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✖NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।ⓘ NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर [k'_n]			+10% -10%
✖चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।ⓘ चैनल की चौड़ाई [W_c]			+10% -10%
✖चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।ⓘ चैनल की लंबाई [L]			+10% -10%
✖नाली स्रोत वोल्टेज एक विद्युत शब्द है जिसका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक्स में और विशेष रूप से क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में किया जाता है। यह FET के ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है।ⓘ नाली स्रोत वोल्टेज [V_ds]			+10% -10%
✖NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज आमतौर पर एक डिवाइस या घटक पर लागू वोल्टेज को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक होता है।ⓘ NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज [V_ov]			+10% -10%

✖NMOS में ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।ⓘ NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल [I_d]

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NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*नाली स्रोत वोल्टेज*(NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज)
I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds)
यह सूत्र 6 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

NMOS में ड्रेन करेंट - (में मापा गया एम्पेयर) - NMOS में ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।
NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर - (में मापा गया सीमेंस) - NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।
चैनल की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।
चैनल की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।
नाली स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - नाली स्रोत वोल्टेज एक विद्युत शब्द है जिसका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक्स में और विशेष रूप से क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में किया जाता है। यह FET के ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है।
NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज आमतौर पर एक डिवाइस या घटक पर लागू वोल्टेज को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक होता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर: 2 मिलिसिएमेंस --> 0.002 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की चौड़ाई: 10 माइक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की लंबाई: 3 माइक्रोमीटर --> 3E-06 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
नाली स्रोत वोल्टेज: 8.43 वोल्ट --> 8.43 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज: 8.48 वोल्ट --> 8.48 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds) --> 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

I_d = 0.239693

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.239693 एम्पेयर -->239.693 मिलीएम्पियर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

239.693 मिलीएम्पियर <-- NMOS में ड्रेन करेंट

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » एन चैनल संवर्द्धन » NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत

LaTeX जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2)

NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है

LaTeX जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज^2)

NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में

LaTeX जाओ रैखिक प्रतिरोध = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड क्षमता*चैनल की चौड़ाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज))

NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग

LaTeX जाओ इलेक्ट्रॉन बहाव वेग = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र

और देखें >>

NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल सूत्र

LaTeX जाओ

MOSFET में ड्रेन करंट क्या है?

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज के नीचे स्थित नाली को सबथ्रेशोल्ड वर्तमान के रूप में परिभाषित किया गया है और वी के साथ तेजी से बदलता है

MOSFET कितना करंट हैंडल कर सकता है?

511-STP200N3LL जैसे उच्च एम्परेज MOSFET का कहना है कि वे वर्तमान के 120 एम्पों को संभाल सकते हैं। मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर, या शॉर्ट के लिए MOSFET, के पास स्रोत और नाले के बीच चैनल के माध्यम से प्रवाहित होने के साथ एक बहुत ही उच्च इनपुट गेट प्रतिरोध है। गेट वोल्टेज द्वारा नियंत्रित।

NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल की गणना कैसे करें?

NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है। के रूप में, चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है। के रूप में, चैनल की लंबाई (L), चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है। के रूप में, नाली स्रोत वोल्टेज (V_ds), नाली स्रोत वोल्टेज एक विद्युत शब्द है जिसका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक्स में और विशेष रूप से क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में किया जाता है। यह FET के ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है। के रूप में & NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov), NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज आमतौर पर एक डिवाइस या घटक पर लागू वोल्टेज को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक होता है। के रूप में डालें। कृपया NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल गणना

NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल कैलकुलेटर, NMOS में ड्रेन करेंट की गणना करने के लिए Drain Current in NMOS = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*नाली स्रोत वोल्टेज*(NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज) का उपयोग करता है। NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल I_d को NMOS, MOSFETs का वर्तमान प्रवेश नाली टर्मिनल केवल एक दिशा में प्रवाहित धारा को स्विच करता है; उनके पास दूसरी दिशा में स्रोत और नाली के बीच एक डायोड है (दूसरे शब्दों में, यदि नाली (एन-चैनल डिवाइस पर) स्रोत पर वोल्टेज से नीचे गिरती है, तो धारा स्रोत से नाली में प्रवाहित होगी)। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43). आप और अधिक NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल क्या है?

NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल NMOS, MOSFETs का वर्तमान प्रवेश नाली टर्मिनल केवल एक दिशा में प्रवाहित धारा को स्विच करता है; उनके पास दूसरी दिशा में स्रोत और नाली के बीच एक डायोड है (दूसरे शब्दों में, यदि नाली (एन-चैनल डिवाइस पर) स्रोत पर वोल्टेज से नीचे गिरती है, तो धारा स्रोत से नाली में प्रवाहित होगी)। है और इसे I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds) या Drain Current in NMOS = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*नाली स्रोत वोल्टेज*(NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल की गणना कैसे करें?

NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल को NMOS, MOSFETs का वर्तमान प्रवेश नाली टर्मिनल केवल एक दिशा में प्रवाहित धारा को स्विच करता है; उनके पास दूसरी दिशा में स्रोत और नाली के बीच एक डायोड है (दूसरे शब्दों में, यदि नाली (एन-चैनल डिवाइस पर) स्रोत पर वोल्टेज से नीचे गिरती है, तो धारा स्रोत से नाली में प्रवाहित होगी)। Drain Current in NMOS = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*नाली स्रोत वोल्टेज*(NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज) I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds) के रूप में परिभाषित किया गया है। NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल की गणना करने के लिए, आपको NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L), नाली स्रोत वोल्टेज (V_ds) & NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।, चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।, चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।, नाली स्रोत वोल्टेज एक विद्युत शब्द है जिसका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक्स में और विशेष रूप से क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में किया जाता है। यह FET के ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है। & NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज आमतौर पर एक डिवाइस या घटक पर लागू वोल्टेज को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक होता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

NMOS में ड्रेन करेंट की गणना करने के कितने तरीके हैं?

NMOS में ड्रेन करेंट NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L), नाली स्रोत वोल्टेज (V_ds) & NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 3 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज^2)
NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2)
NMOS में ड्रेन करेंट = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2

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