तीन संख्या का एलसीएम

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत कैलकुलेटर

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✖NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।ⓘ NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर [k'_n]			+10% -10%
✖चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।ⓘ चैनल की चौड़ाई [W_c]			+10% -10%
✖चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।ⓘ चैनल की लंबाई [L]			+10% -10%
✖गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है।ⓘ गेट स्रोत वोल्टेज [V_gs]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_T]			+10% -10%

✖NMOS में ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।ⓘ NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत [I_d]

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NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

NMOS में ड्रेन करेंट = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2
यह सूत्र 6 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

NMOS में ड्रेन करेंट - (में मापा गया एम्पेयर) - NMOS में ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।
NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर - (में मापा गया सीमेंस) - NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।
चैनल की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।
चैनल की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।
गेट स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर: 2 मिलिसिएमेंस --> 0.002 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की चौड़ाई: 10 माइक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की लंबाई: 3 माइक्रोमीटर --> 3E-06 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
गेट स्रोत वोल्टेज: 10.3 वोल्ट --> 10.3 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 1.82 वोल्ट --> 1.82 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

I_d = 0.239701333333333

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.239701333333333 एम्पेयर -->239.701333333333 मिलीएम्पियर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

239.701333333333 ≈ 239.7013 मिलीएम्पियर <-- NMOS में ड्रेन करेंट

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< एन चैनल संवर्द्धन कैलक्युलेटर्स

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत

LaTeX जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2)

NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है

LaTeX जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज^2)

NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में

LaTeX जाओ रैखिक प्रतिरोध = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड क्षमता*चैनल की चौड़ाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज))

NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग

LaTeX जाओ इलेक्ट्रॉन बहाव वेग = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र

और देखें >>

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत सूत्र

LaTeX जाओ

NMOS में ड्रेन करेंट = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2

संतृप्ति क्षेत्र क्या है?

दूसरे क्षेत्र को "संतृप्ति" कहा जाता है। यह वह जगह है जहां बेस करंट इस बिंदु से आगे बढ़ गया है कि एमिटर-बेस जंक्शन आगे बायस्ड है। वास्तव में, बेस करंट उस बिंदु से आगे बढ़ गया है जहां यह कलेक्टर प्रवाह को बढ़ा सकता है।

एक NMOS संतृप्ति में होने के लिए क्या स्थिति है?

MOSFET संतृप्ति में है जब V (GS)> V (TH) और V (DS)> V (GS) - V (TH)। ... अगर मैं धीरे से 0 से शुरू होने वाले गेट वोल्टेज को बढ़ाता हूं, तो MOSFET बंद रहता है। जब गेट वोल्टेज 2.5V या उसके आसपास होता है, तो एलईडी एक छोटी मात्रा में वर्तमान का संचालन करना शुरू कर देती है।

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत की गणना कैसे करें?

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है। के रूप में, चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है। के रूप में, चैनल की लंबाई (L), चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है। के रूप में, गेट स्रोत वोल्टेज (V_gs), गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है। के रूप में & सीमा वोल्टेज (V_T), थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के रूप में डालें। कृपया NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत गणना

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत कैलकुलेटर, NMOS में ड्रेन करेंट की गणना करने के लिए Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2 का उपयोग करता है। NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत I_d को NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन-स्रोत में प्रवेश करने वाला, ड्रेन करंट पहले लागू ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है, लेकिन फिर अधिकतम मूल्य तक पहुंच जाता है। गेट के ड्रेन एंड पर स्थित एक घटती परत अतिरिक्त ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज को समायोजित करती है। इस व्यवहार को नाली चालू संतृप्ति के रूप में संदर्भित किया जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 239701.3 = 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2. आप और अधिक NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत क्या है?

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन-स्रोत में प्रवेश करने वाला, ड्रेन करंट पहले लागू ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है, लेकिन फिर अधिकतम मूल्य तक पहुंच जाता है। गेट के ड्रेन एंड पर स्थित एक घटती परत अतिरिक्त ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज को समायोजित करती है। इस व्यवहार को नाली चालू संतृप्ति के रूप में संदर्भित किया जाता है। है और इसे I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2 या Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2 के रूप में दर्शाया जाता है।

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत की गणना कैसे करें?

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन-स्रोत में प्रवेश करने वाला, ड्रेन करंट पहले लागू ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है, लेकिन फिर अधिकतम मूल्य तक पहुंच जाता है। गेट के ड्रेन एंड पर स्थित एक घटती परत अतिरिक्त ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज को समायोजित करती है। इस व्यवहार को नाली चालू संतृप्ति के रूप में संदर्भित किया जाता है। Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2 I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2 के रूप में परिभाषित किया गया है। NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत की गणना करने के लिए, आपको NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (V_gs) & सीमा वोल्टेज (V_T) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।, चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।, चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।, गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है। & थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

NMOS में ड्रेन करेंट की गणना करने के कितने तरीके हैं?

NMOS में ड्रेन करेंट NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (V_gs) & सीमा वोल्टेज (V_T) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 3 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज^2)
NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2)
NMOS में ड्रेन करेंट = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2

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