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NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग कैलकुलेटर

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✖चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता एक विद्युत क्षेत्र के अधीन सामग्री की सतह परत के भीतर स्थानांतरित करने या संचालित करने के लिए इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को दर्शाती है।ⓘ चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता [μn]
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✖चैनल की लंबाई में विद्युत क्षेत्र प्रति यूनिट चार्ज बल है जो एक कण अनुभव करता है क्योंकि यह चैनल के माध्यम से चलता है।ⓘ चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र [EL]
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✖इलेक्ट्रॉन बहाव वेग विद्युत क्षेत्र के कारण होता है जो बदले में चैनल इलेक्ट्रॉनों को वेग के साथ नाली की ओर बहाव का कारण बनता है।ⓘ NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग [vd]
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NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
इलेक्ट्रॉन बहाव वेग = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र
vd = μn*EL
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है
चर
इलेक्ट्रॉन बहाव वेग - (में मापा गया मीटर प्रति सेकंड) - इलेक्ट्रॉन बहाव वेग विद्युत क्षेत्र के कारण होता है जो बदले में चैनल इलेक्ट्रॉनों को वेग के साथ नाली की ओर बहाव का कारण बनता है।
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता एक विद्युत क्षेत्र के अधीन सामग्री की सतह परत के भीतर स्थानांतरित करने या संचालित करने के लिए इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को दर्शाती है।
चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र - (में मापा गया वोल्ट) - चैनल की लंबाई में विद्युत क्षेत्र प्रति यूनिट चार्ज बल है जो एक कण अनुभव करता है क्योंकि यह चैनल के माध्यम से चलता है।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता: 2.2 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 2.2 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र: 10.6 वोल्ट --> 10.6 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
vd = μn*EL --> 2.2*10.6
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
vd = 23.32
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
23.32 मीटर प्रति सेकंड --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आख़री जवाब
23.32 मीटर प्रति सेकंड <-- इलेक्ट्रॉन बहाव वेग
(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)
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क्रेडिट

Creator Image
के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया
बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी
पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
Verifier Image
के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़
विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

एन चैनल संवर्द्धन कैलक्युलेटर्स

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत
​ LaTeX ​ जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2)
NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है
​ LaTeX ​ जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज^2)
NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में
​ LaTeX ​ जाओ रैखिक प्रतिरोध = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड क्षमता*चैनल की चौड़ाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज))
NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग
​ LaTeX ​ जाओ इलेक्ट्रॉन बहाव वेग = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र

NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग सूत्र

​LaTeX ​जाओ
इलेक्ट्रॉन बहाव वेग = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र
vd = μn*EL

NMOS ट्रांजिस्टर के काम के बारे में बताएं।

गैस स्रोत> थ्रेसहोल्ड वोल्टेज में वोल्टेज के साथ एक NMOS ट्रांजिस्टर और नाली और स्रोत के बीच एक छोटे वोल्टेज के साथ लागू किया जाता है। उपकरण एक प्रतिरोध के रूप में कार्य करता है जिसका मान गैस स्रोत के पार वोल्टेज द्वारा निर्धारित किया जाता है। विशेष रूप से, चैनल प्रवाहकत्त्व गैस स्रोत के पार वोल्टेज के लिए आनुपातिक है - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, और इस प्रकार ईडी आनुपातिक है (गैस स्रोत में वोल्टेज - थ्रेशोल्ड वोल्टेज) नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज

चैनल में इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता क्या है?

μ

NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग की गणना कैसे करें?

NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μn), चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता एक विद्युत क्षेत्र के अधीन सामग्री की सतह परत के भीतर स्थानांतरित करने या संचालित करने के लिए इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को दर्शाती है। के रूप में & चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र (EL), चैनल की लंबाई में विद्युत क्षेत्र प्रति यूनिट चार्ज बल है जो एक कण अनुभव करता है क्योंकि यह चैनल के माध्यम से चलता है। के रूप में डालें। कृपया NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग गणना

NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग कैलकुलेटर, इलेक्ट्रॉन बहाव वेग की गणना करने के लिए Electron Drift Velocity = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र का उपयोग करता है। NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग vd को NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग विद्युत क्षेत्र के कारण होता है जो बदले में चैनल इलेक्ट्रॉनों को वेग के साथ नाली की ओर बहाव का कारण बनता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 23.32 = 2.2*10.6. आप और अधिक NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग क्या है?
NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग विद्युत क्षेत्र के कारण होता है जो बदले में चैनल इलेक्ट्रॉनों को वेग के साथ नाली की ओर बहाव का कारण बनता है। है और इसे vd = μn*EL या Electron Drift Velocity = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र के रूप में दर्शाया जाता है।
NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग की गणना कैसे करें?
NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग को NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग विद्युत क्षेत्र के कारण होता है जो बदले में चैनल इलेक्ट्रॉनों को वेग के साथ नाली की ओर बहाव का कारण बनता है। Electron Drift Velocity = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र vd = μn*EL के रूप में परिभाषित किया गया है। NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग की गणना करने के लिए, आपको चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μn) & चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र (EL) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता एक विद्युत क्षेत्र के अधीन सामग्री की सतह परत के भीतर स्थानांतरित करने या संचालित करने के लिए इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को दर्शाती है। & चैनल की लंबाई में विद्युत क्षेत्र प्रति यूनिट चार्ज बल है जो एक कण अनुभव करता है क्योंकि यह चैनल के माध्यम से चलता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
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