ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट की गणना कैसे करें?
ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (kn), ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और सर्किट में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो वोल्टेज और करंट के बीच इनपुट-आउटपुट संबंध का वर्णन और मात्रा निर्धारित करने में मदद करता है। के रूप में & प्रभावी वोल्टेज (Veff), MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के रूप में डालें। कृपया ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।
ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट गणना
ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट कैलकुलेटर, डीसी बायस करंट की गणना करने के लिए DC Bias Current = 1/2*ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*प्रभावी वोल्टेज^2 का उपयोग करता है। ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट Ib को डीसी ड्रेन करंट और ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज द्वारा ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET का डीसी बायस करंट और यह हमेशा लोड लाइन पर होता है। यह वोल्टेज की मात्रा है जो एक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण को डीसी बायसिंग स्थिति में चाहिए, जहां एक अतिरिक्त भार जोड़ा जाता है और जंक्शन पर वोल्टेज को बायसिंग के प्रकार के अनुसार दिया जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 1.5E+7 = 1/2*10.5*1.7^2. आप और अधिक ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -