दो संख्या का एलसीएम

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व कैलकुलेटर

अभियांत्रिकी खेल का मैदान गणित भौतिक विज्ञान अधिक >>

↳

इलेक्ट्रानिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स और इंस्ट्रूमेंटेशन नागरिक निर्माण इंजीनियरिंग अधिक >>

⤿

इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी)अंकीय संचार अंतःस्थापित प्रणाली आरएफ माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स अधिक >>

⤿

एमओएस आईसी निर्माण द्विध्रुवी आईसी निर्माण श्मिट ट्रिगर

✖इलेक्ट्रॉन सांद्रण किसी सामग्री में प्रति इकाई आयतन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या को संदर्भित करता है।ⓘ इलेक्ट्रॉन एकाग्रता [n]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं।ⓘ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता [μ_n]			+10% -10%
✖विद्युत क्षेत्र की तीव्रता एक वेक्टर मात्रा है जो अन्य आवेशों की उपस्थिति के कारण अंतरिक्ष में किसी दिए गए बिंदु पर एक सकारात्मक परीक्षण आवेश द्वारा अनुभव किए गए बल का प्रतिनिधित्व करती है।ⓘ विद्युत क्षेत्र की तीव्रता [E_i]			+10% -10%

✖इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व एक विद्युत क्षेत्र के प्रभाव में अर्धचालक पदार्थ में आवेश वाहकों (इलेक्ट्रॉनों) की गति को संदर्भित करता है।ⓘ मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व [J_n]

⎘ कॉपी

👎

सूत्र

✖

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व

सूत्र

J n = [Charge-e] \cdot n \cdot μ n \cdot E i

उदाहरण

53.83313 µA = [Charge-e] \cdot 1E+6 electrons/cm³ \cdot 30 m²/V*s \cdot 11.2 V/m

कैलकुलेटर

LaTeX

रीसेट

👍

डाउनलोड करना एमओएस आईसी निर्माण सूत्र पीडीएफ PDF Image

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता
J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i
यह सूत्र 1 स्थिरांक, 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

लगातार इस्तेमाल किया

[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश मान लिया गया 1.60217662E-19

चर

इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व - (में मापा गया एम्पेयर) - इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व एक विद्युत क्षेत्र के प्रभाव में अर्धचालक पदार्थ में आवेश वाहकों (इलेक्ट्रॉनों) की गति को संदर्भित करता है।
इलेक्ट्रॉन एकाग्रता - (में मापा गया प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन) - इलेक्ट्रॉन सांद्रण किसी सामग्री में प्रति इकाई आयतन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या को संदर्भित करता है।
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं।
विद्युत क्षेत्र की तीव्रता - (में मापा गया वोल्ट प्रति मीटर) - विद्युत क्षेत्र की तीव्रता एक वेक्टर मात्रा है जो अन्य आवेशों की उपस्थिति के कारण अंतरिक्ष में किसी दिए गए बिंदु पर एक सकारात्मक परीक्षण आवेश द्वारा अनुभव किए गए बल का प्रतिनिधित्व करती है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

इलेक्ट्रॉन एकाग्रता: 1000000 प्रति घन सेंटीमीटर इलेक्ट्रॉन --> 1000000000000 प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: 30 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 30 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
विद्युत क्षेत्र की तीव्रता: 11.2 वोल्ट प्रति मीटर --> 11.2 वोल्ट प्रति मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i --> [Charge-e]*1000000000000*30*11.2

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

J_n = 5.3833134432E-05

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

5.3833134432E-05 एम्पेयर -->53.833134432 माइक्रोएम्पीयर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

53.833134432 ≈ 53.83313 माइक्रोएम्पीयर <-- इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी) » एमओएस आईसी निर्माण » मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई भानुप्रकाश

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बैंगलोर

भानुप्रकाश ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बंगलोर

संतोष यादव ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< एमओएस आईसी निर्माण कैलक्युलेटर्स

MOSFET में शारीरिक प्रभाव

जाओ सब्सट्रेट के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज = शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज+शारीरिक प्रभाव पैरामीटर*(sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता+शरीर पर लागू वोल्टेज)-sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता))

संतृप्ति क्षेत्र में MOSFET का ड्रेन करंट

जाओ नाली का करंट = ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर/2*(गेट स्रोत वोल्टेज-शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज)^2*(1+चैनल लंबाई मॉड्यूलेशन फैक्टर*नाली स्रोत वोल्टेज)

चैनल प्रतिरोध

जाओ चैनल प्रतिरोध = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व)

MOSFET एकता-लाभ आवृत्ति

जाओ MOSFET में यूनिटी गेन आवृत्ति = MOSFET में ट्रांसकंडक्टन्स/(गेट स्रोत धारिता+गेट ड्रेन कैपेसिटेंस)

और देखें >>

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व सूत्र

इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता
J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व की गणना कैसे करें?

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया इलेक्ट्रॉन एकाग्रता (n), इलेक्ट्रॉन सांद्रण किसी सामग्री में प्रति इकाई आयतन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या को संदर्भित करता है। के रूप में, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं। के रूप में & विद्युत क्षेत्र की तीव्रता (E_i), विद्युत क्षेत्र की तीव्रता एक वेक्टर मात्रा है जो अन्य आवेशों की उपस्थिति के कारण अंतरिक्ष में किसी दिए गए बिंदु पर एक सकारात्मक परीक्षण आवेश द्वारा अनुभव किए गए बल का प्रतिनिधित्व करती है। के रूप में डालें। कृपया मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व गणना

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व कैलकुलेटर, इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व की गणना करने के लिए Drift Current Density due to Electrons = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता का उपयोग करता है। मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व J_n को मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व को अर्धचालक में समग्र बहाव धारा घनत्व में इलेक्ट्रॉनों के योगदान के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 5.4E-5 = [Charge-e]*1000000000000*30*11.2. आप और अधिक मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व क्या है?

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व को अर्धचालक में समग्र बहाव धारा घनत्व में इलेक्ट्रॉनों के योगदान के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i या Drift Current Density due to Electrons = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता के रूप में दर्शाया जाता है।

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व की गणना कैसे करें?

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व को मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व को अर्धचालक में समग्र बहाव धारा घनत्व में इलेक्ट्रॉनों के योगदान के रूप में परिभाषित किया गया है। Drift Current Density due to Electrons = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता J_n = [Charge-e]*n*μ_n*E_i के रूप में परिभाषित किया गया है। मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व की गणना करने के लिए, आपको इलेक्ट्रॉन एकाग्रता (n), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n) & विद्युत क्षेत्र की तीव्रता (E_i) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको इलेक्ट्रॉन सांद्रण किसी सामग्री में प्रति इकाई आयतन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या को संदर्भित करता है।, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं। & विद्युत क्षेत्र की तीव्रता एक वेक्टर मात्रा है जो अन्य आवेशों की उपस्थिति के कारण अंतरिक्ष में किसी दिए गए बिंदु पर एक सकारात्मक परीक्षण आवेश द्वारा अनुभव किए गए बल का प्रतिनिधित्व करती है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

होम

मुक्त पीडीएफ़

🔍 खोज

श्रेणियाँ

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!