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विभेदक विन्यास कैस्कोड कॉन्फ़िगरेशन डीसी ऑफसेट पाना

✖ट्रांसकंडक्टेंस एक निरंतर ड्रेन/सोर्स वोल्टेज के साथ गेट/सोर्स वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित ड्रेन करंट में परिवर्तन है।ⓘ transconductance [g_m]			+10% -10%
✖सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ दो कारकों से अत्यधिक प्रभावित होता है: आधार क्षेत्र की चौड़ाई, डब्ल्यू, और आधार क्षेत्र और उत्सर्जक क्षेत्र की सापेक्ष डोपिंग।ⓘ सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ [β]			+10% -10%
✖MOSFET के सेकेंडरी में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध इसके माध्यम से बहने वाली धारा का विरोध है। यह विशिष्ट MOSFET डिज़ाइन और परिचालन स्थितियों पर निर्भर करता है।ⓘ माध्यमिक में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध [R'₁]			+10% -10%
✖MOSFET की प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध इसके माध्यम से बहने वाली धारा का विरोध है। यह विशिष्ट MOSFET डिज़ाइन और परिचालन स्थितियों पर निर्भर करता है।ⓘ प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध [R'₂]			+10% -10%

✖डिफरेंशियल गेन एम्पलीफायर का लाभ है जब एक डिफरेंशियल इनपुट की आपूर्ति की जाती है यानी इनपुट 1 इनपुट 2 के बराबर नहीं है।ⓘ एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ [A_d]

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एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

विभेदक लाभ = transconductance*(1/(सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ*माध्यमिक में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध)+(1/(1/(सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ*प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध))))
A_d = g_m*(1/(β*R'₁)+(1/(1/(β*R'₂))))
यह सूत्र 5 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

विभेदक लाभ - डिफरेंशियल गेन एम्पलीफायर का लाभ है जब एक डिफरेंशियल इनपुट की आपूर्ति की जाती है यानी इनपुट 1 इनपुट 2 के बराबर नहीं है।
transconductance - (में मापा गया सीमेंस) - ट्रांसकंडक्टेंस एक निरंतर ड्रेन/सोर्स वोल्टेज के साथ गेट/सोर्स वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित ड्रेन करंट में परिवर्तन है।
सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ - सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ दो कारकों से अत्यधिक प्रभावित होता है: आधार क्षेत्र की चौड़ाई, डब्ल्यू, और आधार क्षेत्र और उत्सर्जक क्षेत्र की सापेक्ष डोपिंग।
माध्यमिक में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - MOSFET के सेकेंडरी में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध इसके माध्यम से बहने वाली धारा का विरोध है। यह विशिष्ट MOSFET डिज़ाइन और परिचालन स्थितियों पर निर्भर करता है।
प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - MOSFET की प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध इसके माध्यम से बहने वाली धारा का विरोध है। यह विशिष्ट MOSFET डिज़ाइन और परिचालन स्थितियों पर निर्भर करता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

transconductance: 0.25 मिलिसिएमेंस --> 0.00025 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ: 6.52 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
माध्यमिक में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध: 5.8 किलोहम --> 5800 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध: 4.3 किलोहम --> 4300 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

A_d = g_m*(1/(β*R'₁)+(1/(1/(β*R'₂)))) --> 0.00025*(1/(6.52*5800)+(1/(1/(6.52*4300))))

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

A_d = 7.00900000661096

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

7.00900000661096 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

7.00900000661096 ≈ 7.009 <-- विभेदक लाभ

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित अंशिका आर्य

राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान (एनआईटी), हमीरपुर

अंशिका आर्य ने इस कैलकुलेटर और 2500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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डिफरेंशियल गेन और कॉमन मोड गेन क्या है?

विभेदक-लोड वोल्टेज लाभ एक वोल्टेज को दिया गया लाभ है जो दो इनपुट टर्मिनलों के बीच दिखाई देता है। यह इनपुट पर दो अलग-अलग वोल्टेज का प्रतिनिधित्व करता है। इसके विपरीत, सामान्य-लोड वोल्टेज लाभ एक वोल्टेज को दिया गया लाभ है जो जमीन के संबंध में दोनों इनपुट टर्मिनलों पर दिखाई देता है।

एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ की गणना कैसे करें?

एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया transconductance (g_m), ट्रांसकंडक्टेंस एक निरंतर ड्रेन/सोर्स वोल्टेज के साथ गेट/सोर्स वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित ड्रेन करंट में परिवर्तन है। के रूप में, सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ (β), सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ दो कारकों से अत्यधिक प्रभावित होता है: आधार क्षेत्र की चौड़ाई, डब्ल्यू, और आधार क्षेत्र और उत्सर्जक क्षेत्र की सापेक्ष डोपिंग। के रूप में, माध्यमिक में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध (R'₁), MOSFET के सेकेंडरी में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध इसके माध्यम से बहने वाली धारा का विरोध है। यह विशिष्ट MOSFET डिज़ाइन और परिचालन स्थितियों पर निर्भर करता है। के रूप में & प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध (R'₂), MOSFET की प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध इसके माध्यम से बहने वाली धारा का विरोध है। यह विशिष्ट MOSFET डिज़ाइन और परिचालन स्थितियों पर निर्भर करता है। के रूप में डालें। कृपया एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ गणना

एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ कैलकुलेटर, विभेदक लाभ की गणना करने के लिए Differential Gain = transconductance*(1/(सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ*माध्यमिक में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध)+(1/(1/(सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ*प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध)))) का उपयोग करता है। एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ A_d को एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर फॉर्मूला में डिफरेंशियल वोल्टेज गेन को कम-आवृत्ति ल्यूमा (चमक) आयाम में बदलाव के लिए रंग संतृप्ति स्तर (रंग मॉड्यूलेशन के आयाम) में परिवर्तन के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 59.125 = 0.00025*(1/(6.52*5800)+(1/(1/(6.52*4300)))). आप और अधिक एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ क्या है?

एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर फॉर्मूला में डिफरेंशियल वोल्टेज गेन को कम-आवृत्ति ल्यूमा (चमक) आयाम में बदलाव के लिए रंग संतृप्ति स्तर (रंग मॉड्यूलेशन के आयाम) में परिवर्तन के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे A_d = g_m*(1/(β*R'₁)+(1/(1/(β*R'₂)))) या Differential Gain = transconductance*(1/(सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ*माध्यमिक में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध)+(1/(1/(सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ*प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध)))) के रूप में दर्शाया जाता है।

एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ की गणना कैसे करें?

एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ को एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर फॉर्मूला में डिफरेंशियल वोल्टेज गेन को कम-आवृत्ति ल्यूमा (चमक) आयाम में बदलाव के लिए रंग संतृप्ति स्तर (रंग मॉड्यूलेशन के आयाम) में परिवर्तन के रूप में परिभाषित किया गया है। Differential Gain = transconductance*(1/(सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ*माध्यमिक में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध)+(1/(1/(सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ*प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध)))) A_d = g_m*(1/(β*R'₁)+(1/(1/(β*R'₂)))) के रूप में परिभाषित किया गया है। एमओएस डिफरेंशियल एम्पलीफायर में डिफरेंशियल वोल्टेज लाभ की गणना करने के लिए, आपको transconductance (g_m), सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ (β), माध्यमिक में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध (R'₁) & प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध (R'₂) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ट्रांसकंडक्टेंस एक निरंतर ड्रेन/सोर्स वोल्टेज के साथ गेट/सोर्स वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित ड्रेन करंट में परिवर्तन है।, सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ दो कारकों से अत्यधिक प्रभावित होता है: आधार क्षेत्र की चौड़ाई, डब्ल्यू, और आधार क्षेत्र और उत्सर्जक क्षेत्र की सापेक्ष डोपिंग।, MOSFET के सेकेंडरी में प्राथमिक वाइंडिंग का प्रतिरोध इसके माध्यम से बहने वाली धारा का विरोध है। यह विशिष्ट MOSFET डिज़ाइन और परिचालन स्थितियों पर निर्भर करता है। & MOSFET की प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध इसके माध्यम से बहने वाली धारा का विरोध है। यह विशिष्ट MOSFET डिज़ाइन और परिचालन स्थितियों पर निर्भर करता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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