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✖पीएमओएस (पीटीएम) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है।ⓘ पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर [k'_p]			+10% -10%
✖पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात हैⓘ आस्पेक्ट अनुपात [WL]			+10% -10%
✖क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।ⓘ गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज [V_GS]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_T]			+10% -10%
✖क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के संचालन में नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज एक प्रमुख पैरामीटर है और इसे अक्सर "ड्रेन-सोर्स वोल्टेज" या VDS के रूप में जाना जाता है।ⓘ नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज [V_DS]			+10% -10%

✖ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।ⓘ पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट [I_d]

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पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*((गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज-1/2*(नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)^2)
I_d = k'_p*WL*((V_GS-modulus(V_T))*V_DS-1/2*(V_DS)^2)
यह सूत्र 1 कार्यों, 6 वेरिएबल का उपयोग करता है

उपयोग किए गए कार्य

modulus - किसी संख्या का मापांक वह शेषफल होता है जो उस संख्या को किसी अन्य संख्या से विभाजित करने पर प्राप्त होता है।, modulus

चर

नाली वर्तमान - (में मापा गया एम्पेयर) - ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।
पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर - (में मापा गया सीमेंस) - पीएमओएस (पीटीएम) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है।
आस्पेक्ट अनुपात - पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है
गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।
नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के संचालन में नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज एक प्रमुख पैरामीटर है और इसे अक्सर "ड्रेन-सोर्स वोल्टेज" या VDS के रूप में जाना जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर: 2.1 मिलिसिएमेंस --> 0.0021 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
आस्पेक्ट अनुपात: 6 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज: 2.86 वोल्ट --> 2.86 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 0.7 वोल्ट --> 0.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज: 2.45 वोल्ट --> 2.45 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

I_d = k'_p*WL*((V_GS-modulus(V_T))*V_DS-1/2*(V_DS)^2) --> 0.0021*6*((2.86-modulus(0.7))*2.45-1/2*(2.45)^2)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

I_d = 0.02886345

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.02886345 एम्पेयर -->28.86345 मिलीएम्पियर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

28.86345 मिलीएम्पियर <-- नाली वर्तमान

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट

LaTeX जाओ नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*((गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज-1/2*(नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)^2)

दिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट वीएसडी

LaTeX जाओ नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(modulus(प्रभावी वोल्टेज)-1/2*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज

PMOS ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट

LaTeX जाओ संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2

दिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करेंट

LaTeX जाओ संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(प्रभावी वोल्टेज)^2

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पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट सूत्र

LaTeX जाओ

MOSFET में ड्रेन करंट क्या है?

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज के नीचे स्थित नाले को सबथ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और वीजीएस के साथ तेजी से बदलता है। लॉग (Ids) बनाम वीजीएस विशेषता के ढलान के पारस्परिक को सबथ्रेशोल्ड ढलान, एस के रूप में परिभाषित किया गया है, और तर्क अनुप्रयोगों में MOSFETs के लिए सबसे महत्वपूर्ण प्रदर्शन मेट्रिक्स में से एक है।

पीएमओएस में किस तरह से प्रवाह होता है?

एक NMOS इलेक्ट्रॉनों में प्रभारी वाहक हैं। तो इलेक्ट्रॉनों स्रोत से नाली तक यात्रा करते हैं (जिसका अर्थ है कि प्रवाह नाली> स्रोत से जाता है।) एक पीएमओएस छेद में चार्ज किया जाता है। इसलिए छेद स्रोत से नाली तक यात्रा करते हैं।

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट की गणना कैसे करें?

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_p), पीएमओएस (पीटीएम) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है। के रूप में, आस्पेक्ट अनुपात (WL), पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है के रूप में, गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS), क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है। के रूप में, सीमा वोल्टेज (V_T), थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के रूप में & नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_DS), क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के संचालन में नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज एक प्रमुख पैरामीटर है और इसे अक्सर "ड्रेन-सोर्स वोल्टेज" या VDS के रूप में जाना जाता है। के रूप में डालें। कृपया पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट गणना

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट कैलकुलेटर, नाली वर्तमान की गणना करने के लिए Drain Current = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*((गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज-1/2*(नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)^2) का उपयोग करता है। पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट I_d को PMOS ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करंट जहां स्रोत छोटा वोल्टेज है और नाली सबसे बड़ा वोल्टेज है (वे विनिमेय हैं)। PMOS में ट्रांजिस्टर छेद आवेश वाहक होते हैं और छिद्रों के कारण धारा प्रवाहित होते हैं। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 28863.45 = 0.0021*6*((2.86-modulus(0.7))*2.45-1/2*(2.45)^2). आप और अधिक पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट क्या है?

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट PMOS ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करंट जहां स्रोत छोटा वोल्टेज है और नाली सबसे बड़ा वोल्टेज है (वे विनिमेय हैं)। PMOS में ट्रांजिस्टर छेद आवेश वाहक होते हैं और छिद्रों के कारण धारा प्रवाहित होते हैं। है और इसे I_d = k'_p*WL*((V_GS-modulus(V_T))*V_DS-1/2*(V_DS)^2) या Drain Current = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*((गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज-1/2*(नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)^2) के रूप में दर्शाया जाता है।

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट की गणना कैसे करें?

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट को PMOS ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करंट जहां स्रोत छोटा वोल्टेज है और नाली सबसे बड़ा वोल्टेज है (वे विनिमेय हैं)। PMOS में ट्रांजिस्टर छेद आवेश वाहक होते हैं और छिद्रों के कारण धारा प्रवाहित होते हैं। Drain Current = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*((गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज-1/2*(नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)^2) I_d = k'_p*WL*((V_GS-modulus(V_T))*V_DS-1/2*(V_DS)^2) के रूप में परिभाषित किया गया है। पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट की गणना करने के लिए, आपको पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_p), आस्पेक्ट अनुपात (WL), गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS), सीमा वोल्टेज (V_T) & नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_DS) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको पीएमओएस (पीटीएम) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है।, पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है, क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।, थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। & क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के संचालन में नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज एक प्रमुख पैरामीटर है और इसे अक्सर "ड्रेन-सोर्स वोल्टेज" या VDS के रूप में जाना जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

नाली वर्तमान की गणना करने के कितने तरीके हैं?

नाली वर्तमान पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_p), आस्पेक्ट अनुपात (WL), गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS), सीमा वोल्टेज (V_T) & नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_DS) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 3 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(modulus(प्रभावी वोल्टेज)-1/2*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज
नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज))
नाली वर्तमान = (जंक्शन की चौड़ाई*उलटा परत प्रभार*उलटा बहाव वेग)

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