जल निकासी धारा कैलकुलेटर

जल निकासी धारा को ड्रेन करंट को उप थ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे गेट से स्रोत वोल्टेज के साथ तेजी से बदलता रहता है। Drain Current = इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता*गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस*(गेट जंक्शन की चौड़ाई/गेट की लंबाई)*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत संतृप्ति वोल्टेज I_D = μ_n*C_ox*(W_gate/L_g)*(V_gs-V_th)*V_ds के रूप में परिभाषित किया गया है। जल निकासी धारा की गणना करने के लिए, आपको इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता (μ_n), गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस (C_ox), गेट जंक्शन की चौड़ाई (W_gate), गेट की लंबाई (L_g), गेट स्रोत वोल्टेज (V_gs), सीमा वोल्टेज (V_th) & नाली स्रोत संतृप्ति वोल्टेज (V_ds) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता को प्रति इकाई विद्युत क्षेत्र के औसत बहाव वेग के परिमाण के रूप में परिभाषित किया गया है।, गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक घटक या सर्किट की विद्युत आवेश के रूप में ऊर्जा एकत्र करने और संग्रहीत करने की क्षमता है।, गेट जंक्शन की चौड़ाई को सेमीकंडक्टर डिवाइस में गेट जंक्शन की चौड़ाई के रूप में परिभाषित किया गया है।, गेट की लंबाई केवल भौतिक गेट की लंबाई है। चैनल की लंबाई वह पथ है जो नाली और स्रोत के बीच आवेश वाहकों को जोड़ती है।, ट्रांजिस्टर का गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है।, ट्रांजिस्टर का थ्रेशोल्ड वोल्टेज स्रोत के लिए न्यूनतम गेट वोल्टेज है जो स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच एक संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक है। & नाली स्रोत संतृप्ति वोल्टेज एक MOSFET को चालू करने के लिए आवश्यक एमिटर और कलेक्टर टर्मिनल के बीच वोल्टेज का अंतर है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।