटी*कैथोडिक गतिविधि गुणांक)/(एनोडिक इलेक्ट्रोलाइट मोलिटी*एनोडिक गतिविधि गुणांक)))