PMOS ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट कैलकुलेटर

PMOS ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट को पीएमओएस ट्रांजिस्टर ड्रेन करंट के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट पहले लागू ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है, लेकिन फिर अधिकतम मूल्य तक पहुंच जाता है। गेट के ड्रेन एंड पर स्थित एक रिक्तीकरण परत अतिरिक्त ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज को समायोजित करती है। इस व्यवहार को ड्रेन करंट सैचुरेशन कहा जाता है। Saturation Drain Current = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2 I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2 के रूप में परिभाषित किया गया है। PMOS ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट की गणना करने के लिए, आपको पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_p), आस्पेक्ट अनुपात (WL), गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS) & सीमा वोल्टेज (V_T) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको पीएमओएस (पीटीएम) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है।, पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है, क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है। & थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

संतृप्ति नाली वर्तमान पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_p), आस्पेक्ट अनुपात (WL), गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS) & सीमा वोल्टेज (V_T) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

• संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(प्रभावी वोल्टेज)^2