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CMOS में प्रभावी क्षमता कैलकुलेटर

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✖कर्तव्य चक्र या शक्ति चक्र एक अवधि का वह अंश है जिसमें कोई सिग्नल या सिस्टम सक्रिय होता है।ⓘ साइकिल शुल्क [D]			+10% -10%
✖स्विच का ऑफ करंट वास्तविकता में एक गैर-मौजूद मूल्य है। वास्तविक स्विचों में आम तौर पर बहुत कम ऑफ करंट होता है जिसे कभी-कभी लीकेज करंट भी कहा जाता है।ⓘ ऑफ करंट [i_off]			+10% -10%
✖ट्रांजिस्टर बायसिंग में बेस कलेक्टर वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। यह ट्रांजिस्टर के सक्रिय अवस्था में होने पर उसके आधार और कलेक्टर टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है।ⓘ बेस कलेक्टर वोल्टेज [V_bc]			+10% -10%
✖क्रिटिकल पाथ पर गेट्स को सीएमओएस में एक चक्र समय के दौरान आवश्यक लॉजिक गेट की कुल संख्या के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ क्रिटिकल पाथ पर गेट्स [N_g]			+10% -10%

✖सीएमओएस में प्रभावी कैपेसिटेंस को कंडक्टर पर संग्रहीत विद्युत चार्ज की मात्रा और विद्युत क्षमता में अंतर के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ CMOS में प्रभावी क्षमता [C_eff]

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CMOS में प्रभावी क्षमता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

CMOS में प्रभावी समाई = साइकिल शुल्क*(ऑफ करंट*(10^(बेस कलेक्टर वोल्टेज)))/(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स*[BoltZ]*बेस कलेक्टर वोल्टेज)
C_eff = D*(i_off*(10^(V_bc)))/(N_g*[BoltZ]*V_bc)
यह सूत्र 1 स्थिरांक, 5 वेरिएबल का उपयोग करता है

लगातार इस्तेमाल किया

[BoltZ] - बोल्ट्ज़मान स्थिरांक मान लिया गया 1.38064852E-23

चर

CMOS में प्रभावी समाई - (में मापा गया फैरड) - सीएमओएस में प्रभावी कैपेसिटेंस को कंडक्टर पर संग्रहीत विद्युत चार्ज की मात्रा और विद्युत क्षमता में अंतर के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।
साइकिल शुल्क - कर्तव्य चक्र या शक्ति चक्र एक अवधि का वह अंश है जिसमें कोई सिग्नल या सिस्टम सक्रिय होता है।
ऑफ करंट - (में मापा गया एम्पेयर) - स्विच का ऑफ करंट वास्तविकता में एक गैर-मौजूद मूल्य है। वास्तविक स्विचों में आम तौर पर बहुत कम ऑफ करंट होता है जिसे कभी-कभी लीकेज करंट भी कहा जाता है।
बेस कलेक्टर वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - ट्रांजिस्टर बायसिंग में बेस कलेक्टर वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। यह ट्रांजिस्टर के सक्रिय अवस्था में होने पर उसके आधार और कलेक्टर टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है।
क्रिटिकल पाथ पर गेट्स - क्रिटिकल पाथ पर गेट्स को सीएमओएस में एक चक्र समय के दौरान आवश्यक लॉजिक गेट की कुल संख्या के रूप में परिभाषित किया गया है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

साइकिल शुल्क: 1.3E-25 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
ऑफ करंट: 0.01 मिलीएम्पियर --> 1E-05 एम्पेयर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
बेस कलेक्टर वोल्टेज: 2.02 वोल्ट --> 2.02 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
क्रिटिकल पाथ पर गेट्स: 0.95 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_eff = D*(i_off*(10^(V_bc)))/(N_g*[BoltZ]*V_bc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_eff = 5.13789525162511E-06

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

5.13789525162511E-06 फैरड -->5.13789525162511 माइक्रोफ़ारड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

5.13789525162511 ≈ 5.137895 माइक्रोफ़ारड <-- CMOS में प्रभावी समाई

(गणना 00.021 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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सीएमओएस क्रिटिकल वोल्टेज

LaTeX जाओ सीएमओएस में क्रिटिकल वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*मुक्त पथ मतलब

CMOS का मतलब फ्री पाथ है

LaTeX जाओ मुक्त पथ मतलब = सीएमओएस में क्रिटिकल वोल्टेज/क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड

स्रोत प्रसार का क्षेत्र

LaTeX जाओ स्रोत प्रसार का क्षेत्र = स्रोत की लंबाई*संक्रमण चौड़ाई

स्रोत प्रसार की चौड़ाई

LaTeX जाओ संक्रमण चौड़ाई = स्रोत प्रसार का क्षेत्र/स्रोत की लंबाई

और देखें >>

CMOS में प्रभावी क्षमता सूत्र

LaTeX जाओ

सुब्रहेशल्ड चालन क्या है?

सबथ्रेशल्ड कंडक्शन या सबथ्रेशोल्ड लीकेज या सबथ्रेशल्ड ड्रेन करंट एक MOSFET के स्रोत और ड्रेन के बीच का करंट होता है जब ट्रांजिस्टर सबथ्रेशल्ड रीजन में होता है, या कमजोर-इनवर्जन रीजन, यानी थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे गेट-टू-सोर्स वॉल्टेज के लिए होता है।

CMOS में प्रभावी क्षमता की गणना कैसे करें?

CMOS में प्रभावी क्षमता के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया साइकिल शुल्क (D), कर्तव्य चक्र या शक्ति चक्र एक अवधि का वह अंश है जिसमें कोई सिग्नल या सिस्टम सक्रिय होता है। के रूप में, ऑफ करंट (i_off), स्विच का ऑफ करंट वास्तविकता में एक गैर-मौजूद मूल्य है। वास्तविक स्विचों में आम तौर पर बहुत कम ऑफ करंट होता है जिसे कभी-कभी लीकेज करंट भी कहा जाता है। के रूप में, बेस कलेक्टर वोल्टेज (V_bc), ट्रांजिस्टर बायसिंग में बेस कलेक्टर वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। यह ट्रांजिस्टर के सक्रिय अवस्था में होने पर उसके आधार और कलेक्टर टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है। के रूप में & क्रिटिकल पाथ पर गेट्स (N_g), क्रिटिकल पाथ पर गेट्स को सीएमओएस में एक चक्र समय के दौरान आवश्यक लॉजिक गेट की कुल संख्या के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में डालें। कृपया CMOS में प्रभावी क्षमता गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

CMOS में प्रभावी क्षमता गणना

CMOS में प्रभावी क्षमता कैलकुलेटर, CMOS में प्रभावी समाई की गणना करने के लिए Effective Capacitance in CMOS = साइकिल शुल्क*(ऑफ करंट*(10^(बेस कलेक्टर वोल्टेज)))/(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स*[BoltZ]*बेस कलेक्टर वोल्टेज) का उपयोग करता है। CMOS में प्रभावी क्षमता C_eff को सीएमओएस फॉर्मूले में प्रभावी कैपेसिटेंस को एक संवाहक पर संग्रहीत विद्युत आवेश की मात्रा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जो विद्युत क्षमता में अंतर है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ CMOS में प्रभावी क्षमता गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 5.1E+6 = 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02). आप और अधिक CMOS में प्रभावी क्षमता उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

CMOS में प्रभावी क्षमता क्या है?

CMOS में प्रभावी क्षमता सीएमओएस फॉर्मूले में प्रभावी कैपेसिटेंस को एक संवाहक पर संग्रहीत विद्युत आवेश की मात्रा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जो विद्युत क्षमता में अंतर है। है और इसे C_eff = D*(i_off*(10^(V_bc)))/(N_g*[BoltZ]*V_bc) या Effective Capacitance in CMOS = साइकिल शुल्क*(ऑफ करंट*(10^(बेस कलेक्टर वोल्टेज)))/(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स*[BoltZ]*बेस कलेक्टर वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

CMOS में प्रभावी क्षमता की गणना कैसे करें?

CMOS में प्रभावी क्षमता को सीएमओएस फॉर्मूले में प्रभावी कैपेसिटेंस को एक संवाहक पर संग्रहीत विद्युत आवेश की मात्रा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जो विद्युत क्षमता में अंतर है। Effective Capacitance in CMOS = साइकिल शुल्क*(ऑफ करंट*(10^(बेस कलेक्टर वोल्टेज)))/(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स*[BoltZ]*बेस कलेक्टर वोल्टेज) C_eff = D*(i_off*(10^(V_bc)))/(N_g*[BoltZ]*V_bc) के रूप में परिभाषित किया गया है। CMOS में प्रभावी क्षमता की गणना करने के लिए, आपको साइकिल शुल्क (D), ऑफ करंट (i_off), बेस कलेक्टर वोल्टेज (V_bc) & क्रिटिकल पाथ पर गेट्स (N_g) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको कर्तव्य चक्र या शक्ति चक्र एक अवधि का वह अंश है जिसमें कोई सिग्नल या सिस्टम सक्रिय होता है।, स्विच का ऑफ करंट वास्तविकता में एक गैर-मौजूद मूल्य है। वास्तविक स्विचों में आम तौर पर बहुत कम ऑफ करंट होता है जिसे कभी-कभी लीकेज करंट भी कहा जाता है।, ट्रांजिस्टर बायसिंग में बेस कलेक्टर वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। यह ट्रांजिस्टर के सक्रिय अवस्था में होने पर उसके आधार और कलेक्टर टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है। & क्रिटिकल पाथ पर गेट्स को सीएमओएस में एक चक्र समय के दौरान आवश्यक लॉजिक गेट की कुल संख्या के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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