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एमओएस आईसी निर्माण द्विध्रुवी आईसी निर्माण श्मिट ट्रिगर

✖प्रोसेस डिपेंडेंट कॉन्स्टैंट एक पैरामीटर या मान को संदर्भित करता है जो निर्माण प्रक्रिया के एक विशिष्ट पहलू को दर्शाता है और अर्धचालक उपकरणों के प्रदर्शन पर महत्वपूर्ण प्रभाव डालता है।ⓘ प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक [k₁]			+10% -10%
✖फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया के दौरान पैटर्न अर्धचालक वेफर्स के लिए नियोजित विद्युत चुम्बकीय विकिरण की विशिष्ट श्रेणी को संदर्भित करता है।ⓘ फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य [λ_l]			+10% -10%
✖ऑप्टिकल सिस्टम का संख्यात्मक एपर्चर एक ऑप्टिकल सिस्टम की क्षमता का वर्णन करने के लिए प्रकाशिकी में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है। सेमीकंडक्टर निर्माण और फोटोलिथोग्राफी के संदर्भ में।ⓘ संख्यात्मक छिद्र [NA]			+10% -10%

✖सेमीकंडक्टर निर्माण में महत्वपूर्ण आयाम किसी दिए गए प्रक्रिया में सबसे छोटे फीचर आकार या सबसे छोटे मापने योग्य आकार को संदर्भित करता है।ⓘ महत्वपूर्ण आयाम [CD]

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सूत्र

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महत्वपूर्ण आयाम

सूत्र

CD = k 1 \cdot \frac{λ l}{NA}

उदाहरण

485.1883 nm = 1.56 \cdot \frac{223 nm}{0.717}

कैलकुलेटर

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रीसेट

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महत्वपूर्ण आयाम उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

महत्वपूर्ण आयाम = प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/संख्यात्मक छिद्र
CD = k₁*λ_l/NA
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

महत्वपूर्ण आयाम - (में मापा गया मीटर) - सेमीकंडक्टर निर्माण में महत्वपूर्ण आयाम किसी दिए गए प्रक्रिया में सबसे छोटे फीचर आकार या सबसे छोटे मापने योग्य आकार को संदर्भित करता है।
प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक - प्रोसेस डिपेंडेंट कॉन्स्टैंट एक पैरामीटर या मान को संदर्भित करता है जो निर्माण प्रक्रिया के एक विशिष्ट पहलू को दर्शाता है और अर्धचालक उपकरणों के प्रदर्शन पर महत्वपूर्ण प्रभाव डालता है।
फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य - (में मापा गया मीटर) - फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया के दौरान पैटर्न अर्धचालक वेफर्स के लिए नियोजित विद्युत चुम्बकीय विकिरण की विशिष्ट श्रेणी को संदर्भित करता है।
संख्यात्मक छिद्र - ऑप्टिकल सिस्टम का संख्यात्मक एपर्चर एक ऑप्टिकल सिस्टम की क्षमता का वर्णन करने के लिए प्रकाशिकी में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है। सेमीकंडक्टर निर्माण और फोटोलिथोग्राफी के संदर्भ में।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक: 1.56 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य: 223 नैनोमीटर --> 2.23E-07 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
संख्यात्मक छिद्र: 0.717 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

4.85188284518829E-07 मीटर -->485.188284518829 नैनोमीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

485.188284518829 ≈ 485.1883 नैनोमीटर <-- महत्वपूर्ण आयाम

(गणना 00.005 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी) » एमओएस आईसी निर्माण » महत्वपूर्ण आयाम

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई भानुप्रकाश

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बैंगलोर

भानुप्रकाश ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बंगलोर

संतोष यादव ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

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MOSFET में शारीरिक प्रभाव

जाओ सब्सट्रेट के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज = शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज+शारीरिक प्रभाव पैरामीटर*(sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता+शरीर पर लागू वोल्टेज)-sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता))

संतृप्ति क्षेत्र में MOSFET का ड्रेन करंट

जाओ नाली का करंट = ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर/2*(गेट स्रोत वोल्टेज-शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज)^2*(1+चैनल लंबाई मॉड्यूलेशन फैक्टर*नाली स्रोत वोल्टेज)

चैनल प्रतिरोध

जाओ चैनल प्रतिरोध = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व)

MOSFET एकता-लाभ आवृत्ति

जाओ MOSFET में यूनिटी गेन आवृत्ति = MOSFET में ट्रांसकंडक्टन्स/(गेट स्रोत धारिता+गेट ड्रेन कैपेसिटेंस)

और देखें >>

महत्वपूर्ण आयाम सूत्र

महत्वपूर्ण आयाम = प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/संख्यात्मक छिद्र
CD = k₁*λ_l/NA

महत्वपूर्ण आयाम की गणना कैसे करें?

महत्वपूर्ण आयाम के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक (k₁), प्रोसेस डिपेंडेंट कॉन्स्टैंट एक पैरामीटर या मान को संदर्भित करता है जो निर्माण प्रक्रिया के एक विशिष्ट पहलू को दर्शाता है और अर्धचालक उपकरणों के प्रदर्शन पर महत्वपूर्ण प्रभाव डालता है। के रूप में, फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य (λ_l), फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया के दौरान पैटर्न अर्धचालक वेफर्स के लिए नियोजित विद्युत चुम्बकीय विकिरण की विशिष्ट श्रेणी को संदर्भित करता है। के रूप में & संख्यात्मक छिद्र (NA), ऑप्टिकल सिस्टम का संख्यात्मक एपर्चर एक ऑप्टिकल सिस्टम की क्षमता का वर्णन करने के लिए प्रकाशिकी में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है। सेमीकंडक्टर निर्माण और फोटोलिथोग्राफी के संदर्भ में। के रूप में डालें। कृपया महत्वपूर्ण आयाम गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

महत्वपूर्ण आयाम गणना

महत्वपूर्ण आयाम कैलकुलेटर, महत्वपूर्ण आयाम की गणना करने के लिए Critical Dimension = प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/संख्यात्मक छिद्र का उपयोग करता है। महत्वपूर्ण आयाम CD को क्रिटिकल डायमेंशन सबसे छोटे आयाम या फीचर आकार को संदर्भित करता है जो सर्किट के प्रदर्शन और कार्यक्षमता को निर्धारित करता है। यह निर्माण प्रक्रिया के रिज़ॉल्यूशन और सटीकता को परिभाषित करने के लिए महत्वपूर्ण है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ महत्वपूर्ण आयाम गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 4.9E+11 = 1.56*2.23E-07/0.717. आप और अधिक महत्वपूर्ण आयाम उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

महत्वपूर्ण आयाम क्या है?

महत्वपूर्ण आयाम क्रिटिकल डायमेंशन सबसे छोटे आयाम या फीचर आकार को संदर्भित करता है जो सर्किट के प्रदर्शन और कार्यक्षमता को निर्धारित करता है। यह निर्माण प्रक्रिया के रिज़ॉल्यूशन और सटीकता को परिभाषित करने के लिए महत्वपूर्ण है। है और इसे CD = k₁*λ_l/NA या Critical Dimension = प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/संख्यात्मक छिद्र के रूप में दर्शाया जाता है।

महत्वपूर्ण आयाम की गणना कैसे करें?

महत्वपूर्ण आयाम को क्रिटिकल डायमेंशन सबसे छोटे आयाम या फीचर आकार को संदर्भित करता है जो सर्किट के प्रदर्शन और कार्यक्षमता को निर्धारित करता है। यह निर्माण प्रक्रिया के रिज़ॉल्यूशन और सटीकता को परिभाषित करने के लिए महत्वपूर्ण है। Critical Dimension = प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/संख्यात्मक छिद्र CD = k₁*λ_l/NA के रूप में परिभाषित किया गया है। महत्वपूर्ण आयाम की गणना करने के लिए, आपको प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक (k₁), फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य (λ_l) & संख्यात्मक छिद्र (NA) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको प्रोसेस डिपेंडेंट कॉन्स्टैंट एक पैरामीटर या मान को संदर्भित करता है जो निर्माण प्रक्रिया के एक विशिष्ट पहलू को दर्शाता है और अर्धचालक उपकरणों के प्रदर्शन पर महत्वपूर्ण प्रभाव डालता है।, फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया के दौरान पैटर्न अर्धचालक वेफर्स के लिए नियोजित विद्युत चुम्बकीय विकिरण की विशिष्ट श्रेणी को संदर्भित करता है। & ऑप्टिकल सिस्टम का संख्यात्मक एपर्चर एक ऑप्टिकल सिस्टम की क्षमता का वर्णन करने के लिए प्रकाशिकी में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है। सेमीकंडक्टर निर्माण और फोटोलिथोग्राफी के संदर्भ में। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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